基于初始位置的高速公路快速地图匹配算法

针对车辆行驶在高速公路过程中,传统地图匹配算法存在大量冗余检索时间,且消除垂直误差后仍存在水平误差等问题,设计了一种基于初始定位信息的快速地图匹配算法。该算法首先利用初始定位点到候选路段的距离与夹角确定车辆所行驶道路,然后考虑道路网拓扑结构和连通性,将后续定位点直接投影到初始确定的道路上,减少检索道路的时间;同时为提高算法的精确度,在引用初始定位信息时,通过设置距离阈值剔除定位数据漂移点,并利用一元线性方程建立HP模型以消除水平误差。经理论计算和实际测试表明,该算法利用初始获得的7个连续定位点,能准确检索出车辆正在行驶的道路,节省36%的检索时间,借助HP模型可以减少定位点与车辆实际位置之间45%的投影误差。因此,与连续匹配算法和垂直投影方式相比,该算法具有检索过程简单、检索准确率高、误差消除大的优势。     

常规退火与光退火固相晶化的对比

为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点，用石英玻璃作衬底，在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅（a—Si：H）薄膜，把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理（RTP）5min，然后用Raman、XRD和SEM分析对比，发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀，光退火后的晶粒分布均匀。XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右。     

薄膜结构性能变化中的"温度临界点"

本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”，然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。结果显示：薄膜结构性能变化中确实存在“温度临界点”；在“温度临界点”前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点。进而推论：薄膜的结构性能在随温度变化中“温度临界点”可能不止一个。     

过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体铁磁特性研究进展

ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,关于3d过渡金属掺杂(transition-metal-doped)ZnO的室温铁磁性有很多报道.本文对不同方法和不同条件制备的过渡金属掺杂的ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了综述.     

高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究

通过射频等离子体增强化学气相沉积,在高气压条件下制备了微晶硅薄膜,并用拉曼光谱仪(Ram an)、扫描电镜(SEM)研究了微晶硅薄膜的微观结构。发现沉积速率在5Torr左右出现极大值,薄膜的晶化率随着沉积气压的升高而降低,薄膜表面的晶粒或团簇随着沉积气压的下降而增大,薄膜的粗糙度随着沉积气压的升高而降低。     

玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-S i:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象。分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右。     

硅薄膜晶化机制的光学分析

采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段,对快速光热过程(RTP)和常规炉过程(CFP)退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究。用Avrami-Mehl-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出,RTP法退火温度低、速度快的原因,是RTP中不仅存在“光量子效应”,而且还存在“光热相长效应”。由光学带隙的计算得知,RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1.28eV的微晶硅薄膜,说明RTP退火达到了较好的结晶效果。     

脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究

用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜.采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(＜650℃)和中温(＜750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理.用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌.结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右.用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析.