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1.
A new boron nitride polymorph, P213 BN (space group: P213), is investigated by first-principles calculations, including its structural properties, stability, elastic properties, anisotropy and electronic properties. It is found that the new boron nitride polymorph P213 BN is mechanically, dynamically and thermodynamically stable. The bulk modulus (B), shear modulus (G) and Young's modulus of P213 BN are 91 GPa, 41 GPa and 107 GPa, respectively, all of which are larger than that of Y carbon and TY carbon. By comparing with c-BN, the Young's modulus, shear modulus and Poisson's ratio of P213 BN show tiny anisotropy in the (001), (010), (100) and (111) planes. At the same time, in contrast with most boron nitride polymorphs, P213 BN is a semiconductor material with a smaller band gap of 1.826 eV. The Debye temperature and the anisotropic sound velocities of P213 BN are also investigated in this work.  相似文献   
2.
李志勇 《计算物理》2021,38(2):165-170
基于Pin by Pin输运SP3计算是下一代反应堆物理计算方法中一个重要的研究方向。节块法一般采用高阶通量和中子源展开以适应较大的节块尺寸,因此对于Pin by Pin计算来说效率偏低。由于反应堆堆芯不均匀性更多发生在径向,本文提出一种径向基于二维平面通量展开结合轴向常规节块法的综合方法进行三维Pin by Pin输运SP3计算,其三个方向的节块耦合迭代均采用基于中子净流耦合的格式。通过IAEA 2D/3D基准问题和典型输运基准问题计算,验证该计算方法对于堆芯扩散计算和输运计算的正确性和可行性。  相似文献   
3.
为了改善GaN HEMT的自热效应,集成高热导率的金刚石衬底有助于增强器件有源区的热量耗散。然而,化学气相淀积(CVD)生长的多晶金刚石(PCD)具有柱状晶粒结构,导致了各向异性的材料热导率,且其热导率值与生长厚度有关。为此,通过建模金刚石生长过程中晶粒尺寸的演变过程,计算了金刚石沿面内和截面方向的热导率。基于该PCD热导率模型,利用计入材料非线性热导率的GaN器件热阻解析模型,计算得到了GaN HEMT沟道温度的波动范围,并分析了其与器件结构(栅长、栅宽、栅间距、衬底厚度)和功耗的依赖关系。最后,通过与有限元(FEM)仿真结果对比,分区域提取了GaN HEMT器件中PCD衬底的有效热导率,分别为260~310 W/(m·K)和1 250~1 450 W/(m·K)。本文的计算为预测金刚石衬底上GaN HEMT器件的沟道温度提供了快速、有效的方法。  相似文献   
4.
5.
垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12,GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho3Fe5O12,HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁性,且由于外延应变,2—60 nm厚HoIG薄膜都具有很强的垂直磁各向异性,有效垂直各向异性场最大达350 mT;异质结构样品表现出非常可观的反常霍尔效应和“自旋霍尔/各向异性”磁电阻效应,前者在HoIG厚度小于4 nm时开始缓慢下降,而后者当HoIG厚度小于7 nm时急剧减小,说明相较于反常霍尔效应,磁电阻效应对HoIG的体磁性相对更加敏感;此外,自旋相关热电压随HoIG厚度减薄在整个厚度范围以指数方式下降,说明遵从热激化磁振子运动规律的自旋塞贝克效应是其主要贡献者.本文结果表明HoIG纳米薄膜具有可调控的垂直磁各向异性,厚度大于4 nm的HoIG/Pt异质结构具有高效的自旋界面交换作用,是自旋电子学应用发展的一个重要候选材料.  相似文献   
6.
