关于交半格同态构成的函数空间与FS-交连续Domain

定义了一类序结构-FS-交连续domain,讨论其相关性质并证明:(1)FS-交连续domain关于由Scott连续且保持非空有限交运算的函数构成的函数空间封闭,以(代数)FS-交连续domain为对象、以Scott连续函数为态射的范畴是Cartesian闭范畴;(2)任意分配可乘的有界完备domain是FS-交连续domain,从而紧连续dcpo的Smyth幂domain是FS-交连续domain.这些结果表明,FS-交连续domain是关于保非空有限交的连续映射构成的函数空间封闭的最恰当序结构.     

论《中学数学教学论》课程内容与教学方法的改革

指出了《教学论》课及实习工作中存在的一些主要问题，阐述了《教学论》课程内容改革的一些设想和教学方法的改革的一些实践经验。     

溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究

用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.     

移动加热器法生长CdMnTe晶体的性能研究

采用垂直布里奇曼法(VB)生长CdMnTe晶体,由于生长温度高、堆垛层错能低、热应力大等因素,晶体中存在大量孪晶、杂质、夹杂相等,限制其在核辐射探测器方面的应用.为了提高晶体的质量,本文采用移动加热器法(travelling heater method,THM)生长CdMnTe晶体,对该方法生长的晶体中Mn的轴向分布、杂质浓度、Te夹杂和电学性能进行测试分析,并与VB法生长的晶体作对比.结果表明THM法生长的CdMnTe晶体中Mn的轴向分布均匀,杂质浓度低于VB法制得的晶体,Te夹杂的尺寸5～25 μm,浓度105 cm-3,电阻率为109～1010Ω·cm,导电类型为弱n型,制备的探测器在室温下对241Am放射源有能谱响应.实验表明THM法生长的CMT晶体在晶体质量和电学性能方面明显优于VB法.     

从一道高考试题的开放性教学看数学美

这样出题既照顾那些能力不强的学生正确算出答案7／3，但能力强的学生在计算前三个函数值后，就用先猜后证的数学思想进行归纳的合情推理如下：     

磷钨酸在吲哚与磺酰亚胺Friedel-Crafts反应中的应用

以磷钨酸为催化剂,成功催化了吲哚与磺酰亚胺的Friedel-Crafts反应,并合成了一系列双吲哚甲烷衍生物.研究结果显示,10 mol%磷钨酸能够很好地催化此反应,收率达到97%.所合成的双吲哚甲烷衍生物的结构经核磁共振谱和X射线单晶衍射确定.     

裂解吸热反应对乙烷超临界传热的影响

本文对圆管内超临界状态下乙烷的湍流传热过程进行了数值模拟,分析了乙烷高温裂解对壁面热流密度、平均温度以及对流换热Nusselt数的影响。计算结果表明:考虑乙烷高温裂解吸热反应,管内平均温度会降低,出口处温度降低可达135 K;壁面热流密度则会显著增加,热出口处可增加近2倍;热裂解反应改善了超临界对流换热效果,Nusselt数可提高约20%。在本文计算条件下,经典的对流换热关系式可准确适用于不考虑热裂解反应的情况,而对于考虑裂解吸热反应的超临界乙烷传热情况则误差较大。     

具有偏差变元的Liénard型方程的周期解

本文利用重合度理论研究了一类具偏差变元的Liénard型方程x″(t) f_1(t,x(t))|x′(t)|~2 f_2(t,x(t),x(t-τ_0(t)))x′(t) g(t,x(t-τ_1(t)))=p(t)获得了该方程存在ω-周期解的若干新结论,改进和推广了已有文献中的相关结果．     

新型双席夫碱类化合物的合成及晶体结构

用2-苯基-1,2,3-三唑基-4-甲醛、喹喔啉基-2-甲醛和2-(4-溴苯基)-1,2,3-三唑基-4-甲醛为原料, 在冰醋酸的条件下分别与二胺反应, 合成了一系列新的双席夫碱5a～5d, 6a～6d和7a～7d. 目标化合物的结构经元素分析, IR, 1H NMR, MS, X射线确证. 同时测定了化合物6c的晶体结构. 其属于单斜晶系, C2/c空间群, 晶胞参数 a＝1.7670(4) nm, b＝0.48001(10) nm, c＝1.1751(2) nm, α＝90.00°, β＝94.42(3)°, γ＝90.00°, V＝0.9937(4) nm3, Dc＝1.399 g/cm3, Z＝2, F(000)＝436, μ＝0.089 mm－1, R＝0.0413, wR＝0.1067. 初步生物活性筛选结果表明, 目标化合物6b在Vero细胞上有抗疱疹病毒I型活性.     

Investigation of transport properties of perovskite single crystals by pulsed and DC bias transient current technique

Time-of-flight (ToF) transient current method is an important technique to study the transport characteristics of semiconductors. Here, both the direct current (DC) and pulsed bias ToF transient current method are employed to investigate the transport properties and electric field distribution inside the MAPbI$_{3}$ single crystal detector. Owing to the almost homogeneous electric field built inside the detector during pulsed bias ToF measurement, the free hole mobility can be directly calculated to be about 22 cm$^{2}\cdot$V$^{-1}\cdot$s$^{-1}$, and the hole lifetime is around 6.5 μs-17.5 μs. Hence, the mobility-lifetime product can be derived to be $1.4\times 10^{-4}$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}$-$3.9\times 10^{-4}$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}$. The transit time measured under the DC bias deviates with increasing voltage compared with that under the pulsed bias, which arises mainly from the inhomogeneous electric field distribution inside the perovskite. The positive space charge density can then be deduced to increase from 3.1$\times10^{10}$ cm$^{-3}$ to 6.89$\times 10^{10}$ cm$^{-3}$ in a bias range of 50 V-150 V. The ToF measurement can provide us with a facile way to accurately measure the transport properties of the perovskite single crystals, and is also helpful in obtaining a rough picture of the internal electric field distribution.