直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究

ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料，是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时，可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1：4的条件下，可得到结晶质量良好的ZnO薄膜；通过退火可以使薄膜应力得到驰豫，降低缺陷浓度，改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法，最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。     

图像处理设备的电磁兼容预测与工程应用

分析和测量了出现在三维图像处理设备上的电磁干扰信号，论述了如何在图像处理设备中建立电磁兼容预测模型及预测的工程方法，认真分析了设备中电磁骚扰源，骚扰途径和敏感设备的物理特点，并进行了电磁兼容预测计算，依据预测结果找出设备中的电磁兼容薄弱环节，分层次进行了电磁兼容综合的工程设计，经过实践达到了大型图像处理设备电磁兼容的目的。