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1.
SiC / SiC 复合材料的原位合成与表征
简
焦宇鸿
王芬
朱建锋
《人工晶体学报》
2014,(1):143-147
相似文献
2.
SiC/SiC复合材料的原位合成与表征
下载免费PDF全文
焦宇鸿
王芬
朱建锋
《人工晶体学报》
2014,43(1):143-147
采用常压烧结原位反应合成的方法制备了SiC/SiC复合材料,碳和硅是以滤纸和酚醛树脂为C源,采取滤纸表面涂覆Si粉树脂悬浮液的方法引入.采用XRD,SEM以及EDAX分别分析了材料的组成和微观机构,并重点分析了复合材料中SiC纳米线的生成与生长机理.结果表明,在温度为1430℃时,制备的SiC纳米线表面光滑,尺寸均一,长径比大于103,其生长机制为VS机制,由此开发了一种一步法制备SiC/SiC复合材料的新方法.
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