121Sb穆斯堡尔同质异能移研究

本文从理论上研究¹²¹Sb的穆斯堡尔同质异能移,从能带理论的观点研究固体电子结构,提出压缩原子模型,考虑固体中原子体积的有限性,并在此基础上计算核内电子电荷密度和¹²¹Sb的穆斯堡尔定标常数。 关键词：     

低能电子在固体中散射理论及Monte Carlo模拟计算方法

本文应用较严格的理论描述低能电子在固体中散射的过程,提出了对该过程进行直接模拟的计算方法:经作者改进的Pendry分波法模型计算电子与原子间的弹性散射;非弹性散射既考虑壳层电子、导带电子贡献,也计入等离子激发的影响;电子散射及二次电子级联过程用Monte Carlo方法严格模拟,对不同能量低能电子作用下,Cu的二次电子产额、能谱曲线及背散射系数作了计算,所得结果与Kashikawa等的实验事实一致。     

Monte Carlo方法计算多层薄膜中X射线发射强度

基于作者发展的电子散射模型,多层介质中电子散射理论、X射线强度、吸收和荧光计算公式,用Monte Carlo方法计算了多层薄膜中X射线发射强度比值。在不同加速电压下,对Si衬底上Au,Cu多层膜及Cr,Ni多层膜计算的强度比与EPMA实验结果广泛一致。本工作为最终解决多层薄膜X射线定量显微分析的难题奠定了理论基础。     

Monte Carlo方法模拟低能电子在多元介质中散射：基于平均散射截面 …

应用基于平均散射截面低能电子在多元介质中散射Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法,模拟Ｅ０≤５ｋｅＶ低能电子在多种多元介质同中散。计算了电子背散射系数,背散射电子能谱、角分布、入射电子,背散射电子在介质中的作用范围、沉积能分布,并与确定散射中心方法的结果比较。两种方法计算结果广泛一致,进上步证明基于平均散射截面方法的有效性和可靠性。入射电子能量较低,介质平均原子序数较大时,计算的背散射电子角分布不服从余弦分     

Monte Carlo方法计算低能电子作用下固体背散射电子发射及空间分布

应用Monte Carlo方法,对能量E₀≤5keV低能电子作用下固体Al、Cu、Ag、Au的背散射电子发射及表面空间分布作了计算.模型应用Mott散射截面及修正的Bethe方程分别描述低能电子在固体中的弹性和非弹性散射.计算了背散射电子能量分布、表面空间分布、深度分布和角分布规律及特征,还计算分析了背散射电子角分布与深度分布、表面空间分布及能量分布之间的关系,系统地描述了背散射电子的发射及分布规律.     

Monte Carlo方法模拟低能电子在Al中的散射

基于文献[1]的工作,电子在固体中的弹性散射用Mott微分截面计算;非弹性散射分为单电子激发和等离子激发并由Streitwolf、Gryzinski及Quinn的截面描述.模拟了低能电子在Al块样及薄膜中的散射过程,对不同能量低能电子作用下Al的背散射系统、能谱又透射系数作了计算,结果与实验符合较好.也对背散射电子、低能损背散射电子表面分布作了计算,结果表明低能损背散射电子具有较好的空间分辨率.     

薄膜微区厚度测定计算程序——Monte Carlo模拟

根据作者发展的理论和计算方法^[1-8],编制了有衬底薄膜厚度测定的计算程序。本程序使用方便,已广泛应用于各类功能薄膜材料的测定计算中。     

X射线光子在固体中空间密度分布的蒙特卡罗模拟计算软件

基于作者发展的物理模型和计算方法,编制了计算固体中X射线光子的空间密度分布的软件。该程序可模拟keV能量的电子束在固体中的散射过程和X射线光子的激发,定量给出X光光子的空间密度分布和包含不同比例光子数的空间范围。这对电子显微学的定量研究是很有意义的。     

微颗粒样品X射线定量分析Monte Carlo模拟计算软件

基于作者前文[1,2]的物理模型和计算方法,编制了适用于多元微颗粒样品x射线定量分析的Monte Carlo程序软件,给出了对颗粒中电子散射,x射线激发、吸收和荧光效应等复杂物理过程进行严格计算的一系列公式,程序中建立了数据文件,具有较强的自动处理数据功能,本程序还适用于平厚块样品及薄膜样品的定量分析计算。     

电子与固体相互作用的Monte Carlo模拟

本文提出了一个描述电子与固体相互作用的物理模型及Monte Carlo模拟方法。其计算结果较为简单,对背散射系数、透射系数及x射线深度分布函数的计算结果与文献报道的实验结果相符。本模型己成功地应用于薄膜、微颗粒体x射线定量分析的工作中。