信息技术在美国大学物理课程中的应用——以美国俄亥俄州立大学为例

随着信息时代的来临,信息技术作为新型的教学工具逐步走进了校园,进入了课堂,成为现代化教学不可缺少的手段和教学改革的利器.文章根据作者在美国访学一年的经历,以美国俄亥俄州立大学为例,详细介绍信息技术在美国大学工科物理主要教学环节中的应用,并对中美大学在信息化建设方面的差异进行总结;通过比较可以看到,国内在信息技术常态化以及将信息技术深入融合到教学的具体环节方面和美国还存在有一定差距,需要进一步加强.     

Fabrication and characterization of groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process

N and P-channel groove-gate MOSFETs based on a self-aligned CMOS process have been fabricated and characterized. For the devices with channel length of 140nm, the measured drain induced barrier lowering （DIBL） was 66mV/V for n-MOSFETs and 82mV/V for p-MOSFETs. The substrate current of a groove-gate n-MOSFET was 150 times less than that of a conventional planar n-MOSFET, These results demonstrate that groove-gate MOSFETs have excellent capabilities in suppressing short-channel effects. It is worth emphasizing that our groove-gate MOSFET devices are fabricated by using a simple process flow, with the potential of fabricating devices in the sub-100nm range.     

基于量子微扰的AlGaN/GaN异质结波函数半解析求解

基于量子力学微扰理论的分析，得到AlGaN/GaN异质结波函数的半解析模型.给出了模型的理论分析和计算结果.对于相同问题，给出了与差分算法的对照结果.与传统的差分方法相比，半解析方法具有收敛性强、大规模问题计算效率高的特点，更适合作为AlGaN/GaN异质结量子阱的求解算法. 关键词： AlGaN GaN 量子阱 薛定谔方程     

Investigation of the characteristics of GIDL current in 90nm CMOS technology

A specially designed experiment is performed for investigating gate-induced drain leakage （GIDL） current in 90nm CMOS technology using lightly-doped drain （LDD） NMOSFET. This paper shows that the drain bias VD has a strong effect on GIDL current as compared with the gate bias VG at the same drain-gate voltage VDG. It is found that the difference between ID in the off-state ID - VG characteristics and the corresponding one in the off-state ID - VD characteristics, which is defined as IDIFF, versus VDG shows a peak. The difference between the influences of VD and VG on GIDL current is shown quantitatively by IDIFF, especially in 90nm scale. The difference is due to different hole tunnellings, Furthermore, the maximum IDIFF（IDIFF,MAX） varies linearly with VDG in logarithmic coordiuates and also VDG at IDIFF,MAX with VF which is the characteristic voltage of IDIFF, The relations are studied and some related expressions are given.     

AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算. 通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值_b. 通过分析温度在300—550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论：AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源. 关键词： AlGaN/GaN异质结 肖特基结 理想因子     

大学物理实验教学综合性创新改革初探

围绕大学物理实验教学改革,针对当前原有课程模式中存在的各种问题提出相应的课程改革措施。     

技能训练性实验教学模式研究

技能训练性实验是学生分组实验的4种基本类型之一，其目的是训练学生认识和掌握某种仪器的使用方法、装配技术等知识技能。通过对以往教学模式的研究，发现优点，找到不足，通过教学实践，力图探究一种新型技能训练性实验教学模式。     

AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

对不同场板尺寸的AlGaN/GaN 场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究，建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明，调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状，当场板长度较小时，随着长度的增大器件击穿电压随之增加，而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度，器件击穿电压提高了64%，且实验结果与模拟结果相符. 关键词： AlGaN/GaN 击穿电压 场板长度     

金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.     

涡轮叶顶泄漏控制研究进展

通过归纳国内外涡轮叶顶泄漏控制研究,总结了轴流、向心涡轮采用的叶顶泄漏控制方法及取得的研究进展,分析了不同控制方法的特点和不足,最后对涡轮叶顶泄漏控制方法的发展趋势进行了展望。目前,带冠轴流涡轮叶顶泄漏控制方法除了传统的迷宫密封,还有蜂窝密封、干气密封等;不带冠轴流涡轮控制方法种类较多,可细分为主动控制方法和被动控制方法;开式和半开式向心涡轮控制方法目前仅有叶型优化和机匣开槽;闭式向心涡轮控制方法较为单一,以迷宫密封为主。轴流涡轮中多种泄漏控制方法耦合具有较好的应用前景;开式和半开式向心涡轮中综合有效的叶顶泄漏控制方法,以及闭式向心涡轮轮盖空腔非设计工况和非定常工况下的泄漏特性有待进一步研究。