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1.
使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
关键词:
氟化非晶碳薄膜
ECR等离子体沉积
键结构
介电性质 相似文献
2.
3.
研究了真空热处理对掺CH.的SiCOH低介电常数薄膜的电流.电压(I-V)特性、电容.电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:在热处理过程中,热稳定性较差的碳氢基团发生了热解吸,使薄膜的漏电流减小、绝缘性能改善,并使薄膜的导电行为更趋于空间电荷限流过程.碳氢基团的热解吸使SiCOH/Si界面的界面态发生改变,导致SiCOH薄膜MIS结构的平带电压VFB发生漂移.封端的碳氢基团热解吸使薄膜表面的开口孔结构减少,薄膜表面变得更平整.但是碳氢基团为疏水基团,其热解吸导致薄膜的疏水性能降低. 相似文献
4.
以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性.
关键词:
氟化非晶碳膜
光学带隙
退火温度
热稳定性 相似文献
5.
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
关键词:
氟化非晶碳膜
电子回旋共振化学气相沉积
红外吸收光谱 相似文献
6.
Effect of F doping on capacitance-voltage characteristics of SiCOH low-k films metal-insulator-semiconductor structure 下载免费PDF全文
This paper investigates the capacitance--voltage
($C$--$V$) characteristics of F doping SiCOH low dielectric constant
films metal--insulator--semiconductor structure. The F doping SiCOH
films are deposited by decamethylcyclopentasiloxane (DMCPS) and
trifluromethane (CHF7755, 6855 http://cpb.iphy.ac.cn/CN/10.1088/1674-1056/19/5/057701 https://cpb.iphy.ac.cn/CN/article/downloadArticleFile.do?attachType=PDF&id=111779 F-SiCOH, low-k dielectrics, capacitance--voltage
characteristic Project supported by the National
Natural Science Foundation of China (Grant No.~10575074). 2/4/2009 12:00:00 AM This paper investigates the capacitance--voltage
($C$--$V$) characteristics of F doping SiCOH low dielectric constant
films metal--insulator--semiconductor structure. The F doping SiCOH
films are deposited by decamethylcyclopentasiloxane (DMCPS) and
trifluromethane (CHF$_{3})$ electron cyclotron resonance plasmas.
With the CHF$_{3}$/DMCPS flow rate ratio from 0 to 0.52, the
positive excursion of $C$--$V$ curves and the increase of flat-band
voltage $V_{\rm FB}$ from $-6.1$~V to 32.2~V are obtained. The
excursion of $C$--$V$ curves and the shift of $V_{\rm FB}$ are
related to the change of defects density and type at the Si/SiCOH
interface due to the decrease of Si and O concentrations, and the
increase of F concentration. At the CHF$_{3}$/DMCPS flow rate ratio
is 0.12, the compensation of F-bonding dangling bond to Si dangling
bond leads to a small $V_{\rm FB}$ of 2.0~V. 半导体结构;电压特性;电容电压;绝缘体;薄膜;金属;电子回旋共振等离子体;兴奋剂 This paper investigates the capacitance-voltage (C-V) characteristics of F doping SiCOH low dielectric constant films metal-insulator-semiconductor structure. The F doping SiCOH films are deposited by decamethylcyclopentasilox-ane [DMCPS) and trifluromethane (CHF3) electron cyclotron resonance plasmas. With the CHF3/DMCPS flow rate ratio from 0 to 0.52, the positive excursion of C-V curves and the increase of fiat-band voltage VFB from -6.1 V to 32.2V are obtained. The excursion of C-V curves and the shift of VFB are related to the change of defects density and type at the Si/SiCOH interface due to the decrease of Si and O concentrations, and the increase of F concentration. At the CHF3/DMCPS flow rate ratio is 0.12, the compensation of F-bonding dangling bond to Si dangling bond leads to a small VFB of 2.0V. 相似文献
7.
不锈钢在低温系统中应用广泛,但各种牌号的不锈钢材料在低温区间的热导率测试数据却很少。文献推荐的计算纯铁低温热导率的经验公式并不适用于不锈钢。在文献公式的基础上,提出了一种针对奥氏体不锈钢材料的低温热导率计算方法,可基于4K~20K温度区间内电阻率或热导率的单点测试数据,估算4K~300K温度区间的热导率,也可根据室温电阻率或热导率的测试数据,但计算精度比前者略低。计算方法通过了美标304、316、317、321牌号不锈钢实测数据的验证。基于该计算方法建立了奥氏体不锈钢低温热导率计算程序,估算了国产牌号1Cr18Ni9Ti不锈钢4~300K温度区间的热导率,并与文献中的测试数据进行了对比验证,相对计算误差能够满足工程设计需要。 相似文献
8.
通过在聚氨酯泡沫模板中沉积多壁碳纳米管,用炭的预制体酚醛树酯将碳纳米管粘接固定在一起,经过高温碳化过程制备了碳纳米管-炭复合泡沫材料。红外光谱结果表明利用浓硫酸和浓硝酸的混合溶液处理可以使复合泡沫表面活化形成羧基和羟基,从而使复合泡沫具备较强的分子吸附能力。扫描电镜和氮吸附实验表明这种复合泡沫同时具备大孔和介孔,大孔能够满足流体自由流动的通畅性,介孔可以满足中分子的吸附需要。对标定物维生素B12的吸附实验证明这种复合泡沫对中分子量的生化分子具有有效的吸附能力。这种宏观尺寸的泡沫材料与传统的颗粒状活性炭相比具有简化工艺,提高吸附效率的应用潜力。 相似文献
9.
以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-C VD)方法制备了k = 2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的 FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差 异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于 薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度, 结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si—C键以及—OH键减少的共同作用,导致薄膜介电 常数的降低.
关键词:
低介电常数
SiCOH薄膜
碳氢掺杂 相似文献
10.