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1.
就国内外关于集成电路芯片化学机械抛光(CMP)材料去除机理研究的现状和进展进行了评述,总结了集成电路芯片常用介电材料二氧化硅以及导电互连材料钨、铝及铜的化学机械抛光研究现状和进展,进而分析了化学机械抛光过程中化学作用同机械作用的协同效应,指出关于芯片化学机械抛光的材料去除机理尚存在争议,因此有必要在CMP研究领域引入原子力显微镜和电化学显微镜等先进分析测试设备和相关技术,以便在深入揭示CMP过程中材料去除机理的基础上,为更好地控制CMP过程和提高CMP效率提供科学依据.  相似文献
2.
浅层水中沉底的两个装药爆炸的数值模拟研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
根据试验模型和试验结果,进行了浅层水中沉底的两个装药爆炸的数值模拟;通过与水中单个装药爆炸,以及无限水中两个装药同时爆炸的数值模拟结果的对比分析,研究了水底水面对沉底的两个装药同时爆炸产生的冲击波传播与相互作用的影响。结果表明:水底对冲击波压力峰值有削弱作用,水面使冲击作用冲量明显减小。冲击波相互作用压力叠加或多次冲击作用可提高爆炸威力。  相似文献
3.
本文在更高层次上将群表示论算法和动态子结构技术完善地结合起来,并采用计算上效率极高的Benfield-Hrude的模态代入变换法;这种新的算法大大提高了盘-叶耦合系统的振动分析的效率。本文虽以带八条叶片的轮盘的理想模型的分析结果与实测数据的对照为例,来说明万法的有效性,但它直接适用于实际盘-叶系统的耦振分析。  相似文献
4.
基于分子量级的化学机械抛光界面动力学模型研究   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
考虑抛光液/芯片的相界面氧化剂浓度和芯片氧化薄膜缺陷对材料去除机理的影响,提出化学机械抛光(CMP)中材料去除机理的量级估算方法,应用化学动力学及传质学等理论估算氧化薄膜的扩散深度量级和生成速率,采用纳米压痕仪模拟单个磨粒在芯片表面的压痕作用,应用线性回归方法分析载荷70 nN下,磨粒压入芯片的深度量级为10-11 m.结合模型估算,证实了CMP材料去除机理为单分子层去除机理.结果表明,减小氧化膜厚度可以提高材料去除率,估算结果与他人试验结果相吻合.为进一步研究CMP单分子层材料去除机理提供了理论依据.  相似文献
5.
从具体例子看惯性流形概念的推广   总被引:4,自引:0,他引:4  
刘曾荣  徐振源 《力学学报》1992,24(4):438-445
惯性流形的概念要求所有轨道指数收敛于唯一吸引子[5],这对于很多物理问题,例如sine-Gordon方程是很难满足的[4],本文中给出的人工例子建议了惯性流形的推广形式,这个推广形式去掉了整体吸引子是唯一的预先要求,该推广概念使用于sine-Gordon方程。  相似文献
6.
解析法计算高剪切均质机转子的变形   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
 用解析法分析了高剪切均质机转子的变形,推导了计算径向位移 的有关公式. 所得结果为此类转子结构参数优化提供了依据.  相似文献
7.
基于小波变换模极大的爆破震动信号奇异谱分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
系统论述了基于小波变换模极大(WTMM)的多分形奇异谱计算方法.利用此方法对某一典型的岩石爆破震动信号进行分析,给出了分段函数Z(q,a)、尺度指数τ(q)以及奇异谱f(α)的分布曲线,说明了信号的多分形特征,认为信号的突变主要集中在α<1的奇异指数上,而信号的奇异指数也主要集中在0.28~0.72之间;并提出了对于岩石爆破震动信号几乎是处处奇异的重要结论.  相似文献
8.
弹性联接模态综合法   总被引:3,自引:1,他引:2  
本文提出利用结构的假想中间联接单元和假想联接刚度的概念,用一种新的模态刚度的组集方法求得结构在弹性联接下的模态综合方程,并将该方法应用于弹性联接的双转子系统的计算中。  相似文献
9.
无穷维动力系统中惯性流形和吸引子   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文综述了无穷维动力系统近年来的发展概况,系统地介绍了它的理论基础以及有关结果,最后就无穷维动力系统发展趋势和意义作了一些讨论.  相似文献
10.
Sine-Gordon方程的截断系统的同宿轨道   总被引:3,自引:0,他引:3  
徐振源  刘曾荣 《力学学报》1998,30(3):292-299
研究Sine-Gordon方程的广义渐近惯性流形上的常微分方程组,证实了一定参数条件下存在Wiggins意义下的同宿轨道,计算表明,与Bishop用数值计算得到的Sine-Gordon方程产生混沌的参数值尚有差别,考虑到同宿出现参数值往往低于混沌出现参数值,故结果在定性上正确,而且改进了文(1)中的结果。  相似文献
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