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本文研究了贵金属-CaAs(110)界面形成过程中hν=21.2eV和40.8eV的价带光电子谱的演化,在小于0.5单原子层淀积金属时,观察到所谓原子样Ag5s和Au6s态。大约从10埃到几十埃的淀积金属范围内,发现贵金属价带发射极大值现象。用金属原子团的形成、岛状生长与界面反应相关的观点讨论了实验结果。
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分数微积分是一种正在发展的数学工具,在物理研究中还没有广泛应用,我们在本文中首先给一通俗介绍,然后介绍我们把分数微积分引入半导体物理,对带间跃迁光谱进行分析的工作.着重描述所导出的带间跃迁介电函数的分数微积分表达式,以及一种叫做分数微分谱的新型谱.这种谱可用于测定能带临界点参数和维度分析,也可用于分数维度的场合. 相似文献
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We report the ellipsometric spectrum studies on a new kind of conducting polymers, polyaniline. In the UV-visible range (1.4-4.8eV photon energy region) the absorption coef-ficient, the complex dielectric function and the refractive index of polyaniline as functions of photon energy are obtained. The spectra of nonconducting and fully conducting polyaniline have been analyzed and discussed. The experimental results show that the emeraldine base form of polyaniline has a large energy gap (Eg~3.6eV) and its absorption spectrum shows a broad exciton absorption peak centered at 2 eV. The absorption spectrum of emeraldine salt after protonation have four absorption peaks centered at 1.5, 1.83, 3.0 and 3.88eV. We also investigated the spectrum evolution of the samples from nonconducting (σ<10-9Ω-1·cm-1) to conducting (σ≈10+1Ω-1·cm-1) states, and give the dielectric function and the refractive index of the samples. 相似文献
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本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
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With a correlation of nonequilibrium carriers relaxation and coherent phonons displacive excitation, the coherent optical phonon oscillations in YBa2Cu3O7-δ thin films excited by femtosecond laser pulse are simulated theoretically. It is revealed that as the oxygen concentration decreases, the coherent phonon oscillations become easier to be observed due to the decrease of the local coupling between the carriers and the lattice vibrations in the CuO2 plane. 相似文献
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乾根—别卡曾经分析过原子晶体中的极化子问题。文中指出,其中弹性形变的考虑是不正确的,而且“绝热型”的极化子,在例如Ge,Si等原子晶体中存在的可能性是十分微小的。以微扰论为基础的计算证明,电子引起的局部体积变化发生在半径≈λ的范围内,λ是以声速运动的电子的德布罗意波长。局部体变的数值等於E/(α+4/3μ)(E为形变势常数,α和μ分别为体变和切变模量)。局部体变还在样品中引起一个均匀的形变,两者合起来使样品体积改变E/α。具体的分析证明,在类氢的杂质能级中的电子使样品体积产生同样的体积变化。这个效应是相当大的;例如,在Ge和Si这样的晶体中,效应甚至可以舆实验所观测到Ⅲ,Ⅴ族杂质原子的体积效应相比拟。导带中低速电子能量的改变约等於(电子质量/原胞质量)(E/(kΘD))E;在Ge晶体中,如果E=1—10电子伏,能量改变是0.001—0.1电子伏。相应的有效质量改变是1/1000—1/10电子质量。在类氢杂质能级中,电子能量改变远比上值为小;理论上电子—晶格互作用有着可能致使类氢能级自发电离。 相似文献
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