In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响

Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-Al_xGa_1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-Al_xGa_1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低Al_xGa_1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-Al_xGa_1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1 100 ℃下生长Al_xGa_1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-Al_xGa_1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-Al_xGa_1-xN层后,LED器件性能明显提高。     

乳液聚合法制备P(St/BA)-KAl(OH)2CO3纳米复合物

利用乳液聚合法制备了一种含KAl(OH)2CO3纳米粒子的聚苯乙烯／丙烯酸丁酯复合物．Zeta电位、粒径分布、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)等分析表明KAl(OH)2CO3粒子能够稳定地分散于苯丙乳液的乳胶粒中，形成核一壳结构．热失重(TG)分析表明KAl(OH)2CO3粒子的加入能提高复合物的热稳定性，使其在阻燃涂料领域有着潜在的应用前景．     

Effect of Indium Ambient on Electrical Properties of Mg-Foped AlxGa1-xN

Mg-doped AlxGa1-xN epilayers were grown on AlN/sapphire templates by metal organic chemical vapor depo- sition （MOCVD） using an indium-assisted growth method. At room temperature, the resistivity of Mg-doped Alo.43Gao.57N epilayer grown under indium （In） ambient is of the order of 10^4Ω.cm, while the resistivity of Mg-doped Al0.43Ga0.57N grown without In assistance is of the order of 10^6Ω.cm. The ultraviolet light-emitting diodes （UV-LEDs） using the In-assisted Mg-doped Al0.43Ga0.57N as the p-type layers were fabricated to verify the function of indium ambient. It is found that there are a lower turn-on voltage and a lower diode series resistance in the UV-LEDs fabricated with p-type Al0.43Ga0.57 N layers grown under In-ambient.     

海底管道铺设分析的子结构方法

深水S型铺管涉及三维空间的大变形和接触分析,由于收敛速度慢而导致求解困难。为克服这个问题,本文提出了一种子结构方法;通过凝聚托管架内部结点自由度,铺管问题可在二维空间表述和求解。本文方法具有快速收敛的特点,可对铺管问题进行广泛的参数研究。     

海洋平台地震响应的H∞控制

提出了将H_∞控制及平衡降阶法应用于结构主动控制的新方法.该方法首先利用平衡降阶法对结构进行降阶,然后利用降阶模型构造出H_∞控制器和H_∞观测器对结构进行控制;同时结合复模态理论和虚拟激励法,给出了系统分析的有效途径.本文最后以海洋平台地震响应的ATMD主动控制为例,验证了本文方法的有效性.