ZnO纳米钉的制备和光学性质研究

通过化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上制备出新型的ZnO纳米钉结构。X射线衍射(XRD)结果表明纳米钉是六角纤锌矿结构。纳米钉顶部对角线在450~750nm之间,纳米钉长度为几个微米。研究了不同气氛下退火样品的可见发光性质,认为绿光发射来自于导带电子和反位氧中空穴的辐射复合。     

"海洋一号"卫星10通道水色扫描仪光学系统的设计

介绍了2002年5月发射的中国“海洋一号”卫星10通道水色扫描仪的光学系统设计。该系统有10个探测通道,波段从可见到远红外,空间分辨率1．1km,并首次采用了“K镜”消像旋系统。     

氧化锌微米花的共振拉曼和“负热淬灭”效应

利用化学气相沉积(CVD)的方法通过热氧化高纯锌粉在硅衬底上得到氧化锌微米花. X射线衍射(XRD)结果表明，其具有六角纤锌矿晶体结构.场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)图像表明，合成的样品是由很多长且直的ZnO亚微米棒组成的微米花， 具有六角棱柱端面，棒的长度在30μm到50μm之间.在背向共振拉曼散射光谱测量中，观测到ZnO A₁(LO)的五阶声子紫外共振拉曼散射，表明样品具有较高的晶体质量.在变温光致发光谱测量中，观察到明显的中性受主束缚激子(A⁰X)的 关键词： ZnO微米花 光致发光 共振拉曼 “负热淬灭”效应     

InAlO3（ZnO）15超晶格纳米串的合成及其电学性质

通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。     

铟掺杂的氧化锌纳米带的制备和发光特性

以混合的ZnO粉和金属In作为前驱物,通过化学气相沉积方法在Si衬底上合成了In掺杂的ZnO纳米带.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及附带的能谱仪对它们的结构和成分进行了表征.结果表明,ZnO纳米带沿<1010>方向生长;In的掺杂浓度是21%原子分数.讨论了ZnO纳米带的形成机制和光致发光特性.     

Optoelectronic characterisation of an individual ZnO nanowire in contact with a micro-grid template

Optoelectronic characterisation of an individual ZnO nanowire in contact with a micro-grid template has been studied.The low-cost micro-grid template made by photolithography is used to fabricate the ohmic contact metal electrodes.The current increases linearly with the bias,indicating good ohmic contacts between the nanowire and the electrodes.The resistivity of the ZnO nanowire is calculated to be 3.8 ·cm.We investigate the photoresponses of an individual ZnO nanowire under different light illumination using light emitting diodes(λ = 505 nm,460 nm,375 nm) as excitation sources in atmosphere.When individual ZnO nanowire is exposured to different light irradiation,we find that it is extremely sensitive to UV illumination;the conductance is much larger upon UV illumination than that in the dark at room temperature.This phenomenon may be related to the surface oxygen molecule adsorbtion,which indicates their potential application to the optoelectronic switching device.