基于非局部应变梯度理论功能梯度纳米板的弯曲和屈曲研究

以纳米机器人等智能器件中的功能梯度纳米板结构为研究对象,基于非局部应变梯度理论,研究了其弯曲和屈曲问题.推导了一般情况下的功能梯度纳米板运动方程,弯曲和屈曲作为其特例可简化而成.分析了非局部尺度参数、材料特征尺度参数、梯度指数、纳米板尺寸等对弯曲挠度和临界屈曲载荷的影响.结果表明:不同高阶连续介质力学理论下的最大挠度都随梯度指数的增大而增大,正方形纳米板挠度较小,且板厚越大,弯曲挠度越小;最大挠度随非局部尺度参数的增大而增大,随材料特征尺度参数的增大而减小.临界屈曲载荷随梯度指数的增大而减小,随板厚、长宽比的增大而增大,随非局部尺度的增大而减小,随材料特征尺度的增大而增大.非局部应变梯度高阶弯曲和屈曲中存在结构软化与硬化机制,两个内特征参数之间具有耦合效应,当非局部尺度大于材料特征尺度时,非局部效应在功能梯度纳米板力学性能中占主导作用;当材料特征尺度大于非局部尺度时,应变梯度效应占主导作用.解析结果还证明了当非局部尺度等于材料特征尺度时,非局部应变梯度理论结果退化为经典结果.     

稠密共振介质中近偶极-偶极相互作用的局域场效应

为研究存在由近偶极-偶极相互作用诱导的局域场效应时超短强激光脉冲与稠密共振介质相互作用的特性,采用光与物质相互作用的半经典理论,建立了稠密二能级体系中考虑原子间近偶极-偶极相互作用的修正光学Bloch方程,并用四阶Runge-Kutta法数值求解了该方程。研究结果表明:局域场效应对稠密二能级体系中Bloch矢量的瞬态相干过程和稳态性质都具有强烈的调制作用。并由此提出了调控稳态粒子数布居的两种方案。     

微生物铁氧化还原作用对水中砷锑去除影响的研究进展

砷锑污染在全球领域广泛存在,与常规的铁氧化物相比,微生物铁氧化生成的含Fe(Ⅲ)矿物对水中砷/锑(As/Sb)具有更强的吸附能力,并因其高效、实用和环境友好而具有广阔的应用前景,但微生物铁还原也可能导致被吸附的As/Sb再次释放。本文综述了微生物铁氧化还原作用对As/Sb去除影响的研究进展,归纳了铁矿物“合成-溶解-转化”的微生物循环过程以及该循环伴随的水中As/Sb固定、溶解与转化机理,整合了微生物合成Fe(Ⅲ)矿物的矿物学性质、对As/Sb固定的热动力学规律和络合机制,总结了微生物合成Fe(Ⅲ)矿物对As/Sb去除的影响因素,基于该研究的现存问题展望了利用微生物铁氧化还原作用去除As/Sb的发展方向。     

Measuring stellar populations,dust attenuation and ionized gas at kpc scales in 10010 nearby galaxies using the integral field spectroscopy from MaNGA

As one of the three major experiments of the fourth-generation Sloan Digital Sky Survey(SDSS-IV), the Mapping Nearby Galaxies at Apatch Point Observatory(MaNGA) survey has obtained high-quality integral field spectroscopy(IFS)with a resolution of 1–2 kpc for ¹0⁴galaxies in the local universe during its six-year operation from July 2014 through August 2020. It is crucial to reliably measure the physical properties of the different components in each spectrum before one can u...     

基于两步退火法提升Al/n~+Ge欧姆接触及Ge n~+/p结二极管性能

锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n~+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10~(-6)Ω·cm~2,Ge n~+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×10~6,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.     

Improved performance of Au nanocrystal nonvolatile memory by N_2-plasma treatment on HfO_2 blocking layer

The N_2-plasma treatment on a HfO_2 blocking layer of Au nanocrystal nonvolatile memory without any post annealing is investigated. The electrical characteristics of the MOS capacitor with structure of Al–Ta N/HfO_2/Si O2/p-Si are also characterized. After N_2-plasma treatment, the nitrogen atoms are incorporated into HfO_2 film and may passivate the oxygen vacancy states. The surface roughness of HfO_2 film can also be reduced. Those improvements of HfO_2 film lead to a smaller hysteresis and lower leakage current density of the MOS capacitor. The N_2-plasma is introduced into Au nanocrystal(NC) nonvolatile memory to treat the HfO_2 blocking layer. For the N_2-plasma treated device, it shows a better retention characteristic and is twice as large in the memory window than that for the no N_2-plasma treated device. It can be concluded that the N_2-plasma treatment method can be applied to future nonvolatile memory applications.     

具有变号非线性项的奇异二阶三点边值问题的三个非零正解

该文研究一类具有变号非线性项的奇异二阶三点边值问题多个正解的存在性. 运用Leggett-Williams不动点定理在$f$满足一定的增长条件下, 获得了至少三个非零正解存在的结果.     

采用AI／TaN叠层电极提高Si基GePIN光电探测器的性能

金属与Ge材料接触由于存在强烈的费米钉扎效应,导致金属电极与n型Ge接触引入较大的接触电阻,限制了si基Ge探测器响应带宽．本文报道了在SOI衬底上外延Ge单晶薄膜并制备了不同台面尺度的GePIN光电探测器．对比了电极分别为金属Al和A1／TaN叠层的具有相同器件结构的SOI基GePIN光电探测器的暗电流、响应度以及响应带宽等参数．发现在Al与Ge之间增加一薄层TaN可有效减小n型Ge的接触电阻,将台面直径为24um的探测器在1．55um的波长和-1V偏压下的3dB响应带宽提高了4倍．同时,器件暗电流减小一个数量级,而响应度提高了2倍．结果表明,采用TaN薄层制作金属与Ge接触电极,可有效钝化金属与Ge界面,减轻费米钉扎效应,降低金属与n-Ge接触的势垒高度,因而减小接触电阻和界面复合电流,提高探测器的光电性能．     

碳青霉烯类抗生素亲水作用色谱方法研究及其应用

建立了测定人尿液和自来水中4种碳青霉烯类抗生素(比阿培南、美罗培南、多利培南和厄他培南)的亲水作用色谱方法,所用流动相具有较好的质谱兼容性,可用于色谱-质谱联用。以XAmide为色谱柱,考察了乙腈比例、缓冲盐浓度和pH值对4种抗生素保留的影响,提出了可能的保留机理;所发展的方法对目标样品具有良好的线性响应:比阿培南、多利培南和厄他培南的线性范围为0.1~250 mg/L, R²=0.9999;美罗培南的线性范围为0.5~250 mg/L, R²=0.9998; 4种抗生素的定量限(LOQ)为0.1~0.5 mg/L。尿液样品和自来水样品在5 mg/L和25 mg/L两个水平的加标回收率分别为100.4%~111.9%和79.6%~107.4%,相对标准偏差(RSD)分别不大于1%和5%。该方法准确、灵敏、简便,可用于人尿液和自来水中多种碳青霉烯类抗生素的检测。     

Cr,Tm:YAG晶体中的能量转移

通过对Cr:YAG、Tm:YAG和Cr,Tm:YAG晶体吸收光谱和发射光谱的比较,研究了Cr,Tm:YAG晶体中的能量转移过程.指出Cr3+→Tm3+能量转移过程中,无辐射能量转移占绝对优势.