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给出了弹性系统瞬时势能泛函的一般表达式,得到了其关于任意挠曲输液管道的具体表达式,根据瞬时最小势能原理建立了该结构的有限元动力方程,并首次推导出其离心力载荷公式,讨论了管道结构静平衡位置的发散流速的确定,最后,用简单的实验结果对理论分析作了验证。 相似文献
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给出利用本征正交分解(POD)对屋盖风压场进行重建和预测的研究结果.对一个双坡屋盖用同步多点压力扫描系统进行了风洞试验,根据POD技术采用前若干阶本征模态重建屋盖风压场.采用两种方案预测未布置测压点位置的风压时间序列.第一种方案中利用插值技术获得没有测压点位置的本征模态值.第二种方案对参考屋盖和需预测的新屋盖分别进行试验,结合由参考屋盖试验萃取的本征模态和由新屋盖试验的风压数据计算的主坐标,预测出新屋盖未知区域的风压时间序列.文中对风压场重建和预测的效果作了分析,而且比较了根据测量的风压数据和预测的风压数据所计算的屋盖风致响应. 相似文献
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近年来,二维层状材料由于其丰富的材料体系和独特的物理化学性质而受到人们的广泛关注.后摩尔时代要求器件高度集成化,大面积、高质量的二维材料可以保证器件中结构和电子性能的连续性.要实现二维材料工业级别的规模化生产,样品的可控制备是其前提.化学气相沉积是满足上述要求的一种强有力的方法,已广泛应用于二维材料及其复合结构的生长制备.但是要实现多种二维材料大尺寸以至晶圆级的批量制备仍然是很困难的,因此,需要进一步建立对各种二维材料生长控制的系统认识.本文基于材料生长机理分析了化学气相沉积反应中的物质运输、成核、产物生长过程对二维材料尺寸的影响,以及如何通过调控这些过程实现二维材料大面积薄膜的可控制备.通过对目前研究成果的总结分析,讨论了如何进一步实现二维材料的高质量大面积制备. 相似文献
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随着后摩尔时代的到来,对大容量、高速度信息处理的需求使得半导体器件应用由电子集成转向光子集成,高性能微纳激光器是实现光子集成的重要环节.种类丰富的半导体材料促进了半导体微纳激光器的快速发展,近年来,随着大量新型半导体材料(如二维半导体、铅卤钙钛矿等)的涌现,有望实现半导体微纳激光器性能的进一步提升.由于钙钛矿材料具有高光吸收、缺陷高容忍、激子结合能大等优异光学性质,使其成为高增益、低阈值半导体微纳激光器的优秀候选材料.法布里-珀罗(F-P)谐振腔激光器是钙钛矿激光器中研究广泛、结构简单、应用价值较高的一类激光器.本文以铅卤钙钛矿F-P谐振腔激光器为例,对其工作机理以及近年来的研究成果进行综述,从激子与光子弱耦合的光子激光和强耦合的极化子激光两个方面出发,详细介绍了钙钛矿材料既作为增益介质又作为谐振腔的F-P结构激光器以及仅作为增益介质的F-P腔激光器的激光的产生原理和影响因素,最后总结了钙钛矿F-P谐振腔激光器当前面临的挑战,展望了其进一步发展可能具备的前景. 相似文献
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Highly Sensitive Mid-Infrared Photodetector Enabled by Plasmonic Hot Carriers in the First Atmospheric Window 下载免费PDF全文
The first atmospheric window of 3-5 μm in the mid-infrared(MIR) spectral range pertains to crucial application fields,with particular scientific and technological importance.However,conventional narrow-bandgap semiconductors operating at this band,represented by mercury cadmium telluride and indium antimonide,suffer from limited specific detectivity at room temperature and hindered optoelectronic integration.In this study,a plasmonic hot electron-empowered MIR photodetector based on Al-doped ZnO... 相似文献
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Jintao Hong 《中国物理 B》2021,30(8):87801-087801
Optoelectronic properties of MoSe2 are modulated by controlled annealing in air. Characterizations by Raman spectroscopy and XPS demonstrate the introduction of oxygen defects. Considerable increase in electron and hole mobilities reveals the highly improved electron and hole transport. Furthermore, the photocurrent is enhanced by nearly four orders of magnitudes under 7 nW laser exposure after annealing. The remarkable enhancement in the photoresponse is attributed to an increase in hole trapping centers and a reduction in resistance. Furthermore, the annealed photodetector shows a fast time response on the order of 10 ms and responsivity of 3×104 A/W. 相似文献
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