全文获取类型
收费全文 | 29546篇 |
免费 | 5003篇 |
国内免费 | 14115篇 |
专业分类
化学 | 29924篇 |
晶体学 | 686篇 |
力学 | 2103篇 |
综合类 | 871篇 |
数学 | 4496篇 |
物理学 | 10584篇 |
出版年
2024年 | 195篇 |
2023年 | 1034篇 |
2022年 | 1040篇 |
2021年 | 1125篇 |
2020年 | 1057篇 |
2019年 | 1388篇 |
2018年 | 895篇 |
2017年 | 1296篇 |
2016年 | 1425篇 |
2015年 | 1529篇 |
2014年 | 2359篇 |
2013年 | 2449篇 |
2012年 | 2505篇 |
2011年 | 2406篇 |
2010年 | 2315篇 |
2009年 | 2561篇 |
2008年 | 2943篇 |
2007年 | 2636篇 |
2006年 | 2906篇 |
2005年 | 2582篇 |
2004年 | 2789篇 |
2003年 | 1777篇 |
2002年 | 876篇 |
2001年 | 855篇 |
2000年 | 788篇 |
1999年 | 919篇 |
1998年 | 554篇 |
1997年 | 413篇 |
1996年 | 332篇 |
1995年 | 307篇 |
1994年 | 287篇 |
1993年 | 358篇 |
1992年 | 392篇 |
1991年 | 412篇 |
1990年 | 313篇 |
1989年 | 280篇 |
1988年 | 196篇 |
1987年 | 86篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 19篇 |
1984年 | 10篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 8篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上. 相似文献
2.
点阵结构具有质量轻、承压性能好、比刚度大等特点,广泛应用于轻量化部件与承压结构。采用选区激光熔覆技术制备了316L不锈钢空心点阵结构,通过准静态压缩实验和有限元数值模拟,研究了含不同尺寸空心微柱的点阵结构在压缩变形时的失效和变形模式及其成因。结果表明:316L不锈钢材料的空心管状结构在点阵压缩过程中无明显压溃失稳,其结构失效模式是由节点失效诱发微柱变形,进而造成整体失效;结构的变形模式为整体均匀变形,但是当壁厚和外径较小时,边界层将因刚度不足而率先变形;增大空心微柱尺寸可使结构刚度增大。 相似文献
3.
4.
5.
First-principles study of the co-effect of carbon doping and oxygen vacancies in ZnO photocatalyst 下载免费PDF全文
Although tuning band structure of optoelectronic semiconductor-based materials by means of doping single defect is an important approach for potential photocatalysis application,C-doping or oxygen vacancy(Vo)as a single defect in ZnO still has limitations for photocatalytic activity.Meanwhile,the influence of co-existence of various defects in ZnO still lacks sufficient studies.Therefore,we investigate the photocatalytic properties of ZnOx C0.0625(x=0.9375,0.875,0.8125),confirming that the co-effect of various defects has a greater enhancement for photocatalytic activity driven by visible-light than the single defect in ZnO.To clarify the underlying mechanism of co-existence of various defects in ZnO,we perform systematically the electronic properties calculations using density functional theory.It is found that the coeffect of C-doping and Vo in ZnO can achieve a more controllable band gap than doping solely in ZnO.Moreover,the impact of the effective masses of ZnOxC0.0625(x=0.9375,0.875,0.8125)is also taken into account.In comparison with heavy Vo concentrations,the light Vo concentration(x=0.875)as the optimal component together with C-doping in ZnO,can significantly improve the visible-light absorption and benefit photocatalytic activity. 相似文献
6.
采用溶剂热法,1,3,5-三(羧基甲氧基)苯为定向配体和乙酸镍反应构筑了一个新型的金属配位聚合物[Ni(TB)2(H2O)2]n·2H2O,其中H3TB=1,3,5-三(羧基甲氧基)苯,通过元素分析、IR及X射线单晶衍射对配合物结构进行表征,并研究其荧光性质、热稳定性及Hirshfeld表面作用力。单晶结构分析表明,该配合物属于三斜晶系,空间群$P \overline{1}$,配合物中心离子Ni(Ⅱ)分别与来自两个水分子上的氧原子及四个不同1,3,5-三(羧基甲氧基)苯配体的羧酸氧原子配位,形成六配位的NiO6八面体构型,并通过与1,3,5-三(羧基甲氧基)苯配体的氧原子配位不断延伸形成具有孔洞结构的一维链状构型。配合物具有良好的荧光性能和热稳定性。Hirshfeld表面作用分析表明配合物分子中O…H/H…O作用占主导且占比为39.0%,而H…H的作用力占比为25.9%,O…O的作用力占比为13.6%。 相似文献
7.
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N2比例增加有利于Ga2O3重结晶。在N2气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga2O3。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在 400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N2气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga2O3更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga2O3重结晶。 相似文献
8.
针对目标函数非光滑的稀疏约束优化问题,给出基本可行性和λ-平稳性两个必要最优性条件,利用所给出的必要最优性条件构造出稀疏次梯度投影算法.在理论上分析了算法的收敛性,证明了由该算法所产生序列的任意聚点都是λ-平稳点.最后,通过两个数值实例验证了算法的收敛性、有效性和优化能力. 相似文献
9.
化学工业生产中,用氢气为还原剂,通过选择性加氢可以制备多种重要化学品。5-羟甲基糠醛是重要的生物质基平台化合物,而5-甲基糠醛是用途广泛的化学品。由5-羟甲基糠醛加氢得到5-甲基糠醛是一条非常理想的路径,但是选择性活化C-OH非常困难。本文设计并制备了Pt@PVP/Nb2O5(PVP: 聚乙烯吡咯烷酮)催化剂,该催化体系巧妙地结合了位阻效应、氢溢流和催化剂界面的电子效应,系统研究了该催化剂对5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛催化性能,在最优条件下,5-甲基糠醛的选择性可达92%。利用密度泛函理论计算研究了5-羟甲基糠醛选择性加氢制备5-甲基糠醛反应路径。 相似文献
10.