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1.
Diode-end-pumped continuous-wave(CW) Tm:YAP and Tm:YLF slab lasers are demonstrated. The a-cut Tm:YAP and Tm:YLF slabs with doping concentrations of 4 at.-% and 3.5 at.-%,respectively,are pumped by fast-axis collimated laser diodes at room temperature. The maximum CW output powers of 72 and 50.2 W are obtained from Tm:YAP and Tm:YLF,respectively,while the pump power is 220 W,corresponding to the slope efficiencies of 37.9% and 26.6%,respectively.  相似文献   
2.
<正>We report the luminescence properties and decay profiles of Ce:YAlO_3,Mn:YAlO_3,and Ce,Mn:YAlO_3 crystals grown by Czochralski method.The spectroscopic properties show that both Mn~(2+) ions and Mn~(4+) ions exist in Mn:YAlO_3 and Ce,Mn:YAlO_3 crystals.The Mn~(2+) ions have a broad emission band of 60 nm in Mn-doped YAlO_3 crystal at 530 nm.The luminescence spectra also indicate that there is significant energy transfer between Ce~(3+) and Mn~(4+) in Ce,Mn:YAlO_3 crystal.Because of the energy transfer,the first decay component in Ce,Mn:YAlO_3 decreases from 24.5 to 10.8 ns,which is much faster than that of Ce:YAlO_3.  相似文献   
3.
<正>YAG:Ce crystal with a diameter of 110 mm is successfully grown by the temperature gradient technique (TGT).The effects of annealing on the luminescence efficiency of YAG:Ce crystal are investigated,and the optimal annealing temperature and atmosphere are obtained.The mechanism of variation behavior of the luminescence efficiency of YAG:Ce under different annealing conditions is discussed and some details on the luminescence associated with color centers are analyzed.  相似文献   
4.
随着光纤通讯产业的迅猛发展,市场对3英寸光通讯磁光薄膜衬底钆镓石榴石(分子式为Gd3Ga5O12,简称GGG)的需求量急剧增加。本文从磁光薄膜(YIG以及类YIG)对其外延基底单晶GGG物化性能的要求出发,综述了在利用传统的提拉法生长大尺寸、符合磁光薄膜衬底要求的Gd3Ga5O12单晶的过程中,出现的诸如Ga2O3组分挥发,界面翻转,螺旋生长和晶体的开裂等问题,针对各个问题讨论了它们的形成机制并提出了它们的解决方法。最后,还根据目前磁光膜的发展情况,预见了纯GGG和掺质GGG单晶的研究和发展趋势。  相似文献   
5.
本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品。经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200~300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200~500nm波段透过率显著降低。  相似文献   
6.
Yb:YAP晶体的光谱性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用中频感应加热提拉法生长出掺杂浓度为10%原子分数的Yb∶YAP晶体,研究了室温下Yb∶YAP晶体的吸收和发射光谱特性以及荧光寿命。Yb∶YAP晶体在959nm处有最强吸收,吸收截面约为1.51×10-20cm2,在1040nm处的发射截面为0.6×10-20cm2,激光上能级荧光寿命为1.2 ms,此处自吸收较小,是实现激光输出的候选波长。研究了氧气退火对Yb∶YAP晶体的光谱性能的影响。Yb∶YAP晶体轴向效应明显,b轴将是作为激光输出的首选方向。比较了Yb∶YAP晶体和Yb∶YAG晶体的光谱性能参数。  相似文献   
7.
高低温偏硼酸钡晶体的相变和生长   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文探讨了BBO晶体α相和β相之间的相变问题,同时简要地介绍了国内外α-BBO晶体和β-BBO晶体的生长方法,并展望了α—BBO晶体和β-BBO晶体研究的发展趋势-α—β相变的深入研究;α-BBO和β-BBO亚稳态生长条件的研究;生长工艺的优化以及新的生长工艺的发展;β-BBO薄膜的研究。  相似文献   
8.
液相外延法制备LiNbO3薄膜的研究和进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中,衬底和助熔剂的选择对LiNbO3薄膜制备的影响及掺杂改性问题,简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能及光学应用。研究表明,目前可用液相外延法在LiNbO3、掺镁(5mol%)的同成分LiNbO3及纯的同成分或近化学计量比LiNbO3单晶衬底上制备出具有较高光学质量的LiNbO3薄膜。讨论了液相外延法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向。  相似文献   
9.
温梯法生长76mm Ce:YAG闪烁晶体的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
首次采用温度梯度法(TG)成功生长了直径为76mm高光学质量的Ce:YAG高温闪烁晶体,采用ICP-AES测试了Ce离子在Ce:YAG晶体中的分凝系数约为0.082。在室温下,测试了原生态Ce:YAG晶体的吸收光谱和X射线激发发射光谱(XEL)。吸收光谱显示了Ce^3 离子的3个特征吸收带,对应的中心波长分别为223nm,340nm及460nm;XEL发射谱表明Ce:YAG的发射峰为550nm,能与硅光二极管有效地耦合。  相似文献   
10.
采用温度梯度法生长了熔体掺杂Ce浓度为1at%的YAlO3晶体,对于其吸收光谱、荧光光谱和x射线激发发射谱进行了表征分析.根据吸收光谱提出了一个色心模型,从而成功的解释了为什么刚生长出的晶体为粉红色,而分别经氢气和空气在1400℃退火后均能变为无色的现象和退火以后吸收光谱发生的显著变化.温度梯度法生长的Ce:YAP在330nm处存在着一定程度的自吸收和自激发.光致激发发射谱的发射主峰在368nm,而x射线激发发射谱的主发射峰红移至391nm,这表明在x射线激发下,晶体对发射光的自吸收将会减少.另外在x射线激发发射谱上,经H2退火和空气退火后的样品其发射强度比未退火的晶体要强.  相似文献   
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