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基于分子动力学方法对含预制裂纹石墨烯进行扶手椅向拉伸断裂模拟。使用连续介质理论结合分子动力学计算石墨烯能量释放率,确定石墨烯能量释放率GIC为10.25 J/m2;应力强度因子KIC为 3.33MPam^1/2。进一步对影响石墨烯裂纹扩展速率的因素-初始裂纹长度与加载速率进行讨论。结果表明:裂纹初始长度与加载率会在一定程度上影响石墨烯中裂纹扩展速率。裂纹扩展速率会随着初始裂纹长度的增加而降低;但随着初始裂纹长度的增加,裂纹扩展速率对其敏感度降低。裂纹扩展速率会随着加载率的升高而增大。 初始裂纹长度与加载率对裂纹扩展速率的影响有一定的关联性,加载率的升高会降低裂纹扩展速率对初始裂纹长度变化的敏感度。在此基础上确定了石墨烯中裂纹扩展极限速率为8350 m/s。关联性,加载率的升高会降低裂纹扩展速率对初始裂纹长度变化的敏感度。在此基础上确定了石墨烯中裂纹扩展极限速率为8350 m/s。 相似文献
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Saddle_nodebifurcationoftenoccursindissipativenonlineardynamicsystemsubjectedtoperiodicexternalexcitation,anditsexistencewillaffectthedynamicbehaviorsofthesystemgreatly.Itwillactasajumpphenomenoninpractice[1].Ifthehysteresiscancoexistwiththejumpinthe… 相似文献
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晶粒尺寸、温度和应变率等对纳米材料的力学性能有重要影响.论文通过分子动力学(MD)数值模拟,分析了不同晶粒尺寸多晶石墨烯在不同温度、拉伸应变率下的杨氏弹性模量、极限应力和极限应变等拉伸力学性能.结果表明,晶粒尺寸、温度和拉伸应变率对拉伸力学性能有较大影响.利用正交实验理论,分别分析了杨氏弹性模量、极限应力和极限应变对晶粒尺寸、温度和拉伸应变率的敏感程度.结果表明,杨氏弹性模量和极限应力对影响因素的敏感程度由大到小依次为晶粒尺寸、温度和拉伸应变率;极限应变对影响因素的敏感程度由大到小依次为晶粒尺寸、拉伸应变率和温度.研究结果可为多晶石墨烯的理论研究和工程应用提供参考. 相似文献
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石墨烯的加工和掺杂是其工程应用和性能开发的重要手段,离子辐照技术是实现上述目的的有效途径.利用分子动力学方法建立了硅离子辐照石墨烯和辐照后拉伸的数值模型.考虑辐照剂量、辐照能量和辐照角度这3个主要影响因素,研究了不同辐照条件下石墨烯的缺陷类型和数量,并分析了在辐照剂量影响下的拉伸破坏.结果表明:当辐照能量较小时,入射粒子会吸附在石墨烯表面.随着辐照能量的增大,入射粒子会穿透石墨烯而形成缺陷,当辐照能量到达一定值时,再无吸附原子.随着辐照剂量的增加,溅射原子和缺陷数目均增多,且缺陷类型以空位缺陷为主,其拉伸力学性能随着缺陷数量的增加而减小,二者近似成线性关系.辐照后石墨烯的拉伸破坏机理与完美石墨烯的有所不同,应力强化阶段明显缩短,缺陷带决定其起裂位置和断裂走向. 相似文献
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为减小对文物本体的破坏,本文基于新疆某土遗址加固保护中碳纤维楠竹锚杆锚固力原位测试试验,考虑锚杆直径、长度、倾斜角以及灌浆体强度、孔径、碳纤维缠绕间距等锚固力影响因素,利用人工神经网络(artificial neural network, ANN) 的误差反向传播(back propagation, BP) 算法及MATLAB 人工神经网络工具箱,建立了锚固力预测的智能模型;并以原位测试所得的数据为学习样本和检验样本,验证了该方法的适用性和可行性. 将训练好的网络模型进行扩展计算,基于L25(56) 正交表试验理论分析了锚固力对各影响因素的敏感性,为同类加固工程的实际应用提供参考依据. 相似文献
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Annealing temperature influence on the degree of inhomogeneity of the Schottky barrier in Ti/4H–SiC contacts 下载免费PDF全文
Tung's model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly' and the difference(△Φ)between the uniformly high barrier height(Φ0B) and the effective barrier height(Φeff B). Those two parameters of Ti Schottky contacts on 4H–Si C were deduced from I–V measurements in the temperature range of 298 K–503 K. The increase in Schottky barrier(SB) height(ΦB) and decrease in the ideality factor(n) with an increase measurement temperature indicate the presence of an inhomogeneous SB. The degree of inhomogeneity of the Schottky barrier depends on the annealing temperature, and it is at its lowest for 500-°C thermal treatment. The degree of inhomogeneity of the SB could reveal effects of thermal treatments on Schottky contacts in other aspects. 相似文献