硫氰酸酯类化合物的合成及其应用研究进展

硫氰酸酯类化合物(RSCN)作为重要的合成中间体,在农药、医药、材料等领域有着广泛的应用价值.近年来,硫氰酸酯的合成及其应用研究发展迅速,不断有新的硫氰酸酯合成方法和以其为原料的转化反应涌现.综述了近几年来发展的硫氰酸酯合成方法及其转化应用,为硫氰酸酯类化合物的合成和应用研究提供帮助.     

电解铜箔表面电沉积Zn-Ni-P-La合金工艺

为了缓解我国高性能铜箔依靠进口的局面,进行了将类金属(P)和稀土金属(La)引入电解铜箔锌镍合金镀层中以获得高耐腐蚀性铜箔的实验。 利用电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等技术手段分析镀层质量。 在最佳工艺下获得非晶态Zn-Ni-P-La合金镀层,镀层表面平整均匀、结晶致密,未钝化的情况下,铜箔镀件在180 ℃烘箱中保持1 h不变色,表现出较理想的抗氧化和抗腐蚀能力。 表明镀层中适量的P和稀土La对改善镀层质量有着重要的作用,具有较好的工业应用前景。     

油库选址决策的二层优化模型研究

油库物流设施的选址决策属于战略管理层的决策,它是整个物流系统运作的基础.油库的选址决策是库存和运输决策的基础,库存决策和运输决策则是在整个油品配送系统规划框架内对油库选址决策的完善和延伸.如何进行科学的油库选址是企业所关心的问题.本文将在考虑影响选址的定性成本因素以及运营过程中的非成本因素、定性和定量相结合的基础上利用多层决策理论,将油库选址问题归结为一个二层优化模型,并提出了确定理想选址区域和可行点的相关方法的计算方法.数值实验表明该算法是可行的.本文的结论对实际决策问题具有一定的借鉴作用.     

两个四唑配合物的原位合成、多样化配位模式和强荧光性质

在路易斯酸ZnCl₂或MnSO₄·7H₂O作用下,通过1-甲基-1-氢-咪唑-4,5-二甲腈与NaN₃水热原位合成了2个四唑配合物：{[Zn₂（midt）（Hmidt）]（N₃）·H₂O}_n （1）和[Mn（midt）₂·（H₂O）₂]·H₂O （2）（midt=1-甲基-1-氢-咪唑-4,5-二四唑）。X射线单晶衍射表明尽管配合物1和2均结晶于同样的P1 空间群,但他们有完全不同的结构。配合物1为一个有趣的二维聚合物结构,含有两个不同配位环境的锌原子和多种配位模式的midt配体,而配合物2为一个三维超分子结构,包含一个有趣的水分子链结构。固态下1和2分别在353和382 nm处显示出较强的蓝色荧光。     

组合同伦方法在无界域上的收敛性

组合同伦内点法由Feng等提出，是求解有界区域上的非凸数学规划的一种大范围收敛性方法，本文证明此算法适用于某些无界区域上的非凸数学规划问题。     

La1-xCaxCrO3体系复合氧化物的甘氨酸-硝酸盐法合成与表征

采用甘氨酸-硝酸盐法(GNP)合成了La1-xCaxCrO3 (x=0～0.3)体系复合氧化物粉料,对合成产物的粉体结构和性能进行了表征,研究了体系组成及合成方法对材料烧结性能和导电性能的影响.实验结果表明,在La1-xCaxCrO3体系中Ca2 离子的引入促进了材料的烧结,随着Ca2 离子含量的增加,材料的烧结致密度和导电性能明显提高.与常规固相法相比,GNP法合成的粉料颗粒细小均匀(100～200 nm),烧结活性高,其烧结体在1400 ℃以下即可达到较高的烧结致密度和良好的电性能.     

2-氨基苯并噻唑合硝酸银(Ⅰ)的合成、晶体结构及抑菌活性

2-氨基苯并噻唑合硝酸银(Ⅰ)的合成、晶体结构及抑菌活性;银(Ⅰ)配合物;氨基苯并噻唑;合成;晶体结构;抑菌活性     

钒氧化物纳米管的合成、结构及电化学性能

采用流变相-纳米自组装新方法合成了钒氧化物纳米管(VOx-NTs),并通过XRD,SEM,TEM,Raman,ESR,TG-DTA,XPS及模拟电池等技术手段对产物的结构和性能进行了表征和测试.结果表明,产物主要由钒氧化物纳米管组成,纳米管长为1～10μm,直径为30～100nm.纳米管壁由3～10个VOx层构成,层间距为3.53nm.Raman光谱反映了V—O的伸缩或弯曲振动,层状微结构的晶格振动及模板剂的有机基团振动.无明显精细结构的室温ESR谱证明了V4+的存在,根据TGA和XPS求得产物中V的平均化合价约为+4.30.VOx-NTs正极材料初始充电容量达到404mA.h/g,放电容量为383mA.h/g,50次循环后放电容量衰减至180mA.h/g,可归因于充放电过程中VOx-NTs正极材料在电解液中的溶蚀作用及复合电极中“孤岛效应”的产生.     

Ag-N共掺p型ZnO的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag-N共掺杂ZnO体 系以及间隙N和间隙H掺杂p型ZnO: (Ag, N)体系的缺陷形成能和离化能进行了研究. 结果表明, 在Ag_Zn和N_O所形成的众多受主复合体中, Ag_Zn-N_O受主对不仅具有较低的缺陷形成能同时其离化能也相对较小, 因此, Ag_Zn-N_O受主对的形成是Ag-N共掺ZnO体系实现p型导电的主要原因. 研究发现, 当ZnO: (Ag, N)体系有额外间隙N原子存在时, Ag_Zn-N_O受主对容易与N_i形成Ag_Zn-(N₂)_{m O}施主型缺陷, 该施主缺陷的形成降低了Ag-N共掺ZnO的掺杂效率因而不利于p型导电. 当间隙H引入到ZnO: (Ag, N)体系时, H_i易与Ag_Zn-N_O受主对形成 受主-施主-受主复合结构(Ag_Zn-H_i-N_O), 此复合体的形成不仅提高了Ag_Zn-N_O受主对在ZnO中的固溶度, 同时还能使其受主能级变得更浅而有利于p型导电. 因此, H辅助Ag-N共掺ZnO可能是一种有效的p型掺杂手段. 关键词： p型ZnO 缺陷形成能 受主离化能 第一性原理