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真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一.采用数值计算和比色红外测温两种方法,研究了作者自行研制的真空辐射加热器(IMCAS-VRH)的性能.利用IMCAS—VRH加热直径6in的单晶硅基片,当电功率为3860W时,基片表面平均温度为1093K,整个基片上的温度变化的测量值约为6 K.基片表面温度分布的计算结果与测量数据符合得很好,进一步的计算分析表明钼丝对辐射的遮挡效应、隔热屏和基片热传导等对基片温度分布均匀性有重要影响.  相似文献
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