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1.
周春宇  张鹤鸣  胡辉勇  庄奕琪  舒斌  王斌  王冠宇 《物理学报》2013,62(7):77103-077103
本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法, 通过求解泊松方程, 建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型. 模型同时研究了短沟道, 窄沟道, 非均匀掺杂, 漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响. 采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数, 通过将模型的计算结果和实验结果进行对比分析, 验证了本文提出的模型的正确性. 该模型为应变Si超大规模集成电路的分析和设计提供了重要的参考. 关键词: 应变Si NMOSFET 阈值电压 集约物理模型  相似文献   
2.
通过合金化改性技术,Ge可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.改性后的Ge半导体可同时应用于光子器件和电子器件,极具发展潜力.基于直接带隙Ge1-x Sn x半导体合金8带Kronig-Penny模型,重点研究了其导带有效状态密度、价带有效状态密度及本征载流子浓度,旨在为直接带隙改性Ge半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有价值的参考.研究结果表明:直接带隙Ge1-x Sn x合金导带有效状态密度随着Sn组分x的增加而明显减小,价带有效状态密度几乎不随Sn组分变化.与体Ge半导体相比,直接带隙Ge1-x Sn x合金导带有效状态密度、价带有效状态密度分别低两个和一个数量级;直接带隙Ge1-x Sn x合金本征载流子浓度随着Sn组分的增加而增加,比体Ge半导体高一个数量级以上.  相似文献   
3.
针对具有poly-Si1-x Ge x栅的应变Si Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),研究了其垂直电势与电场分布,建立了考虑栅耗尽的poly-Si1-x Ge x栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型,并利用该模型分析了poly-Si1-x Ge x栅及应变Si Ge层中Ge组分对等效氧化层厚度的影响.研究了应变Si Ge PMOSFET热载流子产生的机理及其对器件性能的影响,以及引起应变Si Ge PMOSFET阈值电压漂移的机理,并建立了该器件阈值电压漂移模型,揭示了器件阈值电压漂移随电应力施加时间、栅极电压、polySi1-x Ge x栅及应变Si Ge层中Ge组分的变化关系.并在此基础上进行了实验验证,在电应力施加10000 s时,阈值电压漂移0.032 V,与模拟结果基本一致,为应变Si Ge PMOSFET及相关电路的设计与制造提供了重要的理论与实践基础.  相似文献   
4.
胡辉勇  刘翔宇  连永昌  张鹤鸣  宋建军  宣荣喜  舒斌 《物理学报》2014,63(23):236102-236102
分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程, 揭示了γ射线的作用机理及器件电学特性随辐照总剂量的演化规律, 建立了总剂量辐照条件下的双轴应变Si PMOSFET 阈值电压与跨导等电学特性模型, 并对其进行了模拟仿真. 由仿真结果可知, 阈值电压的绝对值会随着辐照总剂量的积累而增加, 辐照总剂量较低时阈值电压的变化与总剂量基本呈线性关系, 高剂量时趋于饱和; 辐照产生的陷阱电荷增加了沟道区载流子之间的碰撞概率, 导致了沟道载流子迁移率的退化以及跨导的降低. 在此基础上, 进行实验验证, 测试结果表明实验数据与仿真结果基本相符, 为双轴应变Si PMOSFET辐照可靠性的研究和应变集成电路的应用与推广提供了理论依据和实践基础. 关键词: 应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管 总剂量辐照 阈值电压 跨导  相似文献   
5.
在索特征代数闭域上考虑一般线性李超代数gl(m |n)的限制表示与超群GL(m | n)的有理表示以及它们的关系.主要结果为: (1)对gl(m | n)的不可约限制表示进行分类,其中某些单模恰是Kac-模.类似于复数域情形,给出了Kac-模不可约的充要条件; (2)当m≠n(mod p)以及p≥2h-2(h=max{m,n})时,gl(m | n)的限制投射模可以被提升为有理GL(m | n)-模,并且证明了不可约表示的投射覆盖具有Z-滤过,即滤过中的每个子商同构于"baby Vlerma模";(3)得到了一般线性超群G=GL(m | n)的r阶nobenius核的反转公式,它反映了单Gγ-模的投射覆盖的Z-滤过重数与广义baby Verma模的合成因子效之间的关系.  相似文献   
6.
本文从颗粒物质的角度探讨了风积沙的压实特性和机理。研究表明,风积沙的重型击实试验曲线呈"双驼峰"形式,表明风积沙具有干压实的特性,水在风积沙的压实过程中扮演着不同的作用|室内振动试验表明振动加速度及振动时间影响着风积沙"巴西坚果效应"与"反巴西坚果效应"之间的转化,从而影响风积沙的振实密度,二者均存在一个产生最大振实干密度的最优值。现场试验通过控制机械参数(振幅A=0.4mm,频率f=48Hz)在压实5遍的时候,可使压实度达到96.8%,CBR值达到25.3,均能满足《公路路基设计规范》要求。  相似文献   
7.
pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
舒斌  戴显英  张鹤鸣 《物理学报》2004,53(1):235-238
利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压(C-V)特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线,计算出 pn结接触电势差,并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量,进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便,其过程物理意义清晰,既适用于分立的SiGe/Si异质pn结,也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好. 关键词: SiGe/Si 异质pn结 C-V 禁带宽度  相似文献   
8.
舒斌  李海普 《化学通报》2014,77(5):396-400
固相微萃取是一种具有高灵敏度、回收率和重复性等优点的前处理技术,广泛应用于水中痕量污染物的处理,本文从固相微萃取装置、基本原理及其在水样污染物检测的中应用展开介绍,并以固相微萃取作为主题检索词,利用ISI Web of Knowledge中Web of Science引文数据库,对1998年到2012年间的相关文献进行计量分析。结果表明,固相微萃取主要应用于水样前处理,杀虫剂是主要的富集对象,气相、液相色谱以及质谱是常使用的检测器。  相似文献   
9.
Based on the analysis of vertical electric potential distribution across the dual-channel strained p-type Si/strained Si 1-x Ge x /relaxd Si 1-y Ge y (s-Si/s-SiGe/Si 1-y Ge y) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET),an-alytical expressions of the threshold voltages for buried channel and surface channel are presented.And the maximum allowed thickness of s-Si is given,which can ensure that the strong inversion appears earlier in the buried channel (compressive strained SiGe) than in the surface channel (tensile strained Si),because the hole mobility in the buried channel is higher than that in the surface channel.Thus they offer a good accuracy as compared with the results of device simulator ISE.With this model,the variations of threshold voltage and maximum allowed thickness of s-Si with design parameters can be predicted,such as Ge fraction,layer thickness,and doping concentration.This model can serve as a useful tool for p-channel s-Si/s-SiGe/Si 1-y Ge y metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designs.  相似文献   
10.
含有δ掺杂层的SiGe pMOS量子阱沟道空穴面密度研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
胡辉勇  张鹤鸣  戴显英  吕懿  舒斌  王伟  姜涛  王喜媛 《物理学报》2004,53(12):4314-4318
建立了含有δ掺杂层的SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型,并对该模型进行了数值分析.讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系,阈值电压VT与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟道载流子面密度Ps及本征层厚度di等参数间的关系.同时还讨论了准静态时量子阱空穴面密度P′s与栅压VGS的关系. 关键词: δ掺杂层 空穴面密度  相似文献   
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