固体介质间隔层激光标准具性能的影响因素研究

针对固体介质间隔层的镀膜标准具, 以1 064 nm激光镀膜标准具为例, 首先研究了反射膜堆数对反射带宽、基底厚度以及对自由光谱区的影响:标准具的带宽随着膜层堆数增加而减小, 自由光谱区随着基板厚度的增加而减小;其次研究了基底误差对标准具中心波长定位和透过率的影响, 通过定量数值计算证明了基底误差可通过标准具的使用角度补偿;针对典型的H(LH)^m/Substrate/(HL)^mH和L(LH)^m/Substrate/(HL)^mL两个膜系结构, 研究了入射激光发散角对标准具中心波长偏移、通带半宽度、中心波长透过率和最大透过率的影响。随着激光发散角的增加, 中心波长向短波方向移动, 通带半宽度、中心波长透过率和最大透过率呈现下降的趋势, 并且第二个膜系结构的标准具性能优于第一个膜系结构的标准具。     

由3-二茂铁-2-丁烯酸根和1,10-邻菲啰啉构筑的一维链状铅(II)配位聚合物的合成、晶体结构及电化学性质

Pb(OAc)₂•3H₂O, 3-二茂铁-2-丁烯酸钠以及1,10-邻菲啰啉在甲醇中反应得到了铅的配位聚合物: [Pb(m-OOCCH＝C(CH₃)Fc)(m₂-OOCCH＝C(CH₃)Fc)(phen)]_n (Fc＝(h⁵-C₅H₅)Fe(h⁵-C₅H₄); phen＝1,10-邻菲啰啉). 单晶测试表明: 每个铅离子为六配位, 其中4个氧原子来自4个3-二茂铁-2-丁烯酸根, 另2个氮原子来自邻菲啰啉; 相邻的铅离子通过3-二茂铁-2-丁烯酸根的单齿和双齿氧原子桥连形成了一个无限的一维长链. 研究了标题化合物在DMF溶液中的电化学性能.     

基于常温无外压的转移印刷技术构筑半球状多级Ag基底

基于自组装技术制备了3种不同粒径的聚苯乙烯微球阵列,并翻制了与微球阵列互补的软模板.基于室温无外压的转移印刷技术制备了聚甲基丙烯酸甲酯半球形微纳阵列,然后基于原位光还原技术在聚甲基丙烯酸甲酯半球表面制备Ag纳米颗粒,构筑了拉曼增强的半球状多级Ag基底.转移印刷技术的关键是利用软模板自身的低表面能和表面羟基化的图案化材料与亲水基底界面间的氢键作用力.     

Single Mode Er-Doped π-Phase-Shifted Distributed Feedback Fibre Grating Laser

A novel method incorporating the shielded method and the post-processing method has been proposed to fabricate the π-phase-shifted fibre grating. Then an Er-doped π-phase-shifted distributed feedback fibre grating laser has been fabricated using the grating. The laser threshold is 20mW. When pumped with 90mW light at 980nm, the laser gives an output of 1.1mW. Its signal-to-noise ratio is better than 60dB. It is demonstrated that the laser is single mode operation by means of a Fabry--Perot scanning interferometer.     

基于窄内径多孔层毛细管开管柱的纳流高效液相色谱用于N-衍生化氨基酸对映体的分离

窄内径多孔层毛细管开管柱(NPLOT柱)在生命科学领域,特别是单细胞分析领域具有较好的应用前景。本研究采用原位热引发聚合法来制备窄内径奎尼丁类手性固定相多孔层开管柱,在6μm i.d.的毛细管中制备有机聚合物多孔层,考察了不同热聚合时间(3、6和9h)对NPLOT柱形貌的影响,热聚3h和6h制备的NPLOT柱形貌均一,多孔层厚度分别为103±51nm和210±51nm。将热聚合3h制备的NPLOT柱用于纳流高效液相色谱分离N-衍生化氨基酸对映体,在2min内即可实现基本分离,消耗的样品量仅为皮升级别。该研究将为单细胞分析提供研究手段。     

具有禁带展宽特性的一维光子晶体

提出了介质的光学厚度系数成圆形分布的一维光子晶体结构,与周期结构的光子晶体相比,该结构具有禁带展宽特性.同时讨论了起止膜层及膜层的光学厚度对该结构禁带特性的影响,优化出了在所选材料的介电常数所允许的频率范围内,具有完全禁带特征的光子晶体结构.     

制备工艺条件对SiO2薄膜非均质特性的影响

薄膜材料的生长过程随镀膜机尺寸的增大而呈现新的规律,为制备膜层均匀性好、材料均质的大尺寸光学元件,分别在不同离子源能量、沉积压强、基板加热温度及基板转速条件下,采用离子辅助电子束蒸发方法制备了不同单层SiO2薄膜样品;利用分光光度计及椭偏仪分别对样品的透过率及椭偏参数进行测量,并对测量结果进行拟合得到不同样品的折射率及非均质特性。实验结果表明,工件架转速是使大尺寸SiO2薄膜材料产生非均质特性的主要影响因素,离子源能量、基板温度、沉积压强通过影响材料生长过程对材料的非均质特性产生调控;对于大尺寸薄膜光学元件,工件架转速存在限制的条件下,优化其他工艺参数可以获得均质SiO2薄膜材料,该结果对于制备具有优良性能的大尺寸薄膜光学元件具有借鉴意义。     

Wavefront correction of Ti:sapphire terawatt laser with varying precision of phase conjugation between deformable mirror and wavefront sensor

The phase conjugation between the deformable mirror and the wavefront sensor in the aberration correction of a terawatt Ti:sapphire laser is studied experimentally and theoretically in this paper. At varying values of phase-conjugation precision, we focus the corresponding beams into spots of the same size of 5.1 μm×5.3 μm with a f/4 parabola in the 32 TW/36 fs Ti:sapphire laser system. The results show that the precision of conjugation can induce an intensity modulation but does not significantly affect the wavefront correction.     

密集阵高功率微波空间功率合成

对基于矩形阵列的高功率微波二维密集阵阵列合成进行了研究。仿真分析了均匀矩形栅格阵列的远场方向图,结果表明采用密集阵可以实现高效的、具有确定主波束的空间功率合成。并分析了阵元间距及阵元初相位对阵列空间功率合成的影响,结果表明:阵元间距越小,栅瓣越少,主波束宽度越宽,具有确定主波束的临界距离越小;当目标高度超过阵临界距离时,阵元初相位相差越小合成效率越高,阵列初相位分布范围超过/2时,阵列得不到确定的主波束,进行阵列设计时应充分考虑阵元间距及初相位对阵列合成的影响。