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1.
把物理学史引入中学物理教学是培养学生物理学科核心素养的有效策略之一.热力学第一定律的发现涉及迈耶、焦耳、亥姆霍兹等相关历史人物,具有把物理学史融入到教学中的价值.分析教材内容呈现的局限性,展现较为完整的“热力学第一定律”的发展历史,并以此为例,结合课标的要求,分析其在培养学生学科核心素养的价值. 相似文献
2.
非均匀介质弹性波动方程的不规则网格有限差分方法 总被引:2,自引:0,他引:2
从弹性波动方程出发,提出了一种新的空间不规则网格有限差分方法,并用于求解非均匀各向异性介质中的弹性波正演问题。这种方法简单易行,对于复杂几何结构,例如低速层、套管井和非平面界面等,在较细的不规则网格上进行离散,计算时间和占用内存更少。与多重网格差分方法相比,该方法不需要粗、细网格之间的插值,所有网格差分计算在同一次空间迭代中完成。具有复杂几何交界面的模型计算,包括地下透镜体、套管井眼等,在确定弹性常数和密度后,用不规则网格的差分方法更易实现。该方法使用了Higdon吸收边界条件解决人工边界反射问题,引入了新的稳定性条件和网格频散条件,很好地消除了非物理散射波。理论模型的效值计算表明,该方法具有良好的稳定性和计算精度,在模拟非均匀介质弹性波传播时,比相同精度的规则网格有限差分方法计算速度更快。该方法易于推广到非结构网格和三维问题中。 相似文献
3.
从Donnell圆柱壳方程出发,利用复变函数与保角映射的方法,将圆柱壳展开面上的开孔边界线保角晨射成单位圆,并在映射平面上给出了逼近大开孔圆柱壳方程解答的完备函数逼近序列,进而利用边界条件和正交函数展开的方法得到了自由孔边应力集中系数的表达式,最后,对具有开孔率的圆柱壳在不同荷载条件下的自由孔口边界上的应力集中的系数进行了计算,此种方法,同时研究圆柱壳开非圆大孔和接管等问题提供了可能性。 相似文献
4.
正20世纪70年代,贝肯斯坦与霍金发现黑洞熵正比于黑洞视界面积,这促使Susskind和t'Hooft提出了量子引力的一个一般性原理:一个引力系统的全部信息储存在其更低一维的表面,即全息原理。1997年,Maldacena从弦理论出发提出的反德西特 相似文献
5.
黄颡鱼属SSR分子鉴定及其遗传多样性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用13对SSR引物对黄颡鱼属进行遗传多样性和分类研究。结果显示,13对SSR引物中有10对为有效引物,获得93条多态性条带,每对引物扩增条带的数目范围为8~11,扩增片段大小在90~400bp之间,SSR获得的多态性条带所构成各物种的特异性谱系能够用于黄颡鱼属的区分。聚类结果显示,5种黄颡鱼之间的遗传相似系数范围为0.670~1.000,瓦氏黄颡鱼、长须黄颡鱼和中间黄颡鱼亲缘关系较近,之后与光泽黄颡鱼聚为一支,普通黄颡鱼与其它物种差异最大。黄颡鱼属遗传多样性分析结果显示5种黄颡鱼遗传多样性处于水平较高,这将有助于后续深入对黄颡鱼属各物种亲缘关系和系统演化进行分析和理论研究。 相似文献
6.
We perform the total ionizing radiation and electrical stress experiments to investigate the electrical characteristics of the modified silicon-on-insulator(SOI) wafers under different Si ion implantation conditions. It is confirmed that Si implantation into the buried oxide can create deep electron traps with large capture cross section to effectively improve the antiradiation capability of the SOI device. It is first proposed that the metastable electron traps accompanied with Si implantation can be avoided by adjusting the peak location of the Si implantation reasonably. 相似文献
7.
8.
该文计算了四元数体上的矩阵空间中的一些典型积分.由这些积分,可以得到相应的四元数体上的双曲矩阵空间的体积,这对于相关核函数的计算是有帮助的. 相似文献
9.
Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions. 相似文献
10.
曲线y=x3是我们比较熟悉的一种曲线,它的切线与曲线的公共点个数很有意思,除原点外,它在其他任一点处的切线都有两个公共点,其中一个公共点是切点,另一个公共点的横坐标是切点横坐标的-2倍,下面给出这个结论并给予证明.结论1除原点外,曲线y=f(x)=x3在 相似文献