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对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
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Spin and pseudospin symmetries of the Dirac equation with shifted Hulthén potential using supersymmetric quantum mechanics 下载免费PDF全文
Akpan N.Ikot Elham Maghsoodi Eno J. Ibanga Saber Zarrinkamar Hassan Hassanabadi 《中国物理 B》2013,(12):74-81
In this paper, we obtain approximate analytical solutions of the Dirac equation for the shifted Hulthén potential within the framework of spin and pseudospin symmetry limits for arbitrary spin–orbit quantum number κ using the supersymmetry quantum mechanics. The energy eigenvalues and the corresponding Dirac wave functions are obtained in closed forms. 相似文献
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