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1.
基于自由电子激光(FEL)的太赫兹源具有高功率、高效率、波谱范围宽且连续可调、波束质量好等显著优点,目前是获得最高输出功率的方法。紧凑型太赫兹源使整体装置小型化,减少了装置成本和占用空间,但依然可以提供高功率、高品质的太赫兹波束,是一种便利可靠的用户装置。由于空间限制,FEL上的磁铁要尽可能地减小其尺寸,并仍能满足束流参数设计要求。本文设计的四极磁铁磁轭孔径与有效长度,其中2块是64 mm100 mm,另外3块是45 mm100 mm。这些四极磁铁的磁场梯度可以达到0.6~1.9 Tm-1。采用Poisson和Oprra-3D软件进行四极磁铁的二维和三维仿真计算,设计优化四极磁铁的结构,并测量了加工完成后的四极磁铁的磁场。  相似文献   
2.
质子束窗是C-ADS中隔离加速器的真空环境与靶的非真空环境的重要部件。质子束窗材料及其冷却介质造成的束流散射效应是造成束流在靶外损失的主要因素,由于质子束窗中的高能量沉积和高辐照效应,束窗的热力学计算显得尤为重要。计算结果表明:当质子束窗和散裂靶距离为1.5 m时,通过选取合理的结构参数,多管道型质子束窗结构可以将靶外束流损失控制在1%以内。束窗中总的应力,包括由于温度升高造成的热应力、冷却剂的静压,以及束窗两侧加速器真空与外部非真空环境的压强差造成的应力,可以有效控制在所用材料的许用应力之内。并通过计算讨论给出C-ADS中质子束窗的初步设计参数。  相似文献   
3.
合肥储存环相干谐波自由电子激光研究方法的改进   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 根据简单的计算模型,导出辐射能量谱形状因子和相干谐波辐射表达式,用此表达式讨论了不对称光学速调管的相干谐波辐射;对于合肥储存环相干谐波自由电子激光,提出了一个不对称光学速调管相干谐波辐射的研究方案,并且作了详细的计算,结果表明在较高的电子束能量下,调整光学速调管和外激光参数,使辐射段波荡器的辐射基波与外激光的二次谐波共振,进行相干谐波产生实验,能获得109量级相干加强因子。  相似文献   
4.
介绍了HLS(合肥光源)储存环注入系统建造与调试情况. 重点讨论了各种公差、公差判断及抑制措施, 经过改进与及仔细调整, 得到了平均累积速率2—6mA/s的日常运行水平, 最高累积流强400mA, 该系统已经稳定使用近两年, 在光源的运行中起到了重要作用.  相似文献   
5.
壳聚糖溶液pH对载细胞海藻酸钠-壳聚糖微胶囊性能的影响   总被引:8,自引:0,他引:8  
以激光共聚焦扫描显微镜为研究手段, 原位直观地考察了在不同pH条件下聚电解质膜的络合程度和蛋白扩散情况. 通过分析pH值对微胶囊膜性能的影响规律, 并结合不同种类细胞对环境pH的敏感特性, 确定了制备细胞培养用海藻酸钠-壳聚糖微胶囊的最佳pH值. 结果表明, 当壳聚糖溶液的pH值由3.50增加到6.50, 微胶囊膜的络合深度呈现高-低-高的趋势, 而微胶囊膜的膨胀性能呈现低-高-低的趋势, 模型蛋白通过微囊膜的扩散呈现低-高-低的趋势, 拐点均出现在pH=4.00和5.50处. 结合动物细胞及微生物细胞对环境pH耐受能力的考察, 确定制备微囊化动物细胞时, 微胶囊成膜反应溶液的最佳pH值为5.50; 制备微囊化大肠杆菌时, 反应溶液的最佳pH值为5.00; 制备微囊化酵母菌时, 反应溶液的最佳pH值为4.50.  相似文献   
6.
MOSFET调制器的实验研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
 介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。  相似文献   
7.
合肥电子储存环基本参数的测量   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 为了给改造后的合肥储存环留下参考数据,同时为了找到储存环存在的物理问题,储存环特性参数首次被系统测量,它们是动量扩张因子、色散函数、自然色品、校正色品和中心频率。  相似文献   
8.
通过对等离子体发生器建立三维模型,计算得到磁场在该装置中的分布情况。所得结果与实际测量基本一致,从而说明所建模型的合理性。通过调节一些参数,对该模型进一步搞清了导致等离子体发生器中真实磁场较实验设计要求偏低的主要原因,并提出了相应的改进方案。  相似文献   
9.
 介绍了合肥电子储存环新凸轨注入系统中将采用的超高真空陶瓷镀钛真空室的研制状况。对穿过真空室镀膜的脉冲磁场特性进行了理论分析与计算。讨论了不同的镀膜厚度及方式对脉冲磁场均匀性的影响,用跟踪程序计算了注入过程磁场径向不均匀性对束流轨道的扰动,给出了涡流引起的磁场径向不均匀性最大允许值。  相似文献   
10.
HT-7超导托卡马克进行DD等离子体放电时,中子的辐射与辅助加热射频波的类型(LHW加热、ICRF加热)及功率密切相关.利用BF33He正比计数管组成的快速时间分辨中子注量监测系统,研究了不同类型的射频加热对于中子产生机理及高能离子形成的影响.LHW加热功率较低时,易形成逃逸,产生大量的光中子.特定频率的ICRF(27 MHz,24 MHz)加热时,聚变中子所占份额以及总的中子产额均随波功率的增大而显著增涨. 关键词: 射频加热 中子 托卡马克  相似文献   
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