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晶体学   1篇
出版年
  2010年   1篇
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1.
生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响   总被引：1，自引：0，他引：1  
利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.  相似文献   
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