逻辑方程解的性质

以二值命题逻辑的真度理论为基础,提出了基于真度理论的逻辑方程的概念,并给出了此种逻辑方程解的存在性定理,并就τ(A→X)=α的逻辑方程展开了讨论,其中,A是舍有 n 个原子公式的合式公式,X是待定的公式,A的真度τ(A)=K/2n,α=m/2n,且1-τ(A)＜α≤1.我们得到了如下结论:(1)以上逻辑方程的解的等价类个数为Cmn+k-2nk·22n-k.(2)α≠1时,上述方程的解集合是不相容的.(3)解集合中公式的相似度最大值为1-1/2n,相似度的最小值为|2n+1-2m-k|/2n.(4)形如τ((A→X)∧(X→A))=α的逻辑方程其解集合是不相容的.     

基于公式真度的公式集约简

基于经典命题逻辑的真度理论,讨论了经典命题逻辑系统当中公式集的约简问题。提出了真度约简及α-真度约简的概念,为公式集的约简提供了一种可行的操作方法。     

退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响。研究结果表明:由于薄膜制备过程中的atom peening机制导致大量的原子被束缚于非平衡位置,未退火的ZnO薄膜呈压应力;薄膜压应力随退火温度的升高而降低,当退火温度升高至约530℃,薄膜的内应变由压应力转变为张应力;升高退火温度还促进了ZnO薄膜晶粒生长。为通过退火控制PFCVAD制备的ZnO薄膜内应变提供了依据。     

Observation of Weak Anti-Localization and Electron-Electron Interaction on Few-Layer 1T′-MoTe_2 Thin Films

Electronic transports of few-layer 1T'-MoTe_2 films are measured at temperatures down to 0.26 K. The lowtemperature conductivity exhibits logarithmic temperature dependence and negative magneto response. The negative magnetoconductivity can be well fitted by the two-dimensional weak anti-localization theory taking a single channel of electrons into account, with the parameters α≈-0.5 and l_φ∝ T~(-0 5). The logarithmic temperature dependence has a positive slope κ≈0.75, indicating the dominance of electron-electron interaction over the weak anti-localization effect, with an apparently negative Coulomb screening factor F that demands future work for clarification.     

金属硫(磷)化物用于电化学析氢反应

电化学分解水(Water Splitting)是获得高纯度氢能的重要手段。因此,开发具有高活性低成本的电化学析氢反应(Hydrogen Evolution Reaction,HER)催化剂成为目前能源环境的研究热点之一。本文总结了常用于HER反应的过渡金属硫化物以及磷化物非贵金属催化剂材料的合成方法,并且概况了如何构建特殊结构的金属硫化物及磷化物材料以调高材料的HER催化反应性能的方法,为开发其它高活性的非贵金属催化剂提供依据。     

β-二酮-茂基二氯化钛/MAO催化体系用于苯乙烯间规聚合

制备了 β 二酮类配体 [O ,O]的茂基二氯化钛配合物CpTi(dbm)Cl2 .实验证明 ,这类配合物在助催化剂甲基铝氧烷MAO作用下 ,可催化苯乙烯间规聚合 .显示较高的活性 (10 7× 10 5gPS molTi·h) .所得聚合物具有较高的间规度 .CpTi(dbm)Cl2 MAO体系催化活性随铝 钛比的增加呈上升而后衰减 ,当铝 钛比为 5 0 0左右时活性最高 ;聚合温度较高时会导致催化活性下降 .对聚合物进行了1 3C NMR表征     

聚碳酸酯类非晶聚合物力学性能及其本构关系

聚碳酸酯是一类玻璃态非晶聚合物材料，由于其出色的耐热和抗冲击能力，被广泛地应用于国防军事和工业领域。针对主要应用于聚碳酸酯材料类非晶聚合物，首先回顾了其力学性能实验研究现状，从唯象的角度分析实验结果，揭示这类材料力学性能。其次介绍了这类材料的各种本构模型的发展历程、物理机制、力学特性、适用范围等。最后，概述了各类本构模型在聚碳酸酯类聚合物材料中的应用，从工程应用的角度进一步讨论了本构模型对材料力学行为的表征，同时给出了聚碳酸酯类材料在实验和理论研究中仍然存在的关键科学问题及进一步的研究展望。     

Synthesis,Bioactivity and Crystal Structure Analysis of 2-(Benzo[d]isothiazol-3-yloxy)-N-(3-cyano-1-(4-fluorophenyl)-1H-pyrazol-5-yl) Acetamide

A novel benzisothiazolin-3-one derivative, 2-(benzo[d]isothiazol-3-yloxy)-N-(3-cyano-1-(4-fluorophenyl)-1H-pyrazol-5-yl) acetamide(8), was synthesized from the initial compound benzo[d]isothiazol-3(2H)-one(BIT) 1 and 4-fluoroaniline 3. The structure of the target compound 8 was determined by elemental analyses, IR and 1H NMR. The single crystals of intermediate compound 6 and the target compound 8 were obtained and determined by X-ray diffraction analysis. The preliminary biological activity was also evaluated and the results showed the target compound exhibited a good anti-microbial activity.     

六氟磷酸二（4,4‘—二甲基—2,2’—联吡啶）.（2,2‘—联吡啶—4,4’—二羧？…

用＾１Ｈ ＮＭＲ和＾１３Ｃ ＮＭＲ谱研究了新型电化学发光探针六氟磷酸二（４,４’;－二甲基－２,２‘－联吡啶）．（４．４’－二羧酸－２,２‘－联吡啶）合钌的立体结构,通过＾１Ｈ ＾１Ｈ ＣＯＳＹ,＾１３Ｃ－＾１Ｈ ＨＥＴＣＯＲ谱对其氢谱和碳谱中的各谱峰进行了归属,并给出了氢谱和碳谱峰的化学位移值。     

PFCVAD系统靶负压对硅基ZnO薄膜结构及应变的影响

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)系统,以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度300 ℃、氧气压力4.0×10-2 Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜.通过原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响.研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7～39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小;不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大.