杂环分子-吗啉在同步辐射真空紫外光下的光电离解离研究

本文采用同步辐射真空紫外光电离质谱法和理论计算方法,研究了吗啉单体的光电离、解离及随后的裂解反应.实验测得吗啉单体的垂直电离能为8.37 eV(±0.05),与理论计算值8.41 eV相当吻合.实验观察到荷质比为86、57和29的吗啉碎片离子.实验和理论结果表明:荷质比为86的碎片是通过失去氢原子而产生的,而荷质比为57的碎片是通过开环消除CH_2O而形成的;荷质比为29的碎片是通过消除C_2H_4从碎片离子(C_3H_7N)~+(m/z=57)进一步解离而产生的.这一发现为研究脂肪族化合物的光损伤提供了有价值的见解,可能被转化为活细胞和其他生物系统.     

45钢柱壳膨胀断裂的应变率效应

采用前照明高速分幅照相技术拍摄到在爆轰加载下45钢柱壳表面裂纹生成、扩展及产物泄漏过程的清晰图像,较准确地测量了膨胀断裂的时间与应变。 45钢柱壳在炸药爆轰加载下,断裂应变随应变率的增加而增加,当应变率达到一定值,断裂应变随应变率的增加而降低,出现了动态断裂中的塑性峰现象。     

冲击压缩下甲烷-空气混合气体状态参数实验研究

 为研究强冲击状态下混入少量空气的甲烷气体的冲击状态参数，利用二级轻气炮加载技术，使加速到5 km/s的钨合金飞片撞击封装有常态下空气混入量依次为零（纯甲烷气体）、1%、5%、10%的甲烷-空气混合气体铝靶。采用六通道瞬态光学高温计记录冲击压缩气体的光辐射历程曲线，得到了相同初始条件下4种不同比例混合气体的冲击状态参数。结果表明，在强冲击压缩下，混合气体的冲击温度随着空气混入比例的增大而增高，冲击波后混合气体存在非平衡辐射过程。采用Saha电离平衡方程，对空气混入量为10%的混合气体的电离度进行了估算。结果表明，常态下空气含量C_air≤10%的甲烷 空气混合气体具有电探针保护能力。     

高速摄影中氙灯光源曝光量的确定

在高速摄影中，不同的拍摄距离、拍摄幅频及摄影底片所需要的曝光量也不同，为了得到最佳曝光量，需要对氙灯光源的各项参数进行选择。介绍了氙灯光源的特点及主要参数。在高速摄影光路确定的条件下，用两种方法计算氙灯光源参数，并进行实验验证。结果表明，用氙灯作为高速摄影的照明光源时，静态及动态实验均可得到较为清晰的图像。     

强流相对论性电子束在低压中性气体中传输的研究

本文给出了强流相对论性电子束(IREB)在低压中性气体中传输特性的理论和实验研究结果。660kV,40kA,脉宽100ns的电子束注入充有H_2,N_2的漂移管,稳定的传输气压范围在(0.7-6.7)×10~2Pa间,传输效率可达80％以上;极低气压时(P≈13.3Pa)由于空间电荷效应,束电子被虚阴极阻滞并径向发散,不能有效传输;而较高气压时,束电子除受自身电磁场作用及库仑碰撞散射外,等离子体不稳定性使束流传输效率明显降低。用蒙特·卡洛法及数值解析法对电荷中和、电流中和过程进行了模拟计算并解释了实验结果。     

列曼棱镜型料精化

<正> 列曼屋脊棱镜属中等精度光学零件,其加工工序较长,工艺技术有一定难度。我厂自一九七二年至一九八四年,平均每年出品约12500件。通过十余年的实践,在工程技术人员和工人师傅共同努力下,不断改进棱镜加工工艺,经济效益日逐提高。其中较为突出的有:使用型料及型料精化;粗磨加工铣磨化;铣槽磨轮改进;抛光光胶盘的改进等。     

用四叉事例样本确定J/ψ总数

详细介绍了用J/ψ衰变中的四叉事例样本确定J/ψ总数的方法,并用此方法确定了北京谱仪从1999年11月到2001年5月所收集的两批J/ψ数据的事例总数,分别为(27.00±1.48)×10⁶和(30.70±1.62)×10⁶.     

粒子鉴别中dE/dx和TOF的权重

在北京谱仪数据分析中,粒子鉴别使用了dE/dx和TOF的信息.在利用dE/dx和TOF联合鉴别粒子时,通常的做法是把两者的χ²值等权重相加(χ²方法).在不同的动量区间,dE/dx和TOF对粒子的鉴别能力不同.本文给出两者联合鉴别时不同动量区间的权重,并构造一个新的线性变量来进行粒子鉴别     

探寻上帝粒子的踪迹

 希格斯自发性对称破缺的理论在20 世纪60 年代提出。从20 世纪80 年代,科学家开始了希格斯粒子,又称上帝粒子的寻找。希格斯粒子是描述基本物质结构的标准模型最后一个未发现的粒子。所以它的发现对于标准模型的完备起着决定性的作用。     

Electroluminescence explored internal behavior of carriers in InGaAsP single-junction solar cell

The internal behaviors of carriers in InGaAsP single-junction solar cell are investigated by using electroluminescence (EL) measurements. Two emission peaks can be observed in current-dependent electroluminescence spectra at low temperatures, and carrier localization exists for both peaks under low excitation. The trends of power index α extracted from excitation-dependent EL spectra at different temperatures imply that there exists a competition between Shockley-Read-Hall recombination and Auger recombination. Auger recombination becomes dominant at high temperatures, which is probably responsible for the lower current density of InGaAsP solar cell. Besides, the anomalous "S-shape" tendency with the temperature of band-edge peak position can be attributed to potential fluctuation and carrier redistribution, demonstrating delocalization, transfer, and redistribution of carriers in the continuum band-edge. Furthermore, the strong reduction of activation energy at high excitations indicates that electrons and holes escaped independently, and the faster-escaping carriers are holes.