关于两个图的一类新连接图的谱

给定2个图G1和G2，设G1的边集E(G1)={e1,e2,?,em1}，则图G1⊙G2可由一个G1，m1个G2通过在G1对应的每条边外加一个孤立点，新增加的点记为U={u1,u2,?,um1}，将ui分别与第i个G2的所有点以及G1中的边ei的端点相连得到，其中i=?1,2,?,m1。得到：（i）当G1是正则图，G2是正则图或完全二部图时，确定了G1⊙G2的邻接谱（A-谱）。（ii）当G1是正则图，G2是任意图时，给出了G1⊙G2的拉普拉斯谱（L-谱）。（iii）当G1和G2都是正则图时，给出了G1⊙G2的无符号拉普拉斯谱（Q-谱）。作为以上结论的应用，构建了无限多对A-同谱图、L-同谱图和Q-同谱图；同时当G1是正则图时，确定了G1⊙G2支撑树的数量和Kirchhoff指数。     

磁性纳米粒子负载钯催化剂在C-C键偶联反应中的应用

磁性纳米粒子(MNPs)负载钯催化剂因具有高的催化活性及易于原位磁分离回收等优点而得到快速发展,成为一类具有广泛应用前景的纳米催化剂,在学术及工业领域均受到广泛的关注。 本文对近年来MNPs负载钯催化剂在Suzuki、Heck等C-C偶联反应中的应用研究进行简要阐述,并对其发展前景进行了展望。     

GaN基蓝绿光激光器发展现状与未来发展趋势

氮化镓(GaN)基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域具有重要的应用前景与广泛的市场需求.本文着重介绍了GaN基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案.在GaN基蓝光与绿光激光器中,就制备高质量InGaN/GaN多量子阱、减少内部光学损耗、增加空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构与工艺方面的优化方法.简要介绍了垂直腔面发射激光器(VCSEL)、分布式反馈激光器(DFB)的研究现状.     

薄层软刻蚀法制备PMMA微图案结构

对现有的软刻蚀方法提出了改进,让其与压印技术及毛细力刻蚀技术相结合形成一种薄层软刻蚀技术,并以这种技术制备出PMMA薄膜微图案化结构.在30 mm/h的拉膜速度以及弹性印章表面图形深度确定不变的情况下,PMMA流体能够完全填充到弹性印章的微通道中,SEM和光学显微镜照片证明得到的PMMA微图案是相互分离的.因此,薄层软刻蚀技术可以克服普通微模塑方法制备分离图形困难和纳米压印技术中需要使用巨大机械压力的缺点.     

ICP-AES法同时测定锑酸钠中的Fe、Cu、Cr和V

本文采用基体分离法，将锑酸钠经氢溴酸处理，加热挥发除锑，在5％盐酸介质中用ICP－AES同时测定锑酸钠中杂质元素Fe、Cu、Cr和V，并运用干扰系数法扣除元素间光谱干扰引起的分析偏差，回收率在93％－101％之间，结果较为满意。该方法操作简便、快速，适用于锑酸钠的日常进出口检验分析。