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1.
卢吴越  张永平  陈之战  程越  谈嘉慧  石旺舟 《物理学报》2015,64(6):67303-067303
采用快速热退火(rapid thermal annealing, RTA)法和脉冲激光辐照退火(laser spark annealing, LSA)法, 在n型4H-SiC的Si面制备出Ni电极欧姆接触. 经传输线法测得RTA样品与LSA样品的比接触电阻分别为5.2×10-4 Ω·cm2, 1.8× 10-4 Ω·cm2. 使用扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段, 比较了两种退火方式对电极表面形貌、电极/衬底截面形貌和元素成分分布、SiC衬底近表层碳团簇微结构的影响. 结果表明, 相比于RTA, LSA法制备出的欧姆接触在电极表面形貌、界面形貌、电极层组分均匀性等方面都具有明显优势, 有望使LSA成为一种非常有潜力的制备欧姆接触的退火处理方法.  相似文献   
2.
通过固相反应法制备Ba(Ti0.7-xMnxFe0.3)O3(0.05≤ x≤0.2)陶瓷,并利用X射线衍射、穆斯堡尔谱和振动样品磁强计研究其微结构、磁性能及交换机制随Mn含量的变化规律.结果表明:所有样品都具有6H-BaTiO3型六方钙钛矿单相结构.在Mn含量较低时,分布在四面体Ti位和八面体Ti位上的Fe3+间的超交换相互作用使样品表现出顺磁性;随着Mn含量的增加,除了Mn7+外还出现了Mn4+,Mn4+-O2--Fe3+ 铁磁超交换机制使样品逐渐转变为室温铁磁性.与相同Fe含量及制备条件下的Ba(Ti0.7Fe0.3)O3相比,Mn的共掺杂可使饱和磁化强度提高近19倍.  相似文献   
3.
非晶SiOxNy薄膜的红外吸收光谱研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
通过改变O和N含量研究SiOxNy薄膜中从600到1600cm^-1范围内的红外吸收光谱特征。结果表明,起源于单-Si-O、Si-N键的吸收峰在1105和865cm^-1处;而随着薄膜中O或N含量的升高,位于单一键吸收峰的两侧出现因O-Si-O、N-Si-N的对称和反对键吸收的左右肩;对O-Si-N,其特征吸收峰位于1036和856cm^-1处。  相似文献   
4.
通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α-Si:H薄膜的荧光特性,在450nm-500nm范围内常温下观察到强蓝光发射,发光强度随沉积-氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构,位置分别为460nm、465nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关,其起源于Si-O结合特定组态而形成的发光中心。  相似文献   
5.
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能。结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高。  相似文献   
6.
射频辉光放电等离子体的电探针诊断及数据处理   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
Langmuir探针是等离子体诊断的一个重要方法.对探针I-V曲线进行求解二次微商是获得等离子体中的电子能量分布函数的关键.由Fourier变换导出一个求解微商的数值解方法.克服了现有方法所存在的缺点.实现了对探针I-V曲线求解二次微商的精确、自动运算.测量了硅烷射频辉光放电等离子体的平均电子能量(温度)和浓度随放电功率的变化. 关键词:  相似文献   
7.
采用PECVD方法分别沉积了SiOx:H和SiOxNy:H薄膜,测量了其荧光特性。在SiOx:H薄膜中观察到300-570nm强荧光辐射带,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象,在合适的氧含量条件下,荧光带主峰位于蓝光波段,并具有分立峰结构,在SiOxNy:H薄膜中,荧光谱由250-400nm,500-700nm两个荧光带和370nm,730nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高,荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制,当氢流量增加时,发射带的中心位置产生蓝移。  相似文献   
8.
通过改变O和N含量研究了SiOxNy 薄膜中从 6 0 0到 16 0 0cm- 1 范围内的红外吸收谱特征。结果表明 ,起源于单一Si—O、Si—N键的吸收峰在 110 5和 86 5cm- 1 处 ;而随着薄膜中O或N含量的升高 ,位于单一键吸收峰的两侧出现因O—Si—O、N—Si—N的对称和反对称键吸收的左右肩 ;对O—Si—N ,其特征吸收峰位于 10 36和 85 6cm- 1 处。  相似文献   
9.
采用脉冲激光沉积法在Si(100)衬底上制备了Ni0.7Zn0.3O薄膜,通过热处理改变薄膜的缺陷状态,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光谱仪表征薄膜的晶体结构、表面形貌和缺陷发光特性。结果表明:沉积态薄膜为立方结构的Ni0.7Zn0.3O单相,且沿着(200)面高度取向生长。经过热处理后,薄膜形成ZnO和Ni0.7Zn0.3O两相共存的镶嵌结构。样品具有非常丰富的室温荧光光谱,其发光峰主要来自Ni0.7Zn0.3O的缺陷能级跃迁,多缺陷能级导致了多发光峰的荧光光谱。热处理引起薄膜中缺陷的种类和浓度发生变化,严重影响其发光特性。  相似文献   
10.
通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α Si∶H薄膜的荧光特性 ,在 45 0nm~ 5 0 0nm范围内常温下观察到强蓝光发射 ,发光强度随沉积氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构 ,位置分别为 46 0nm、46 5nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关 ,其起源于Si O结合特定组态而形成的发光中心。  相似文献   
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