电子功能外延薄膜的电沉积

电沉积作为一种在温和条件下从溶液中合成材料的技术已被广泛应用于在导体和半导体基底表面合成各种功能材料。电沉积一般由人为施加于基底的电刺激（如：施加电位/电流）来触发。这种电刺激通过氧化或还原靠近基底表面的溶液层内部的离子、 分子或配合物从而使该溶液层偏离其热力学平衡状态,随后引起目标产物在基底表面的沉积。在电沉积过程中, 许多实验参数都可能从不同的方面对沉积物的物化性质造成影响。迄今为止,已通过电沉积制备出多种单质（包括金属和非金属单质）、 化合物（例如：金属氧化物、金属氢氧化物、 金属硫化物等）以及复合材料。电沉积制备的这些材料大多为多晶、 织构或外延薄膜的形式。其中, 外延薄膜是一种具有特定的面外和面内晶体生长取向且其晶体取向受基底控制的类单晶薄膜。由于外延薄膜中高度有序的原子排列,它们常呈现出独特的电磁性质。本文总结了常见的电沉积合成路线及影响沉积物外延生长的关键实验因素。此外, 本文简要介绍了用于表征外延薄膜的技术。最后, 本文还讨论了一些采用电沉积制备的具有特殊电子、 电磁及光电特性的功能外延薄膜。     

Banach空间中关于(H,η)-增生算子的一类新变分包含组问题(英文)

In this paper,we first introduce a new class of generalized accretive operators named(H,η)-accretive in Banach space.By studying the properties of(H,η)-accretive,we extend the concept of resolvent operators associated with m-accretive operators to the new (H,η)-accretive operators.In terms of the new resolvent operator technique,we prove the existence and uniqueness of solutions for this new system of variational inclusions.We also construct a new algorithm for approximating the solution of this system a...     

含k-次增生算子的Ishikawa迭代的收敛性问题

主要研究了非线性方程x Tx=f的Ishikawa迭代解．其中T为k-次增生的或增生的，并在一致光滑和任意的实Banach空间分别研究了上述方程的带误差的Ishikawa迭代解，从而推广了已知的一些结果。     

一类广义变分不等式组的隐迭代算法

依赖于投影映射的性质,许多学者在Hilbert空间研究了具不同映射的变分不等式组解的逼近问题,但在Banach空间的研究比较少.其主要原因是因为在Banach空间投影映射缺乏很好的性质.本文利用向阳非扩张保核映射(the sunny nonexpansiveretraction mapping)Q_K的性质,导出了一种隐迭代方法.用这一方法,本文的结果把[M.A.Noor,K.I.Noor,Projection algorithms for solving a system of generalvariational inequalities,Nonlinear Analysis,70(2009)2700-2706]的主要成果从Hilbert空间推广到了Banach空间.     

集值变分包含的投影算法

A class of set-valued variational inclusions in Banach spaces and the convergence of the iterative algorithms are all studied in this paper.Moreover,the convergence and applications of projection algorithm to set-valued variational inclusions in Hilbert are also introduced.Many conclusions are generalized and improved.     

有限个广义渐近非扩张映射具误差的复合隐迭代过程

在一致凸Banach空间研究了一个新的有限个广义渐近非扩张映射具误差的复合隐迭代过程.利用空间满足Opial条件和算子满足半紧性条件,我们证明了这个隐迭代过程强、弱收敛于有限个广义渐近非扩张映射的公共不动点.这些结果是目前所得成果的完善和推广.     

可数个非扩张映射族公共不动点的收敛

利用投影算子方法提出了一种新的迭代序列,并且证明了该迭代序列在N ST-条件下收敛到可数多个非扩张映射族的公共不动点和变分不等式的解,此结果推广并改进了一些相关结论.     

两亲性Ti-V-β沸石的制备及其相界面催化反应性能的研究

采用三甲基氯硅烷(TMS)和正十八烷基三氯硅烷(OTS)对Ti-V-β沸石样品进行表面修饰,制备出了两亲性TMS-Ti-V-β和OTS-Ti-V-β沸石,通过XRD,FTIR,UV-Vis,SEM和低温氮气吸附-脱附等手段对样品进行了表征。同改性前样品相比,两亲性Ti-V-β沸石骨架未遭破坏,只是晶貌发生了一些改变。其BET比表面积和BJH孔容均稍有下降(Ti-V-β为428 m²·g^-1和0.54 cm³·g^-1, TMS-Ti-V-β为382 m²·g^-1和0.40 cm³·g^-1, OTS-Ti-V-β为290 m²·g^-1和0.28 cm³·g^-1)。这类两亲性沸石能分布于水、油两相界面处,在不加共溶剂及静置的反应条件下,对环己烯水化的相界面反应表现出优良的催化活性( 环己烯的水合率和环己醇的选择性分别为: Ti-V-β 0.61%和76%、OTS-Ti-V-β 2.01%和90%、TMS-Ti-V-β 7.35%和95%)。可以看出,三甲基氯硅烷改性后的TMS-Ti-V-β沸石在相界面催化反应中,具有比改性前高得多的活性。     

Banach 空间中极大单调算子扰动的值域

设X为实Banach空间, T:D(T)(?)X→2X*为极大单调算子, C: D(T)(?)X→X*为有界算子(未必连续),而C(T+J)-1为紧算子．本文在上述假设条件下,通过附加一定的边界条件应用Leray-Schauder度理论研究了下述包含关系:0∈(T+C)(D(T)∩ BQ(0)),0∈(T+C)(D(T)∩ BQ(0));以及S(?)R(T+C), intS(?)intR(T+C)(其中S(?) X*);B+D(?)R(T+C),int(B+D)(?)intR(T+C)(其中 B(?)X*,D(?)X*)的可解性,得出了一些新的结论．     

带误差的非扩张映象及强伪压缩映象的Ishikawa迭代序列的收敛性

主要研究了带误差的非扩张映象及强伪压缩映象的Ishikawa迭代序列的收敛性问题，推广了已知的相关结果。