含氚废气净化系统研制

在中子发生器的运行过程中，会释放一定量的氚，为对使用中产生的含氚废尾气进行净化处理，必须研制—套废氚净化处理系统。该系统的研制包括工艺流程设计、流程中各主要反应器的设计及自动控制功能设计等方面。     

由“切线长定理的应用“谈课堂问题的设置

在数学教学中,如何设置问题,是许多教师在探索的课题.下面介绍本人在"切线长定理及其应用"的教学与分析研究中涉及的设置数学问题的方法.     

NMR频率综合器的微机控制

为实现ＰＴＳ系列频率综合器的微机控制，设计了一种简单的控制电路。在微机的控制下，通过该电路与微机的并行通讯口，用Ｃ语言编写的控制程序可以很方便的控制频率综合器的输出频率。控制程序采用菜单操作，电路所需的＋５Ｖ电源由微机提供，整个控制系统简单实用，值得推广。     

简易型离子选择电极-流动注射分析仪的研制及卤水中氯、溴和碘的连续测定

本文设计研制了简单实用的流通池,组装了简易型离子选择电极—流动注射分析仪,对体系的分析特点和影响因素进行了考察。此装置性能可靠,能满足简单流注分析的需要,并建立了卤水中Cl~-、Br~-和I~-的连续测定方法。     

流动注射电位滴定研究：氟化物沉淀滴定测锂

设计制作了一种简便的梯度混合室,并考察了其性能,试验结果证实了此混合室的合理性和有效性.用此混合室建立了流动注射电位滴定测锂的新方法,载流为1×10~(-5)～1×10~(-4)mol·L~(-1)的F~乙醇-水(9 1)溶液,流速4.2ml·min~(-1),混合室体积400μl,进样体积120μl,分析速度60样·h~(-1),检出范围取决于载流中滴定剂的浓度,方法用于卤水中锂的测定,结果令人满意.     

高效液相色谱同时测定饲料中三种抗生素

建立了反相高效液相色谱法同时检测饲料中土霉素、四环素、金霉素的方法.色谱柱为AichromBond-AQ C18柱,150×4.6mm,粒度5μm;流动相:0.01mol/L磷酸二氢钠溶液(pH2.5)+乙氰,采用梯度洗脱,乙氰浓度在0～13min内由13%上升到40%;柱温35℃;流速为1.0mL/min;进样量101μL;检测波长375nm.方法检出限:土霉素和四环素0.25μg/mL、金霉素0.50μg/mL,回收率91.70%～101.19%,RSD<1.39%(n=7).     

漩涡辅助-分散液液微萃取-高效液相色谱法测定沉积物中的多环芳烃

建立了漩涡辅助萃取(VAE)分散液液微萃取(DLLME)高效液相色普法(HPLC)测定水系沉积物中多环芳烃(PAHs)的方法。对萃取剂和分散剂的种类及体积、萃取时间、盐效应及pH值等参数进行了优化。在优化条件下,方法检出限为2.3～6.8 ng/g,线性范围为10～2100 ng/g,相关系数0.9986～0.9994,低、中、高3个浓度水平的平均加标回收率分别为85.2%±4.7%,85.0%±5.0%和85.0%±5.1%,平均相对标准偏差(RSD)分别为5.7%,6.1%和5.7%。采用本方法对实际沉积物样品中PAHs进行分析,所有沉积物样品中均检出PAHs,3组不同采样深度沉积物样品中PAHs平均含量分别为73.3,49 8和28.3 ng/g,平均加标回收率分别为84.8%±4.8%,83.1%±4.7%和84.6%±4.6%。     

聚氯乙烯膜修饰碳微电极的研制及应用

采用浸涂流延法制得ＰＶＣ膜修饰碳微电极,用Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６的循环伏安图考察了电极的电化学性能,并用此电极建立了环境水样中痕量汞的阳极溶出伏安法测定。在０．０６ｍｏｌ／Ｌ ＫＳＣＮ＋０．０１ｍｏｌ／ＬＫＣｌ介质中,富集电位－０．８０Ｖ,搅拌富集时间３００ｓ,扫描电压范围－０．２０～０．４０Ｖ,扫描速率３１４ｍＶ／ｓ,咄峰电流与Ｈｇ＾２＋浓度在０．０１～２．０ｍｇ／Ｌ的范围内有良好的线性关系,本电极     

具有垂直磁各向异性的TbCo／Cr非晶磁化膜

采用不加偏压的磁控溅射方法,制备了具有垂直磁晶各向异性的TbCo/Cr非晶垂直磁化膜,并且就Cr底层对TbCo膜磁性能的影响进行了研究。研究发现TbCo磁性层的厚度以及Cr底层的存在都会影响TbCo薄膜磁晶各向异性能的大小。对于厚度为120 nm,并且带有180 nm厚度Cr底层的Tb31C69薄膜而言,其磁晶各向异性能高达4.57×106 erg·cm-3,而对于同样厚度的Tb31C69薄膜,当它没有带Cr底层时,其磁晶各向异性能只有3.24×106 erg·cm-3。扫描电镜的观测结果表明,带有Cr底层的TbCo薄膜具有柱状结构。正是TbCo薄膜内的柱状结构导致了其磁晶各向异性的增强。     

Towards Fabrication of Atomic Dopant Wires via Monolayer Doping Patterned by Resist-Free Lithography

Fabrication of atomic dopant wires at large scale is challenging.We explored the feasibility to fabricate atomic dopant wires by nano-patterning self-assembled dopant carrying molecular monolayers via a resist-free lithographic approach.The resist-free lithography is to use electron beam exposure to decompose hydrocarbon contaminants in vacuum chamber into amorphous carbon that serves as an etching mask for nanopatterning the phosphorus-bearing monolayers.Dopant wires were fabricated in silicon by patterning diethyl vinylphosphonate monolayers into lines with a width ranging from 1 μm down to 8 nm.The dopants were subsequently driven into silicon to form dopant wires by rapid thermal annealing.Electrical measurements show a linear correlation between wire width and conductance,indicating the success of the monolayer patterning process at nanoscale.The dopant wires can be potentially scaled down to atomic scale if the dopant thermal diffusion can be mitigated.