几何证题教学四法

初二学生要学好几何证明,我认为应该把握十六字方针:“紧扣教材、图文结合、分类归纳、合理运动. ”一、“紧扣教材”要深刻理解教材中概念引入、例题分布以及关于定理的题目设计与结论,体会定理在练习题中的运用环境与范围.几何教材中,知识的安排遵循一条规律:命题→真命题→定理→定理应用(例题分布 )→应用(练习). 同学们只要把握好这个结构链,就会整体把握教材中知识点的安排,对每一个细节在教材中的地位有明确的理解.在学习的过程中,能有意识地建立知识框架,整体把握教材,对每一章每一节在教材中的地位做到心中有谱,就胸有成竹了.…     

电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.     

变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用.在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数.通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺.该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变.