退火温度对氧化铬薄膜结构和高温摩擦学性能的影响

采用电弧离子镀技术在GH-4169高温合金基体上沉积氧化铬薄膜，并对薄膜进行了不同温度的退火处理，系统研究了不同退火温度(500、600、700和800 ℃)对薄膜形貌、薄膜结构、薄膜力学性能及薄膜摩擦学性能的影响. 结果表明:随退火温度升高，薄膜表面缺陷减少，氧化铬晶化趋于完善，薄膜硬度下降. 高温摩擦学性能方面薄膜经500和600 ℃退火后，在环境温度从室温到800 ℃宽温域范围内摩擦系数较退火前均有所增加；经800 ℃退火后的薄膜在环境温度为400~600 ℃时的摩擦系数均明显下降，但室温摩擦系数明显升高，宽温域内摩擦系数波动较大；700 ℃退火后薄膜宽温域内摩擦系数在0.21~0.33之间，波动较小.      

栅耦合型静电泄放保护结构设计

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题，而且节省了版图面积，提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明，该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法，能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值. 关键词： 静电泄放 栅耦合 金属氧化物半导体场效应管 压焊块电容     

电接触材料摩擦学研究进展

电接触材料在生活生产应用中发挥着重要的作用，但其面临着较为复杂的摩擦磨损问题，因此对电接触材料的研究至关重要. 文章从摩擦学角度出发，综述了当前几种常见的铜基、银基和金基电接触材料的特点以及存在的问题，分析了不同接触载荷、电流和滑动速度等条件下电接触材料的载流摩擦学行为、载流摩擦磨损机制、计算模拟研究以及当前还存在的问题. 提出未来应发展石墨烯等性能优异的新型电接触材料以及加强对多因素耦合作用下电接触体系的摩擦磨损行为和失效机制的研究，这将为未来电接触材料摩擦学的研究发展提供一定的参考价值.      

Preparation and Dielectric Properties of Nanostructured ZnO Whiskers

By a novel controlled combustion synthesis method, a large number of nanostructured ZnO whiskers with different morphologies, such as tetra-needles, long-leg tetra-needles and multi-needles, are prepared without any additive in open air at high temperature. The morphologies and crystalline structures of the as-prepared ZnO nanostructured whiskers are investigated by SEM and XRD. The possible growth mechanism on the nanostructured ZnO whiskers is proposed. The experimental results indicate that the dielectric constants and losses of the nanostructured ZnO whiskers are very low, demonstrating that the nanostructured ZnO whiskers are low-loss materials for microwave absorption in X-band. However, obvious microwave absorption in nanostructured ZnO whiskers is observed. The quasi-microantenna model may be attributed to the microwave absorption of the ZnO whiskers.     

磁控溅射法制备Au薄膜及真空载流摩擦学行为研究

针对空间滑动电接触金基润滑涂层在制备方法以及失效机理认识方面存在的不足,探索采用绿色磁控溅射法制备金薄膜. 研究了偏压对薄膜微观结构、力学以及真空载流摩擦学性能的影响规律;建立了真空载流服役工况摩擦试验评价条件,可实现接触电流噪音的实时监测,进一步对比传统电镀金涂层,研究了其真空载流摩擦磨损行为差异、主要影响因素及作用机制. 结果表明:在适中的偏压下,薄膜晶粒尺寸小,结构致密光滑,具有高的结合力、硬度、耐磨性以及低的接触电流噪音. 相比于电镀法,磁控溅射法制备的金膜表现出明显光滑致密的结构特征,硬度、磨损率和接触电流噪音大幅改善. 其中光滑致密的结构是抑制微电弧产生的关键因素,可有效减少电弧侵蚀失效.      

类金刚石薄膜力学特性的分子动力学模拟

基于Brenner的REBO势函数,利用分子动力学方法模拟了含氢量不同的类金刚石薄膜的纳米压痕过程,依据得到的加载卸载曲线,计算了薄膜的刚度、硬度以及弹性模量.结果表明:类金刚石薄膜的硬度由氢含量和sp³键含量两个因素共同决定;当薄膜中氢含量小于39% 时,薄膜硬度主要取决于sp³键含量,sp³键越多,硬度越高;当薄膜中氢含量达到52%,薄膜硬度则显著下降,此时氢的作用占据主导地位. 关键词： 类金刚石薄膜 分子动力学模拟 纳米压痕 硬度     

Low-parasitic ESD protection strategy for RF ICs in 0.35μm CMOS process

A systemic and comprehensive ESD-induced parasitic model is presented in this paper, which is used to analyse the parasitic influences of electrostatic discharge （ESD） protection circuits on the performance of radio frequency applications. A novel low-parasitic ESD protection structure is made in a 0.35μm 1P3M silicide CMOS process. The measured results show that this novel structure has a low parasitic capacitance about 310fF and a low leakage current about 12.2nA with a suitable ESD robustness target about 5kV human body model.     

纳米TiO_2修饰电极对鲁米诺电化学发光的增敏及TiO_2晶型的影响

该文水解合成并通过煅烧改变晶型,获得了金红石和锐钛矿两种晶型混合的二氧化钛纳米粒子。利用紫外可见分光光度法(UV-Vis)、激光粒度分析(LPSA)、X射线多晶衍射分析(XRD)和冷场发射扫描电镜(SEM)等方法对样品进行了表征。制备了以氧化铟锡(ITO)玻璃为基底的纳米TiO2修饰电极,并研究了晶型对鲁米诺电化学发光(ECL)的增敏作用的影响。结果表明,当粒径较小,经650℃煅烧处理形成混晶时,纳米TiO/ITO修饰电极对鲁米诺电化学发光的增敏效果最明显,为裸电极的7.5倍。     

Molecular Dynamic Simulation on Graphitization and Dehydrogenization of Hydrogenated Carbon Films in Vacuum

The thermal stability of hydrogenated carbon films with H fraction from zero to 51.5% is studied by carrying out a molecular dynamical simulation on the annealing process in vacuum. Our simulations show that both graphitization temperature and dehydrogenization temperature decrease with H fraction in the films, which is in good agreement with the available experimental data. The dehydrogenization temperature is found to be much higher than the graphitization temperature. It is indicated that graphitization is the dominant process causing the degeneration of hydrogenated carbon films.