用正电子寿命谱研究GeSe_x硫系玻璃的自由体积

采用正电子寿命谱和拉曼散射研究了不同组分配比的Ge Sex(x=6,7,8,9)硫系玻璃的微结构.正电子寿命结果显示在x=8时,其平均正电子寿命具有最小值.拉曼光谱结果研究表明,这种硫系玻璃样品主要由[Ge Se4]四面体和Seμ链的结构单元构成.以上的实验结果用级配理论得到了合理的解释,这两种结构单元配比关系的变化导致硫系玻璃样品中的自由体积变化,从而导致正电子平均寿命减小.研究发现Ge Se8具有最小的自由体积,即具有最稳定的结构.     

用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．     

An Experimental Study of Mg Aggregation in AA5754 Alloys by Positron Annihilation Spectroscopy

Defects in an AA5754 （Al-3.0%Mg） alloy are investigated by coincidence Doppler broadening spectroscopy and positron lifetime spectroscopy. The results indicate enhancement of positron trapping by Mg atoms in this Al-Mg alloy after quenching treatment at 623K, which may be due to the formation of vacancy-Mg complexes or the aggregation of Mg near the vacancy sites. It is speculated that the aggregation of Mg atoms in the moderate temperature range is responsible for cracking in spot welding of AA5754 alloys.     

最小平方距离法和隐式线性函数关系的参数估计

本文再次指出:最小平方距离法(LSD),也可叫最小模方法,是从解决多维空间n个点的超平面拟合问题而提取的;通过对p个随机变量的n组观测值,此方法是探求它们之间是否存在隐式线形函数关系的好方法;使用此法,可以得出隐式线形函数关系较好的参数估计。     

带有定性因素均匀设计的均匀性度量准则

我们在文〔3〕中曾讨论了如何用均匀设计来安排含有定性因素的试验。在文〔1〕中所使用的均匀设计表是针对试验中全为连续因素设计的。显然 ,当试验中含有定性因素时 ,均匀性的度量和相应均匀设计表的设计都会有所不同。这是一个值得研究的课题。本文主要探讨均匀性的度量 ,并用文中提出的准则 ,对文〔1〕中一些均匀设计表的均匀性给出了数值性结果     

纳米金属材料热稳定性及其表征方法研究进展

高温条件下,纳米金属材料晶粒易于长大,导致其强度、硬度等力学性能的退化,这一问题限制了纳米金属材料的工艺发展及应用.纳米金属合金的热稳定性研究致力于通过动力学或热力学手段抑制纳米晶粒高温下的生长,提高纳米金属材料的热稳定性.本文简要地介绍了纳米金属材料研究中的热力学与动力学机理发展,重点梳理了纳米金属材料热稳定性研究所涉表征方法,包括X射线衍射仪(XRD)、电子显微镜系统(SEM和TEM)、聚焦离子束成像系统(FIB)、热分析系统(TA)、原子探针系统(APT)等,系统地介绍了有限配比纳米合金(纳米铁合金、纳米铜合金、纳米铝合金等)和多元纳米合金(纳米合金钢、氧化物弥散增韧纳米合金等)的热稳定性理论和实验研究,并对当前纳米金属材料的热稳定性研究进行了总结.     

用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷

利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.     

符合多普勒展宽谱的源修正研究

测量了Ti，Ni，Cu，Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱，采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱，讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱，将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开，进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。In the present work, Coincidence Doppler Broadening （CDB） measurements have been performed for five elements i.e. Ti, Ni, Cu, Al and Si. As to the CDB spectra of Ni, we obtained the annihilation fraction of positron-electron pairs in the source by least square fitting. After source correction, spectra for Si are also given to indicate the influence of source components. CDB spectra were simulated with Gauss-Parabola model to separate annihilation contribution of core electrons from outermost electrons. Furthermore, a new source correction method, i.e. source correction will be done only in the contribution of core electron, has been presented     

未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究

在 10～ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10～ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0～ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .     

正电子湮没谱和光致发光谱研究掺锌GaSb质子辐照缺陷

用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ₂及强度I₂的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷V_GaV_Sb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τ_av和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaS