考虑轴向力和渗透力时软化围岩隧道解析

为了研究轴向应力和渗透力共同作用下软化围岩的应力与位移的变化及分布规律.基于摩尔--库伦屈服准则及应力--应变软化模型并考虑轴向应力和渗透力的共同作用,将整个塑性区分为有限个同心圆环,以弹塑性交界面处的应力、应变为初始值,并采用微小径向应力增量逐步求出各个圆环上的应力应变及塑性区半径,据此重构了考虑渗透力和轴向力共同作用下软化围岩应力应变特性的逐步求解方法.利用该方法,推导出软化围岩应力应变的解.计算结果表明:在考虑轴向应力作用下,塑性区半径和隧道围岩位移都随着渗透力的增加而有所减小;当轴向应力为最小主应力时,渗透力的影响更为显著.这说明渗透力的存在对于隧道围岩的应力应变分布以及塑性半径和围岩的位移有不可忽略的影响.     

基于红外技术的气体浓度检测方法研究

依据Lambert-Beer定律,推导出检测气体浓度的数学模型,得出了测量和参考探测器输出电压与气体浓度的函数表达式,表达式中的二个常数的数值取决于气室长度、气体吸收系数、探测器的电压探测率,经零点和满量程标准气样的标定,可确定这二个常数的数值,实现对仪器的标定.根据仪器零点随温度变化的关系,得到零点与温度函数表达式,用于零点温度补偿以及对零点温度补偿系数的计算;量程温度补偿方法是通过引入量程温度补偿因子,对测量和参考探测器输出电压与气体浓度的函数表达式进行修正,修正后的函数表达式用于量程温度补偿,也能对量程温度补偿因子中的补偿系数进行计算.矿用红外甲烷传感器采用本文的标定方法和温度补偿方法,在不同的环境温度下,对标准气样进行检测,其检测结果符合红外甲烷传感器标准所规定的基本误差.     

Moiré superlattice modulations in single-unit-cell FeTe films grown on NbSe2 single crystals

Interface can be a fertile ground for exotic quantum states, including topological superconductivity, Majorana mode, fractal quantum Hall effect, unconventional superconductivity, Mott insulator, etc. Here we grow single-unit-cell (1UC) FeTe film on NbSe₂ single crystal by molecular beam epitaxy (MBE) and investigate the film in-situ with a home-made cryogenic scanning tunneling microscopy (STM) and non-contact atomic force microscopy (AFM) combined system. We find different stripe-like superlattice modulations on grown FeTe film with different misorientation angles with respect to NbSe₂ substrate. We show that these stripe-like superlattice modulations can be understood as moiré pattern forming between FeTe film and NbSe₂ substrate. Our results indicate that the interface between FeTe and NbSe₂ is atomically sharp. By STM-AFM combined measurement, we suggest that the moiré superlattice modulations have an electronic origin when the misorientation angle is relatively small (≤ 3°) and have structural relaxation when the misorientation angle is relatively large (≥ 10°).     

高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究

由于铟镓锌氧化物(IGZO) 薄膜具有高迁移率和高透过率的特点, 它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT). 本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极, 用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸, 制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 (IGZO-TFT). 利用X 射线衍射仪(XRD) 和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱, 研究了IGZO薄膜的结构和光学特性. 通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线, 讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响. 制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6 cm²·V^-1·s^-1, 开关比高于10⁷. 关键词： 非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 有源层     

磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件。重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响。制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2%。     

双溶剂法制备CuCl@MIL-101(Cr)配位型吸附剂及其脱硫性能

分别以CuCl2和维生素C为Cu??源和绿色还原剂,MIL?101(Cr)为多孔载体,采用双溶剂法直接将CuCl2引入MIL?101(Cr)孔道内并全部还原成CuCl,成功实现了在金属有机骨架材料上构筑Cu??活性位。结果表明,双溶剂法不会影响载体MIL?101(Cr)的结构,引入的铜物种全部被选择性地还原成CuCl。当CuCl负载量为2.85 mmol·g^-1时,吸附剂对噻吩的吸附性能达到最佳,饱和吸附量为0.175 mmol·g^-1,明显高于载体MIL?101(Cr)的0.112 mmol·g^-1。本策略实现了在温和条件下高效可控地制备Cu??功能化吸附剂,其丰富的Cu??位点和高孔隙率使得该吸附剂具有较好的吸附脱硫性能。     

基于α-氢迁移策略构建杂环骨架的研究进展

杂环化合物的高效构建是有机合成领域的重要课题,[m+n]环化反应可将两个相对简单易得的反应底物进行组合,是构建环状骨架的重要手段.基于负氢迁移策略的[m+n]环化反应将两个相对易得的底物原位生成负氢受体,避免反应底物的预制,具有高的原子和步骤经济性.选取基于负氢迁移策略的[m+n]环化反应为研究对象,从通过该类反应所构建的氮杂、氧杂环骨架着手,按照生成氮杂、氧杂环的大小进行分类,综述了2018年以来基于负氢迁移策略的[m+n]环化反应的研究进展,并对该领域的发展方向进行了展望.