首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   23篇
  免费   24篇
  国内免费   3篇
化学   7篇
力学   1篇
综合类   7篇
数学   4篇
物理学   31篇
  2023年   1篇
  2022年   4篇
  2020年   1篇
  2017年   1篇
  2016年   6篇
  2015年   5篇
  2014年   5篇
  2013年   4篇
  2012年   5篇
  2011年   4篇
  2010年   4篇
  2009年   1篇
  2006年   2篇
  2004年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1982年   1篇
排序方式: 共有50条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
为了研究局部凸起对边界层转捩的影响,采用转捩SST模型分别对亚临界、临界和超临界状态下带突起的圆柱绕流问题进行了数值模拟,分析了不同Reynolds数下带突起的圆柱绕流问题的近壁面流动特征以及表面时均压力与摩擦力系数的分布和凸起对圆柱表面流动分离以及转捩的影响,对比了有无凸起两侧圆柱表面时均压力、摩擦力系数的不同. 结果表明:当来流Reynolds数处于临界区时,气流在圆柱上表面凸起处形成了3个反向旋转的漩涡,之后随着θ的增大,发生了流动分离和流动转捩现象;对于不同Reynolds数下的来流,圆柱上表面的凸起可以使气流发生转捩的位置提前;圆柱上表面的凸起使流速增大、压强降低,从而导致圆柱产生升力,随着来流Reynolds数的增大,其升力逐渐变大.   相似文献   
2.
周航  崔江维  郑齐文  郭旗  任迪远  余学峰 《物理学报》2015,64(8):86101-086101
随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子.  相似文献   
3.
郑齐文  崔江维  王汉宁  周航  余徳昭  魏莹  苏丹丹 《物理学报》2016,65(7):76102-076102
对0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)及静态随机存储器(SRAM)开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究. 结果表明: 在相同累积剂量, SRAM的低剂量率辐照损伤要略大于高剂量率辐照的损伤, 并且低剂量率辐照损伤要远大于高剂量率辐照加与低剂量率辐照时间相同的室温退火后的损伤. 虽然NMOSFET 低剂量率辐照损伤略小于高剂量率辐照损伤, 但室温退火后, 高剂量率辐照损伤同样要远小于低剂量率辐照损伤. 研究结果表明0.18 μm CMOS工艺器件的辐射损伤不是时间相关效应. 利用数值模拟的方法提出了解释CMOS器件剂量率效应的理论模型.  相似文献   
4.
以N-Boc苏氨醛为起始原料,经Wittig、Meisenheimer重排和催化氢化系列反应,不对称合成了天然产物三尖杉酯碱的侧链酸,中间体及目标产物结构经核磁共振(1 H NMR、13 C NMR)、红外光谱和质谱表征.结果表明,所用合成方法具有产率高、反应条件温和、操作简单等优点;目标化合物的总收率达30%.  相似文献   
5.
周航  屈绍波  彭卫东  王甲富  马华  张介秋  柏鹏  徐卓 《中国物理 B》2012,21(3):30301-030301
Based on the substrate integrated waveguide technology,we present a dual-band frequency selective surface(FSS) with a quasi-elliptic bandpass response.The characteristics of the quasi-elliptic bandpass response are realized by shunting two substrate integrated waveguide cavities of different sizes,with the same slots on both sides of the metal surfaces.Four cavities of different sizes and two slots of different sizes are used to design the novel FSS.Every bandpass response with sharp sidebands is induced by two transmission nulls that are generated by the coupling between the slot aperture resonance and the cavity resonance.The simulation results show that such dual-band FSS has the advantages of high selectivity and stable performance at different oblique incident angles.Moreover,it is easy to fabricate.  相似文献   
6.
椭圆形孔扩张弹性分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
圆孔扩张理论作为一种相对成熟的理论工具已经广泛运用于岩土工程中的各类问题,但是对于初始孔为椭圆孔的扩孔问题,圆孔扩张理论并不适用.基于保角变换的方法将原物理平面上初始椭圆孔洞的外部映射到像平面上的单位圆外部,将原物理平面上由于椭圆孔洞扩张所产生的位移边界条件转换到像平面上,利用平面复变弹性理论,得到初始椭圆形孔洞孔扩张的弹性解.将论文椭圆孔扩张的退化解与传统圆孔扩张的弹性解进行对比分析,验证椭圆孔扩张弹性解的正确性.续而,针对一算例详细分析了椭圆孔扩张的弹性力学特性.研究结果表明,椭圆孔的退化解与传统的圆孔扩张弹性解完全一致,椭圆孔在弹性扩张过程中长轴方向比短轴方向较难扩张,长轴方向需要的扩张压力比短轴方向的要大.此外,当扩张率a2/a1=0.11/0.1=1.1时,扩张的影响半径为10倍的孔径左右.  相似文献   
7.
<正>Cr ion implantations in glass with the different doses of D=1.493×10~(17) and 4.976×10~(17) ion/cm~2 are obtained by metal vapor vacuum arc(MEVVA).The effects of the different Cr ion implanted doses on terahertz(THz) transmission property are analyzed from THz time-domain spectroscopy.The results show that the more the Cr ion implanted dose in the micro-area implantation glasses,the larger the THz transmission except the larger absorption at 0.24 THz.This is an effect attributed to the coupling of plasmas on both the implantation and the implantation affected zones of the Cr ion implantation glass.  相似文献   
8.
周航  蒋轲  高雷 《物理通报》2017,36(4):73-75
在中考物理压轴题中, 经常会出现情景分析题, 题目结合一定的数学知识, 这样不仅使题既有新颖性 又有趣味性, 而且也考查了学生对交叉学科综合分析的能力. 因此, 怎样将数学知识贯穿到物理课堂中, 是值得每 位物理教师思考的问题  相似文献   
9.
由n次幂等矩阵确定的交换幺半群   总被引:1,自引:0,他引:1  
设R是含幺结合环,n≥2为自然数.对所有的k≥1,本文给出了n次幂等矩阵集Pk^n(R)={P|P^n=P∈Mk(R)}上的一种等价关系,证明了P^n(R)=∪k=1^∞Pk^n(R)中的等价类在给定的加法运算下构成一个交换幺半群.  相似文献   
10.
地方建筑作为一种文化遗产,具有较高的精神和经济价值以及深远的历史意义.当前,由于人们忽视地方建筑的价值,造成地方建筑资源的衰败.对如何正确保护地方建筑这一个重要课题进行了系统的总结和论述.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号