激光谐振腔内相位各向异性会引起频率分裂,两分裂模的频差大小由表现出的相位延迟所决定.对于腔内相位延迟较小的He-Ne激光器,两分裂模很接近,处于烧孔重叠区,存在模式竞争而不能同时振荡,形成隐频率分裂.同时,使得激光器两正交偏振方向上的相邻级纵模产生固定的变动量,其大小等于隐频率分裂量的2倍.如果沿激光偏振方向施加横向磁场,Ne原子谱线发生横向Zeeman分裂,增益原子分成两群,分别为平行于磁场和垂直于磁场方向偏振的光提供增益,大大减弱模竞争,使得激光器的两分裂模可同时振荡并测得频差.在谐振腔内放入倾斜的石英晶体片或半波片,由两种方法分别测量频率分裂量并进行比较.实验表明两种方法测量的结果均与理论计算相符,平均相对偏差不超过1%.据此可以准确得到Zeeman双频激光器的频差大小,并为半波片测量提供了新方法.  相似文献   
7.
We consider percolation on the Voronoi tessellation generated by a homogeneous Poisson point process on the hyperbolic plane. We show that the critical probability for the existence of an infinite cluster tends to 1/2 as the intensity of the Poisson process tends to infinity. This confirms a conjecture of Benjamini and Schramm [5].  相似文献   
8.
亚铁磁材料因具有反铁磁排列的子晶格磁矩而表现出诸多丰富的物理性质,在磁信息存储和逻辑领域具有广阔的应用前景.本文采用磁控溅射方法在热氧化的硅基片上制备了Pt/GdFeCo(t)/Pt多层膜,系统研究了亚铁磁GdFeCo厚度对多层膜的表面形貌、结构、磁性以及反常霍尔效应(AHE)的影响.结构测试表明薄膜表面粗糙度较小,且GdFeCo层为非晶态;实验中利用GdFeCo层厚度可有效控制Gd元素含量,从而调控GdFeCo趋近反铁磁态特性的磁矩补偿点;通过重金属强自旋轨道耦合效应(SOC)和非晶态亚铁磁薄膜面内压应力,实现了良好垂直各向异性(PMA);进一步阐明了亚铁磁薄膜中磁性和反常霍尔效应的内在产生机制以及磁矩补偿点与温度的内在关系.这些结果为构建新一代低功耗自旋电子器件奠定基础.  相似文献   
9.
Simultaneous incorporation of both CoII and CoIII ions within a new thioether S‐bearing phenol‐based ligand system, H3L (2,6‐bis‐[{2‐(2‐hydroxyethylthio)ethylimino}methyl]‐4‐methylphenol) formed [Co5] aggregates [CoIICoIII4L2(μ‐OH)2(μ1,3‐O2CCH3)2](ClO4)4?H2O ( 1 ) and [CoIICoIII4L2(μ‐OH)2(μ1,3‐O2CC2H5)2](ClO4)4?H2O ( 2 ). The magnetic studies revealed axial zero‐field splitting (ZFS) parameter, D/hc=?23.6 and ?24.3 cm?1, and E/D=0.03 and 0.00, respectively for 1 and 2 . Dynamic magnetic data confirmed the complexes as SIMs with Ueff/kB=30 K ( 1 ) and 33 K ( 2 ), and τ0=9.1×10?8 s ( 1 ), and 4.3×10?8 s ( 2 ). The larger atomic radius of S compared to N gave rise to less variation in the distortion of tetrahedral geometry around central CoII centers, thus affecting the D and Ueff/kB values. Theoretical studies also support the experimental findings and reveal the origin of the anisotropy parameters. In solutions, both 1 and 2 which produce {CoIII2(μ‐L)} units, display solvent‐dependent catechol oxidation behavior toward 3,5‐di‐tert‐butylcatechol in air. The presence of an adjacent CoIII ion tends to assist the electron transfer from the substrate to the metal ion center, enhancing the catalytic oxidation rate.  相似文献   
10.
In this note, we answer a question of JA Thas about partial 3 ( q n + 1 , q + 1 , 1 ) designs. We then extend this answer to a result about the embedding of certain partial 3 ( q 2 + 1 , q + 1 , 1 ) designs into Möbius planes.  相似文献   
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