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1.
A fully-coupled model for a piezoelectric hetero-junction subjected to a pair of stresses is proposed by discarding the depletion layer approximation. The effect of mechanical loadings on PN junction performance is discussed in detail. Numerical examples are carried out for a p-Si/ZnO-n hetero-junction under a pair of stresses acting on the ntype ZnO portion near the PN interface, where ZnO has the piezoelectric property while Si is not. It is found that the bottom of conduction band is lowered/raised near the two loading points due to the decrease/increase in the electron potential energy there induced by a tensile-stress mode via sucking in majority-carriers from two outside regions, which implies appearance of a potential barrier and a potential well near two loading points. Furthermore, the barrier height and well depth gradually become large with increasing tensile stress such that more and more electrons/holes are inhaled in loading region from the n-/p-zone, respectively. Conversely, rising/dropping of conduction band bottom is brought out near the two loading points by a compressive-stress mode due to the increase/decrease in the potential energy of electrons by pumping out the majority-carriers from the loading region to the two outside regions. Therefore, a potential well and a potential barrier are induced near the two loading points, such that more and more electrons/holes are driven away from the loading region to the n-zone/p-zone, respectively, with the increasing compressive stress. These effects are important to tune the carrier recombination rate near the PN interface. Thus, the present study possesses great referential significance to piezotronic devices.  相似文献   
2.
Crystallography Reports - The review presents the important unique results of the cycle of research led by M.V. Kovalchuk on the fundamental patterns of protein interactions and the protein...  相似文献   
3.
Journal of Applied Mechanics and Technical Physics - A method for determining the empirical dependence of the rheological properties of rocks on stresses has been developed and tested in...  相似文献   
4.
Russian Physics Journal - Using the methods of modern physical materials science, the structural phase state, the defect substructure and the fracture surface of low-carbon alloy steel welds formed...  相似文献   
5.
以廉价的椰壳为原料制备了高比表面积的多孔碳材料,然后在密闭的反应釜中以硝酸蒸汽对多孔碳材料进行了后处理,制备了亲水性更好的多孔碳材料。采用扫描透射电子显微镜(TEM)、物理吸附、X射线粉末衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)和接触角测试对材料的微观形貌、孔道结构、组成和亲水性进行了表征,探究了不同温度下硝酸蒸汽对多孔碳材料的形貌、结构的影响,并采用循环伏安法、恒电流充放电法和交流阻抗法考察了多孔碳材料的超级电容性能。结果表明,经过硝酸蒸汽处理后的多孔碳材料的比表面积和孔体积均有所降低,且随着处理温度的升高,降低得更加明显,而亲水性却越来越好。电化学测试结果表明,经过100℃硝酸蒸汽处理的多孔碳材料(CSC-100)具有最佳的超级电容性能。在以6 mol·L-1 KOH为电解液的三电极体系中,当电流密度为0.5 A·g-1时CSC-100的比电容可达452.9 F·g-1,而未经硝酸蒸汽处理的多孔碳材料(CSC)的比电容仅为350.4 F·g-1。电容贡献分析表明CSC-100良好的亲水性和表面官能团不仅提高了双电层电容,也提高了赝电容。  相似文献   
6.
本文主要概述了近年来核酸工具酶辅助的基于金属稳定同位素标记的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法在生物分析中的发展和应用,简要介绍了该方法在蛋白质、核酸及一些生物小分子检测中的应用。最后对核酸工具酶辅助的基于金属稳定同位素标记的电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)检测方法的发展前景做了展望。  相似文献   
7.
为降低束流发射度,提高束流强度,得到高品质的束流,强流重离子加速器装置(HIAF)高精度环形谱仪(SRing)将建造随机冷却系统。随机冷却系统的关键硬件pickup/kicker在一定程度上决定了其冷却效率。本工作讨论了随机冷却系统pickup/kicker的具体作用及设计指标,介绍了分路阻抗概念。SRing随机冷却系统采用周期性单元结构slot-ring模型,利用高频结构仿真(HFSS)软件对其进行建模并仿真优化。通过对不同结构参数进行扫参,确认了slot-ring结构各参数对pickup/kicker分路阻抗值的影响。仿真结果表明,slot-ring结构有较高的分路阻抗,适用于SRing随机冷却系统。同时,考虑到pickup/kicker工作带宽内分路阻抗的平坦度,提出了采用不同尺寸slot-ring结构进行组合的方式来优化其平坦度。最后设计并加工实测了该slot-ring结构相匹配的十六路功率分配器/功率合成器,实测结果表明:该功分器/合路器具有各端口输出幅度平坦度较好、隔离度大、插入损耗低、电压驻波比小等特点,满足SRing随机冷却系统的要求。  相似文献   
8.
9.
针对线性相控阵列在固体介质中的声场聚焦特性及参数优化问题,该文给出了一个线性阵列的纵波瞬态聚焦声场模型。数值结果表明,当阵元被短时脉冲信号激励时,瞬态聚焦声场中不会形成栅瓣,突破了传统稳态理论模型中对阵元间距的限制;同时由于横纵波在聚焦区域内可完全分离,声束旁瓣的幅值也得到了抑制。其次,增大阵元间距能够显著提高聚焦性能,但会导致聚焦声场能量减弱,综合考虑后,最佳的阵元间距为一个波长左右。并且发现,阵元宽度对于聚焦性能几乎没有影响,但宽阵元能够提高聚焦能量。此外,受到纵波激发特性的影响,使得相控阵只能在低偏转角处获得理想的纵波聚焦性能。最后,采用不同阵元间距的相控阵探头对试块进行成像实验,观察到大阵元间距可以显著改善缺陷成像分辨率,从而验证了理论分析的结果。  相似文献   
10.
合成了一种反应型近红外荧光探针N-Rh-GSH,该探针以罗丹明衍生物为荧光母体,通过与谷胱甘肽(GSH)作用触发螺环的开关来实现信号的响应,其开环释放的荧光产物具有760 nm的近红外发射波长。细胞实验表明,该探针可实现对活细胞中GSH的成像。  相似文献   
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