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速度和载荷对脂润滑2Cr13钢离子渗氮层摩擦学行为的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用销-盘式摩擦磨损试验机对不同速度和载荷条件下 PFPE脂润滑2Cr13钢离子渗氮层进行了系统的真空滑动摩擦磨损试验.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分别对磨损表面的形貌、化学状态及润滑脂的成分进行分析.结果表明:随着载荷和滑动速度的增加,脂润滑渗氮层的磨损机制由轻微磨损向轻微复合磨损机制转变.在真空摩擦磨损过程中2Cr13钢离子渗氮层与PFPE润滑脂发生化学反应,并有FeF3生成,促进PFPE润滑脂发生降解,形成酸性的氟化物.增加载荷和速度会加速渗氮层与润滑脂之间的反应,进一步促进润滑脂的降解. 相似文献
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The characteristic degradations in a silicon NPN bipolar junction transistor(BJT) of 3DG142 type are examined under irradiation with 40-MeV chlorine(Cl) ions under forward,grounded,and reverse bias conditions,respectively.Different electrical parameters are in-situ measured during the exposure under each bias condition.From the experimental data,a larger variation of base current(I B) is observed after irradiation at a given value of base-emitter voltage(V BE),while the collector current is slightly affected by irradiation at a given V BE.The gain degradation is affected mostly by the behaviour of the base current.From the experimental data,the variation of current gain in the case of forward bias is much smaller than that in the other conditions.Moreover,for 3DG142 BJT,the current gain degradation in the case of reverse bias is more severe than that in the grounded case at low fluence,while at high fluence,the gain degradation in the reverse bias case becomes smaller than that in the grounded case. 相似文献
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采用慢正电子湮没光谱研究低能质子辐照下ZnO白漆的光学退化。研究结果表明,随质子辐照注量的增加, 多普勒展宽谱的S参数逐渐减小,W参数逐渐增大。质子辐照下S-W参数拟合曲线的斜率发生改变。S参数的减小可以归结为锌空位含量的减少以及准正电子素的形成。准正电子素{单电离氧空位(捕获一个电子)+正电子}的形成,能够降低正电子湮没的速率,导致S参数减小。S参数的减小证实了质子辐照导致ZnO白漆中单电离氧空位数量的增加。S-W参数拟合曲线斜率的变化可以归结于质子辐照下双电离氧空位向单电离氧空位的转变。 相似文献
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石英玻璃低能质子辐照损伤动力学研究 总被引:2,自引:0,他引:2
地面模拟研究了JGS3光学石英玻璃在真空、热沉和能量低于200keV的低能质子辐照下表面光学性能变化的基本规律.并建立了辐照损伤色心演化的动力学唯象模型。试验结果表明.大通量低能质子辐照对石英玻璃表层具有明显的表面损伤效应。随着辐照吸收剂量的增加,光密度变化先以线性规律迅速增加.加进一步增加时逐渐呈现饱和趋势;采用较高能量辐照作用后光密度变化出现饱和趋势的拐点提前,且饱和数值降低。根据对试验结果的分析,建立了低能质子辐照下石英玻璃色心演化的动力学模型.并给出了光密度变化的表达式。采用模型结果进行数学模拟,模拟曲线与试验结果曲线相似。因此所建立的动力学模型可以用来定量描述低能质子辐照下石英玻璃光学性能随辐照吸收剂量的变化规律。 相似文献
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采用空间综合辐照设备对Kapton/Al薄膜进行了质子辐照地面模拟试验,选取质子能量90 keV,辐照通量5.0×1011 cm12·s-1。通过辐照前后光谱反射系数的变化考察了实验样品的光学性能退化特征。借助于反射光谱和紫外-可见吸收光谱和傅里叶转换红外光谱分析技术分析了辐照后Kapton/Al光学性能的退化机理。研究结果表明:辐照过程中样品表面发生了复杂的化学反应,随着辐照剂量的增加光能隙逐渐减小,Kapton吸收曲线的末端边缘发生红移并且在可见光区吸收强度增加。 相似文献
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本文针对GaAs/Ge太阳电池,利用位移损伤剂量法研究了其在轨服役条件下的性能退化行为.首先在地面模拟辐照环境中,试验获得了在不同能量的电子和质子辐照下的电池性能随辐照注量的退化行为.基于上述实验结果以及计算获得的带电粒子在电池中的非电离能量损失(NIEL)获得了不同能量电子辐照位移损伤的等效指数n为1.7,电子损伤剂量转化为质子损伤剂量等效系数为5.2,并进一步建立了电池性能随位移损伤剂量的退化方程.利用该方法对国产GaAs/Ge太阳电池在500,22000和36000 km轨道带电粒子辐
关键词:
GaAs/Ge太阳电池
辐照损伤
带电粒子
位移损伤剂量 相似文献
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Radiation effects on MOS and bipolar devices by 8 MeV protons,60 MeV Br ions and 1 MeV electrons 下载免费PDF全文
The radiation effects of the metal-oxide-semiconductor(MOS) and the bipolar devices are characterised using 8 MeV protons,60 MeV Br ions and 1 MeV electrons.Key parameters are measured in-situ and compared for the devices.The ionising and nonionising energy losses of incident particles are calculated using the Geant4 and the stopping and range of ions in matter code.The results of the experiment and energy loss calculation for different particles show that different incident particles may give different contributions to MOS and bipolar devices.The irradiation particles,which cause a larger displacement dose within the same chip depth of bipolar devices at a given total dose,would generate more severe damage to the voltage parameters of the bipolar devices.On the contrary,the irradiation particles,which cause larger ionising damage in the gate oxide,would generate more severe damage to MOS devices.In this investigation,we attempt to analyse the sensitivity to radiation damage of the different parameter of the MOS and bipolar devices by comparing the irradiation experimental data and the calculated results using Geant4 and SRIM code. 相似文献
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