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1.
在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralski技术生长Cu:KNSBN晶体。以二波耦合光路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值血。Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:LiNbO3晶体。尤其记录速度比Fe:LiNbO3晶体高一个数量级以上。测试Cu:KNSBN晶体位相共轭反射率尺和自泵浦位相共轭反射率Rc。Cu:KNSBN晶体的自泵浦位相共轭反射率吼值达到64%,是纯KNSBN晶体的二倍。以Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭镜进行消畸变实验。实验结果表明:输出光波确系输入探测光波的位相共轭光波。  相似文献   
2.
在LiNbO3晶体中掺进0.1wt?O2和0.03wt?2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比.测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加.研究了晶体抗光损伤能力增强的机理.随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加.测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变.利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验.实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点.  相似文献   
3.
用热蒸发的方法合成了铟掺杂的ZnGa2O4纳米线。利用透射电镜和X射线能谱对样品的结构和成分进行了研究。在之字形和竹节形两种形貌的纳米线中分别发现了孪晶和面位错两种缺陷。之字形生长的纳米折线是孪晶,沿<11-1>方向生长,孪晶角为140°。竹节形的纳米线沿<011->方向生长,竹节处存在两种面位错,面位错与生长方向分别成54°和90°角。缺陷的存在对纳米线的性质将产生重要影响。  相似文献   
4.
采用Czochralski技术生长不同Li/Nb双掺杂Zr:Fe:LiNbO3晶体,测试了晶体的光学均匀性和抗光折变能力.Zr:Fe:LiNbO3晶体双折射梯度比Fe:LiNbO3晶体降低一个数量级,抗光折变能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,发现Zr4 在LiNbO3中具有抗光折变能力.采用二波耦合光路测试不同Li/Nb的Zr:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间并计算了动态范围和灵敏度,Zr:Fe:LiNbO3晶体的响应速度,灵敏度和动态范围都比Fe:LiNbO3晶体高,它的全息存储性能优于Fe:LiNbO3晶体.  相似文献   
5.
在LiNbO3中掺进ZnO和Fe2O3,以Czochralski技术生长Zn(7mo1%):Fe(0.03%):LiNbO3,Zn(3mo1%):Fe(0.03%):LiNbO3和Fe(0.03%):LiNbO3晶体。测试晶体的吸收光谱,Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对Fe:LiNbO3晶体发生紫移。测试晶体的红外光谱,Zn(7mo1%):Fe:LiNbO3晶体OH^-吸收峰移到3529cm^-1。测试晶体抗光致散射能力,Zn(3mo1%):Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级,Zn(7mo1%):Fe:LiNbO3晶体比Fe:LiNbO3晶体高二个数量级。测试晶体的衍射效率和响应时间,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应时间缩短,衍射效率降低。对吸收边和OH^-吸收峰移动的机理,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射能力增强的机理进行了研究。  相似文献   
6.
在Fe:LiNbO3中掺进Sc2O3和In2O3采用Czochralski技术生长Sc:In:Fe:LiNbO3晶体。测试Sc:In:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱和抗光致散射能力。Sc(1mol%):In(2mol%):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移到3508cm-1,抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高二个数量级。对Sc(1mol%):In(2mol%):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移动机理和抗光致散射能力增强的机理进行讨论。以Sc(1mol%):In(2mol%):Fe:LiNbO3晶体作存储元件,以Cu:KNSBN晶体作为位相共轭镜进行全息关联存储,试验结果表明全息关联存储的成象质量高、图象清晰完整、噪音小。  相似文献   
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