基于解释结构模型的大学生就业影响因素分析

针对大学生就业率低的问题,构建大学生就业评价指标体系,利用解释结构模型的实用化方法对大学生就业影响因素进行了分析,并构建大学生就业影响因素的解释结构模型.根据解释结构模型层次化处理结果,分析各个因素之间的联系,将大学生就业影响因素分为四个层次,明确大学生就业影响因素的层次结构关系,找出导致大学生就业率低的最直接因素和最根本因素.     

Au/SrTiO3/Au界面电阻翻转效应的低频噪声分析

本文研究了Au/SrTiO₃/Au三明治结构中的双极电阻翻转效应, 观察到高、低阻态的电阻弛豫现象. 低频噪声测量表明高、低阻态的电阻涨落表现出1/f行为. 对比试验表明, 高阻态的低频噪声来源于反向偏置肖特基势垒和氧空位的迁移, 强度较大, 低阻态的噪声则源于类欧姆接触底电极区域的氧空位迁移导致的载流子涨落, 强度较低. 同时, 界面上氧空位浓度的弛豫导致了高、低阻态的弛豫过程. 关键词： 电阻翻转效应 低频噪声 氧空位     

非相对论Chern-Simons多涡旋解的拓扑结构(英文)

运用规范势分解理论研究了Jackiw Pi模型中的自对偶方程, 得到一个新的自对偶方程, 发现了Chern Simons多涡旋解与拓扑荷之间的联系。为了研究Jackiw Pi模型多涡旋解的拓扑性质, 构造了一个新的静态自对偶Chern Simons多涡旋解,每个涡旋由5个实参数描述。 2个实参量用来描述涡旋的位置, 2个实参量用来描述涡旋的尺度和相位, 还有一个实参量描述涡旋的荷。 为了研究拓扑数对涡旋形状的影响, 给出了具有不同拓扑数的多涡旋解。 另外还研究了该涡旋解的磁通量的拓扑量子化。     

Jackiw-Pi模型的新涡旋解

运用φ映射拓扑流理论研究了Jackiw-Pi模型中的自对偶方程，得到一个静态的自对偶解满足带有δ函数项的刘维尔方程, 从而得到了一个完整的带有拓扑信息的涡旋解,自然给出了磁通量子化.     

非相对论Chern-Simons多涡旋解的拓扑结构

运用规范势分解理论研究了Jackiw-Pi模型中的自对偶方程,得到一个新的自对偶方程,发现了Chern-Simons多涡旋解与拓扑荷之间的联系。为了研究Jackiw-Pi模型多涡旋解的拓扑性质,构造了一个新的静态自对偶Chern-Simons多涡旋解,每个涡旋由5个实参数描述。2个实参量用来描述涡旋的位置,2个实参量用来描述涡旋的尺度和相位,还有一个实参量描述涡旋的荷。为了研究拓扑数对涡旋形状的影响,给出了具有不同拓扑数的多涡旋解。另外还研究了该涡旋解的磁通量的拓扑量子化。     

基于AHP-DEMATEL法的权重计算方法研究

权重是重要程度的体现形式,常用于系统评价过程.AHP就是一种将定性问题定量化,既简单又灵活的权重计算方法,但将复杂问题简单化会常常忽略因素之间的相互影响,可能造成结果的偏差.围绕系统评价中权重计算问题,提出了改进的AHP-DEMATEL的方法,通过计算初始权重和影响度、被影响度,并将被影响度融入到影响权重中,从而获得综合权重.方法不仅考虑了各风险因素在风险指标系统中对上层指标的作用,而且考虑了风险因素之间的依存关系避免单个专家意见的局限性,也降低了信息过渡使用所带来的评价误差.将改进后的方法用于物流信息集成风险的因素关系分析的实例,实证表明,改进方法在物流信息集成风险分析中的应用不仅简化了计算过程而且更加逼近现实情况,为决策者提供更为科学、准确的决策依据.     

The influence of interfacial barrier engineering on the resistance switching of In₂O₃:SnO₂/TiO₂/In₂O₃:SnO₂ device

The I–V characteristics of In2O3:SnO2/TiO2/In2O3:SnO2 junctions with different interfacial barriers are inves- tigated by comparing experiments. A two-step resistance switching process is found for samples with two interfacial barriers produced by specific thermal treatment on the interfaces. The nonsynchronous occurrence of conducting filament formation through the oxide bulk and the reduction in the interfacial barrier due to the migration of oxygen vacancies under the electric field is supposed to explain the two-step resistive switching process. The unique switching properties of the device, based on interfacial barrier engineering, could be exploited for novel applications in nonvolatile memory devices.     

基于粗糙集的有实践环节课程考核体系的研究与实践

以培养应用型人才为导向,一些在教学过程中实践环节占很大比例的课程逐渐在应用型本科院校开设,目前的课程考核体系并不完全适用于此类课程.以河北科技大学信息管理系有实践环节课程考核方法改革为例,在分析其目前教学考核方法的现状及存在问题的基础上,充分考虑学生学习过程和综合能力的影响,建立起以能力测评为核心、过程考核与结果考核相结合的开放式多元化课程评价指标体系,并采用粗糙集理论确定了各级评价指标的权重.教学实践结果表明,新的考核方法能充分调动学生学习的积极性和主动性,有效增强了教学效果,提高了应用型人才培养的质量.     

The influence of interfacial barrier engineering on the resistance switching of In2O3：SnO2/TiO2/In2O3：SnO2 device

The I-V characteristics of In2O3：SnO2/TiO2/In2O3：SnO2 junctions with different interracial barriers are inves- tigated by comparing experiments. A two-step resistance switching process is found for samples with two interfacial barriers produced by specific thermal treatment on the interfaces. The nonsynchronous occurrence of conducting filament formation through the oxide bulk and the reduction in the interracial barrier due to the migration of oxygen vacancies under the electric field is supposed to explain the two-step resistive switching process. The unique switching properties of the device, based on interracial barrier engineering, could be exploited for novel applications in nonvolatile memory devices.     

Topological structure of the solitons solution in SU（3） Dunne-Jackiw-Pi-Trugenberger model

By using C-mapping topological current theory and gauge potential decomposition, we discuss the self-dual equation and its solution in the SU（N） Dunne-Jackiw-Pi-Trugenberger model and obtain a new concrete self-dual equation with a δ function. For the SU（3） case, we obtain a new self-duality solution and find the relationship between the soliton solution and topological number which is determined by the Hopf index and Brouwer degree of C-mapping. In our solution, the flux of this soliton is naturally quantized.