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1.
固态聚合物电解质是发展柔性全固态锂离子电池的核心,但是目前室温离子电导率低限制了其应用.本研究以热聚合方法制备石墨相氮化碳(g-C_3N_4),并将其与聚氧化乙烯/高氯酸锂(PEO/LiClO_4)共混制备复合聚合物固态电解质.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、差示扫描量热仪(DSC)和电化学工作站对复合聚合物电解质膜进行表征.结果表明,通过120℃退火-淬冷热处理及复合聚合物电解质内部的相互作用,可以较大程度抑制PEO的结晶,从而使该复合聚合物固态电解质膜的离子电导率在25℃时达到2.4×10~(-5)S cm~(-1),提高了3个数量级.  相似文献   
2.
为了解决微通道板噪声因子的测量问题,提出了一种测量像增强器光电阴极灵敏度和信噪比,从而测量出微通道板噪声因子的方法 .根据该方法,分别在不同阴极电压、微通道板电压以及阳极电压条件下测量了微通道板的噪声因子.测量结果表明,当阴极电压、微通道板电压以及阳极电压分别变化时,微通道板的噪声因子会随之变化.微通道板电压对噪声因子的影响最大,阳极电压的影响最小.微通道板电压每增加100 V,噪声因子大约增加0.11,而阳极电压每增加100 V,噪声因子大约增加3.3×10-4.微通道板工作电压提高,意味着电子碰撞能量提高,同时也意味着二次电子发射系数提高,而根据现有微通道板噪声理论,微通道板的噪声因子会减小,但实测结果却相反.造成这一矛盾的原因是在现有微通道板噪声理论中,仅仅考虑了二次电子发射系数、探测率、电子碰撞几率的因数,而未考虑到电子碰撞能量的因数,因此噪声理论需要进行修正.  相似文献   
3.
为了进一步研究Banach格上算子的性质,受b-序有界集和Dunford-Pettis集定义的启发,给出了b-Dunford-Pettis算子的定义,研究了该算子与b-AM-紧算子(Dunford-Pettis全连续算子,弱极限算子,序Dunford-Pettis算子)间的关系;利用b-Dunford-Pettis算子与Dunford-Pettis算子的共轭关系,证明了b-Dunford-Pettis算子满足控制性.  相似文献   
4.
利用三维电磁场仿真软件计算工作频率为8.3~8.6GHz的低温极化器初始尺寸,并通过热分析软件提取低温环境下极化器产生的结构变形量,进而采用结构参数补偿的方式,确定低温隔板极化器结构尺寸。测试结果表明,研制的低温极化器在8.3~8.6GHz频段内,实现了线圆极化信号间的极低噪声转换。  相似文献   
5.
对A光源分别进行550 nm、625 nm以及675 nm的短波截止,对比测量了超二代和三代像增强器的光谱响应、阴极灵敏度、增益、分辨力以及信噪比。在10-1lx照度条件下,当对A光源进行675 nm的短波截止之后,三代像增强器的分辨力未出现下降,而超二代像增强器的分辨力却下降到初始值的94%;但在10-4lx照度条件下,当对A光源进行675 nm的短波截止之后,三代像增强器的分辨力下降到初始值的90%,而超二代像增强器的分辨力下降到初始值的85%。但信噪比越高的像增强器,分辨力降低的比例越低。对于超二代和三代像增强器而言,如果在A光源条件下的性能参数相同,但在不同的短波截止条件下使用时,其性能并不相同,三代像增强器的性能更好。尽管超二代像增强器在不同短波截止波长条件下性能参数下降的比例较三代像增强器下降的比例高,但差距并不大,因此使用过程中的性能差距也不大。  相似文献   
6.
谢航  李娇娇  王小勇  伍斌  夏茹  陈鹏  钱家盛 《高分子学报》2021,(4):399-405,I0004
生物基尼龙(PA56)源于天然产物,具有优良的环保性能和广阔应用前景,有望替代传统的石油基尼龙材料.为了开发基于PA56的导热材料,利用分子动力学模拟研究方法探索了石墨烯/PA56复合材料界面热阻的影响因素.首先,利用实验测试商用PA56样品的玻璃化转变温度(Tg)和导热系数(Tc),验证了PA56模型的模拟参数.接着,通过设计和比较不同表面改性状态对石墨烯/PA56复合材料的界面热阻的影响规律,最后,为了降低界面改性的难度,设计了一种新型的二嵌段共聚物作为石墨烯/PA56复合体系的界面改性剂,研究了界面改性剂的结构对界面热阻的影响规律.研究结果对于实验研究制备生物基尼龙导热复合材料具有重要的参考价值.  相似文献   
7.
首先,给出了剩余交半格的概念,通过对其性质的研究,证明了剩余交半格中的所有正则元构成的集合是交半格,并举例说明了剩余交半格中的所有正则元构成的集合不是剩余交半格;其次,证明了满足剩余交换律:x?(x→y)=y?(y→x)的正则剩余交半格是Wajsberg代数;最后,由剩余交换律:x?(x→y)=y?(y→x)得出了L是满足剩余交换律的MTL代数当且仅当L是BL代数。  相似文献   
8.
采用对比测量方法研究了微通道板结构参数,即开口比、板厚、电极深度、离子阻挡膜、输入增强膜对其噪声因子的影响。结果表明,开口比增大,噪声因子减小;板厚增加,噪声因子增加;输入电极深度增加,噪声因子增加;离子阻挡膜会增加噪声因子;输入增强膜会降低噪声因子。其中,离子阻挡膜对噪声因子的影响最大,板厚对噪声因子的影响最小。微通道板的结构参数不仅对噪声因子产生影响,而且对其他参数,如增益、均匀性等性能均会产生影响。要降低微通道板噪声因子,比较可行的方法是将微通道板的开口比提高到68%,在此基础上,再在微通道板的输入端制作一层高二次电子发射系数的MgO2输入增强膜,使微通道板的噪声因子接近1,从而达到理想微通道板的水平。  相似文献   
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