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1.
北沙参水溶性多糖提取工艺   总被引:1,自引:1,他引:0  
以乙醇浓度、浸提时间、浸提次数和浸提温度为考查因素,采用正交试验法对北沙参中水溶性多糖进行提取优化实验,结果表明:醇析浓度85%,浸提时间2.0 h,浸提次数3次,浸提温度80 ℃为最佳提取条件.北沙参水溶性多糖的提取率为 2.4%,多糖相对含量为90%.  相似文献   
2.
多元调和函数论中Nevanlinna类的边界性质   总被引:1,自引:0,他引:1  
§1.序言与结果设F(X)=(u_1(X),u_2(X),……,u_n(X))是空间E_n中某个区域上的一个共轭调和函数系,即是满足下面一般的Cauchy—Riemann方程的n个调和函数的向量,其中X=(x_1,x_2,…,x_n. E·M·Stein和G·Weiss,C·Feffeman和E.M.Stein等证明了  相似文献   
3.
李福星 《数学研究》2000,33(1):31-45
我们感兴趣的是将自变量为2元时成立的某些较深刻的关于共轭调和函数系中的唯一性定理推广到n元的情形。当n≤12时,它们不仅在上半空间R^n+1+上成立,而且在更为一般的区域Ω真包含于R^n+1上也成立。从而证明了T.H.Wolff三大反例中的第一大反例是错误的。  相似文献   
4.
随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EMP感应电场在氧化层中产生陷阱和泄漏电流,从而导致器件的输出退化和热失效。建立了退化和失效的理论模型,以描述输出退化及热积累对EMP特征的依赖性。温度分布函数由半导体中的热传导方程导出。基于TLP测试系统进行的相应实验证实了出现的性能退化,与机理分析一致。Sentaurus TCAD的仿真结果表明,EMP引起的损坏是由栅极氧化层中发生的TAT电流路径引起的,这也是器件的易烧坏位置。此外,还讨论了器件失效与脉冲上升沿的关系。本文的机理分析有助于加强其他半导体器件的EMP可靠性研究,可以对CMOS数字集成电路的EMP加固提出建议。  相似文献   
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