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1.
钛酸铋系化合物的光催化性能研究   总被引:22,自引:0,他引:22  
采用化学溶液分解法制备了钛酸铋化合物: Bi12TiO20, Bi4Ti3O12和Bi2Ti2O7, 并采用XRD表征了其结构. 用TEM观察发现其平均粒径>100 nm, UV-Vis漫反射谱测定显示它们在可见光区均呈现极强的吸收特征. 紫外光照射下甲基橙的光催化降解脱色实验表明, 三种钛酸铋化合物均具有较强的光催化活性, 其中, Bi12TiO20的光催化活性最强, 几乎与P-25相同. 钛酸铋化合物光催化性能的不同在于它们具有不同的晶相结构和电子结构.  相似文献   
2.
Bi12TiO20纳米粉体的制备及其光吸收特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以钛酸四丁酯和硝酸铋为原料 ,利用化学溶液分解法制备了Bi12 TiO2 0 纳米多晶粉体 .采用XRD和TEM对其结构和形貌进行了表征 .结合热重 差热 (TG DTA)分析 ,探讨了Bi12 TiO2 0 晶相的形成机理 .通过UV Vis漫反射谱的测定 ,研究了Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体的光吸收特性 .结果显示 ,从组成为化学计量比的前驱液中可以很容易制得纯Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体 ,该Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体呈现了在很宽的波长范围内 (5 6 0~ 385nm )对光的吸收的特性 .  相似文献   
3.
纳米晶体光催化剂降解染料废水的最新研究进展   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文综述了近期光催化降解染料废水的研究进展,从光催化剂、反应条件、光降解反应产物及光催化降解染料废水的应用性四个方面介绍了其研究现状,指出今后的研究方向将集中在新型光催化剂的开发及光催化剂表面改性、光催化体系、光催化降解染料的反应机理及光催化剂与其它水处理技术的结合。  相似文献   
4.
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型Hish-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的Hihg-k候选材料。  相似文献   
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