以粉煤灰为原料采用两步法制备高纯度ZSM-5型沸石的研究

采用经碱熔融-离心提取处理后的粉煤灰为原料,经水热反应研究两步法合成高纯度ZSM-5型沸石的过程,探讨了碱灰比、焙烧温度对硅铝溶出量的影响,研究了碱度、晶化时间、晶化温度与硅铝比对合成ZSM-5型沸石的影响。结果表明:碱灰比为2.3∶1,焙烧温度为680℃时可获得最高的硅铝溶出量;当SiO_2/Na_2O=7(摩尔比),SiO_2/Al_2O_3=45(摩尔比),晶化时间为68 h,晶化温度为180℃时可获得高纯度的ZSM-5型沸石。     

在Pd/Cu(100)表面上外延的超薄Co膜的结构和磁性

利用脉冲激光溅射(PLD)和分子束外延(MBE)方法制备了超薄膜系统 Co/Pd/Cu(100).脉冲激 光溅射生长的单原子Pd层呈现了很好的二维生长模式.在这个Pd表面上，分子束外延生长的C o层直至12个原子层都表现了层-层生长模式.利用俄歇电子谱(AES)和低能电子衍射(LEED)研 究了该系统的表面结构.利用低温磁光克效应(MOKE)研究了系统的磁学性质.结构研究表明， Co层由于面内晶格失配应力而具有一个四方正交结构；与对比样品Co/Cu(100)的比较研究说 明Pd层的存在强烈地改善了Co膜的起始生长模式和结构.磁光克效应测量表明，Pd层的存在 改变了Co层的磁学性质. 关键词： 薄膜的磁性质 组织与形貌 界面磁性     

Zn2+掺杂对TiO2相变温度和晶粒尺寸的影响

采用溶胶-凝胶法制备了不同含量Zn2 掺杂的氧化钛粉体,利用TG-DTA、XRD测试技术检测了锌离子掺杂对锐钛矿和金红石相变及其晶体尺度的影响。试验结果表明,锌离子的掺入抑制了锐钛矿和金红石的相变,使相变温度提高,而且显著阻碍晶体的生长,从而获得纳米晶体。     

固相萃取与高效液相色谱联用测定宠物食品中三聚氰胺

1引言三聚氰胺(m elam ine)为白色或无色结晶,通常用于塑料制品中合成树脂的生产,在高温和酸性条件下能引起三聚氰胺转移到食品中。近来,一些不法厂商将三聚氰胺添加到宠物食品中导致宠物死亡,引起广泛关注。因此,如何快速、准确地分析食品中的三聚氰胺成为食品企业,食品监管机     

固相萃取-液相色谱-串联质谱法检测化妆品中的双酚A残留

建立了化妆品中双酚A残留的高效液相色谱-串联四极杆质谱联用测定方法.样品经碱性乙腈提取,氨基固相小柱净化而后测定.方法在2.0～ 100.0μg/L范围内呈良好线性,相关系数为0.99998,方法的检出限为0.02 mg/kg.在0.10,1.0,10.0 mg/kg 3个加标水平下,加标回收率为92.4％ ～98.8％,相对标准偏差为6.0％～9.4％.     

二维9/7整数离散小波变换的FPGA设计

采用流水线设计技术和模块化设计思想,提出一种基于CCSDS新推荐标准的图像数据压缩算法中二维9/7整数离散小波变换的实时并行实现结构。结构主要由行变换、列变换和行缓存等模块组成,行、列变换可并行进行。使用FPGA内嵌的BlockRAM作为行缓存器,减少了外部存储器的使用、访问以及时间延迟。结果表明,该实现结构能够减少运算量和电路规模,获得较高的吞吐率,增加硬件资源利用率,提高变换速度。     

ZnO纳米晶的面催化活性特性研究

以Zn( NO3)2和NaOH为起始原料,采用溶剂热法合成了片状和柱状纳米ZnO.采用XRD、XPS、FE-SEM、BET等对样品的形貌、组成和结构进行了表征.以罗丹明B作为模型污染物来评价其光催化性能,讨论了ZnO的形貌对其活性的影响.结果表明,片状纳米ZnO具有较高的(0001)活性面比例,表现出较高的光催化活性.     

AEO-9体系溶致液晶性能及其组成方程

以非离子表面活性剂十二烷基醇聚氧乙烯醚(AEO-9)/正丁醇/正辛烷/水组成的四元体系为研究对象,绘制了拟三元相图。在液晶区选取样品点,拍摄纹理照片,并结合^2HNMR谱图确定了液晶类型其中主要是状液晶。利用小角X射线衍射测定了层状液晶的层间距d,得到层间距d和液晶含水量的关系。根据层状液晶结构的特点,推导出层状液晶组成方程,并对本体系进行了验证。结果表明,根据议程计算出的液晶区域的开头和位置与实验测得的相图中液晶的开头和位置基本相同,为实际应用提供了依据。     

稀土掺杂氧化钛基材料的相变及其湿度-电阻关系

本工作采用溶胶-凝胶工艺制备了La3 和Ce4 掺杂的TiO2-SnO2复合粉体,利用X-衍射仪对该粉体的相组成进行了分析,并对组装的湿敏薄膜元件进行了湿度-电阻关系的测试。结果表明,在500℃烧结,La3 和Ce4 掺杂对锐钛矿向金红石的转变起到先促进后阻碍的作用;600℃烧结,La3 和Ce4 掺杂抑制了锐钛矿向金红石的转变,La3 、Ce4 的加入降低了锐钛矿和金红石的晶体尺寸,同时降低了薄膜材料的电阻,使湿度-电阻关系呈现较好的线性度。La3 的作用最强,且促进了SnO2晶体的形成。     

局域表面等离激元对InGaN/GaN多量子阱发光效率的影响

Ag纳米粒子的形貌对InGaN/Ga N多量子阱(MQWs)的光致发光(PL)效率有着显著影响。本文采用离子束沉积(IBD)技术将Ag沉积在InGaN/Ga N MQWs上,然后通过快速热退火处理制备Ag纳米粒子。通过改变Ag的沉积时间获得了具有不同Ag纳米粒子形貌的样品。用原子力显微镜对各样品的Ag纳米粒子形貌和尺寸进行了表征,并且测试了吸收谱、室温和变温PL谱及时间分辨光致发光(TRPL)谱。结果表明:随着Ag沉积时间的延长,所得Ag纳米粒子粒径增大,粒子纵横比先增大后减小且吸收谱峰红移。由于不同形貌的Ag纳米粒子在入射光作用下产生的局域表面等离激元(LSPs)与MQWs中激子耦合强度不同,光发射能力也不同,与没有Ag纳米粒子的样品相比,沉积时间为15 s的样品室温PL积分强度被抑制6.74倍,沉积时间为25 s和35 s的样品室温PL积分强度分别增强1.55和1.72倍且峰位发生红移,沉积时间为45 s的样品室温PL积分强度基本没有变化。TRPL与变温PL的测试结果证明,室温PL积分强度的改变是由于LSPs与MQWs中的激子耦合作用引起的。纵横比大且吸收谱与MQWs的PL谱交叠大的Ag纳米粒子能够更好地增强InGaN/Ga N MQWs的发光。