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1.
利用气源分子束外延技术(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品.利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了该量子点的形貌和光学性质.气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度.200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17 meV.升温至200 K,载流子的输运过程发生...  相似文献   
2.
以2-巯基苯并噻唑(2-MBT)、 苯并三氮唑(BTA)和苯氧基乙醇(MSDS)作为缓蚀剂, 研究了其加入在酸性蚀刻液后对PCB厚铜线路的缓蚀效果。通过接触角测试、电化学测试和蚀刻因子得出缓蚀状态,并结合扫描电子显微镜观察铜表面形貌。通过分子动力学计算和量子化学模拟分析缓蚀剂在铜表面的吸附机理。结果表明,2-MBT + MSDS与BTA + MSDS的分子结构可有效地平行吸附在铜表面,且吸附能高于单一缓蚀剂。加入了2-MBT + MSDS的蚀刻液,对厚度约为33 μm铜线路进行刻蚀,铜线路的蚀刻因子提高到6.59,可有效应用于PCB厚铜线路制作。  相似文献   
3.
The modified analytic embedded atom method (MAEAM) model and the anharmonic theory are used to study the bulk modulus of fcc A1 metal. The result shows that the bulk modulus can be described by a quadratic function of temperature. The result is in good agreement with the experimental data and theoretical results calculated by the first principle calculation etc. This outcome indicates that the temperature dependence of the bulk modulus for f cc A1 metal can be academically studied with the MAEAM model combining with the anharmonic theory.  相似文献   
4.
利用气源分子束外延设备(MBE)制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱研究了量子点的形貌和光学性质。气源MBE在较低温度下生长的量子点材料具有较高的量子点覆盖度。200K以下载流子以局域激子形式束缚在量子点中,激子束缚能约为17meV。升温至200K,载流子的输运过程发生变化。对量子点PL积分强度与温度关系曲线进行拟合得到量子点中空穴跃迁至浸润层的热激活能为129meV。  相似文献   
5.
研究了在pH5.6的HAc NaAc缓冲溶液中,溴化十六烷基吡啶(CPB)存在下,钼(Ⅵ)与溴邻苯三酚红及磺基水杨酸形成多元配合物的显色反应,建立了测定食品中微量钼的新方法。该配合物的最大吸收波长为λmax=620nm,表观摩尔吸光系数ε620=1.84×105L·mol-1·cm-1。钼(Ⅵ)浓度在0~0 80μg mL范围内符合比尔定律。应用于粮食作物中微量钼的测定,相对标准偏差小于4 8%,回收率为95.2%~100.5%。  相似文献   
6.
采用两步AlN缓冲层(一层低温AlN和一层高温AlN)在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的α面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究.两步AIN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到...  相似文献   
7.
杨刚  陈星  王小丽  邢卫红  徐南平 《催化学报》2013,34(7):1326-1332
制备了镍(II)席夫碱配合物官能化的MCM-41多相催化剂MCM-41-Ni.利用X射线粉末衍射、氮气物理吸附脱附、红外光谱、热重、电感耦合等离子体原子发射光谱、元素分析和透射电镜等方法对催化剂进行了表征.以氧气为氧化剂,MCM-41-Ni在催化环氧化苯乙烯的反应中表现出较高的催化活性;苯乙烯的转化率为95.2%,环氧苯乙烷的选择性为66.7%.系统地研究了反应温度、催化剂用量、溶剂以及反应时间对反应性能的影响.催化剂经过4次循环仍然表现出较好的稳定性和催化活性.  相似文献   
8.
报道了大功率高亮度InGaAIP红光LED芯片的设计和工艺制备,实验芯片采用环形插指状电极。和传统的LED芯片相比较,环形插指状电极LED芯片电流扩展分布更均匀,而且更有利于与其它器件的集成。对制备好的芯片进行了I-V特性、光谱特性、光通量和光强的测量。芯片的电性能非常好,其开启电压VT为1.5V;当工作电压达到3V时,工作电流为500mA;在工作电流为350mA时,峰值波长为635nm,半峰全宽为16.4nm。光强为830mcd。在色度学测试中,色坐标为x=0.6943,y=0.3056,显色指数为18.4。因此可以得知高亮度大功率InGaAIP红光LED是未来LED作为普通照明光源应用的第一步,而且将会在科学研究和工业投资的很多应用领域中成为新的焦点。  相似文献   
9.
采用溶胶凝胶法,以三乙胺为氮源,制备氮和镧共掺杂的TiO2光催化剂.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对样品进行表征.以亚甲基蓝为目标降解物,在可见光下考察光催化剂的催化活性,结果表明0.8N/La/TiO2具有较好的催化活性,采用正交法对0.8N/La/TiO2催化亚甲基蓝进行工艺优化,影响亚甲基蓝降解的主次顺序为:时间>亚甲基蓝初始浓度>催化剂用量>反应温度,该反应的最佳工艺组合为时间(180 min)、催化剂用量(30 mg)、亚甲基蓝初始浓度(10 mg/L)、反应温度(30 ℃),在该条件下,亚甲基蓝的降解率达到79.3;,催化反应过程近似符合一级反应动力学方程.  相似文献   
10.
SiNx插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响   总被引:3,自引:2,他引:1  
系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量.利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度.此外,GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征.实...  相似文献   
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