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基于密度泛函理论方法,本文开展了氦掺杂AlΣ3((111)/180°)晶界数值模拟拉伸试验.计算结果表明,He在晶界中最低杂质形成能为2.942 eV,偏析到晶界的偏析能为0.085 eV;在拉伸条件下,清洁Σ3晶界的理论拉伸强度为9.65 GPa,拉伸断裂从晶界界面开始;而He掺杂后,晶界的理论拉伸强度下降到7.14 GPa,在断裂发生前应力曲线中出现平台效应,拉伸断裂从包含He杂质的界面开始.通过对比键长和电荷密度分布,本文认为He的满壳层电子结构一方面导致了He与Al之间
关键词:
He
晶界
第一性原理计算
力学性质 相似文献
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高感度辐射变色薄膜电子剂量计 总被引:3,自引:0,他引:3
以聚乙烯醇缩聚物为基质,以类丁二炔化合物为有机染色材料,研制了一种高灵敏度新型辐射变色膜。采用JJ-2型范格拉夫静电加速器对变色薄膜进行剂量范围为15~90 Gy的电子束辐照,结果显示:变色薄膜颜色由粉红渐变为蓝色,并随着辐照剂量的增加而逐渐加深;分光光度计测试其吸收光谱,发现主吸收峰值出现在675 nm附近,且吸收峰处的响应吸光度与电子注量具有较好的线性关系;对变色层厚度为20~80 μm的变色膜,吸收峰处的响应吸光度与其变色层厚度也成线性关系;添加不同比例的协同剂,能提高变色薄膜的响应灵敏度;变色膜辐照后续效应微弱,辐照后可以立即测量,且对测量环境变化不敏感。 相似文献
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价态和结构对VO2薄膜热致相变光电性能的影响 总被引:13,自引:2,他引:11
本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度,利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜;通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响,得到最佳真空还原参数;制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级;900nm波长光透过率在相变前后改变了40%左右,光学特性相变响应参数较大,热致相变性能优良,利用XPS,XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究,结果表明较低温度退火有利于V^5 离子的还原,而升高退火温度可改善结晶状态,退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响,讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度,相变温度点的影响。 相似文献
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利用能量为 1 .7Me V,注量分别为 1 .2 5× 1 0 13 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 14 /cm2 ,1 .2 5× 1 0 15/cm2 的电子束辐照 VO2 薄膜 ,采用 XPS,XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并研究了电子辐照对样品相变过程中光透射特性的影响。结果表明电子辐照引起 VO2 薄膜中 V离子出现价态变化现象 ,并使薄膜的 X射线衍射峰发生变化。电子辐照在样品中产生的这些变化显著改变了 VO2 薄膜的热致相变光学特性 相似文献
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本实验室分别选用无水乙醇和丙酮溶液为溶剂制成两种类型的辐射变色膜, 并对这两种辐射变色膜进行了60Co γ射线与紫外线辐照, 研究不同溶剂对辐射变色膜吸收剂量的影响。实验发现, 60Co γ射线与紫外线辐照后, 使用丙酮作溶剂的辐射变色膜变色效果比无水乙醇的更加明显。在相同的辐照剂量下, 使用丙酮作为溶剂的变色膜比用无水乙醇的光谱吸收峰(680 nm)值平均高65.5%。γ射线辐照时, 用丙酮作为溶剂的辐射变色膜变色的辐照剂量下限为0.5 Gy, 而用无水乙醇做为溶剂的为1 Gy; 紫外辐照时, 用丙酮为溶剂的辐射变色膜吸收峰处吸收剂量的线性响应区间为0~6×100 μJ/cm2, 而用无水乙醇做为溶剂的为0~36×100 μJ/cm2。 相似文献
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电子辐照对VO2薄膜热致相变过程中光学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用能量为1.7MeV,注量分别为10^13-10^15/cm^2,的电子束辐照二氧化钒薄膜,对辐照及未辐照样品进行了UV-VIS,XPS参数测试,并测量900nm处光透射性能随温度的变化,发现电子辐照导致了VO2薄中的V离子价态由V^4向V^5 转变,薄膜热致相变前后的光透射比随注量增加变化较小,只在注量为10^14/cm^2时光透射比减小得较明显,相变温度点及热滞回线宽度随注量增加出现显著变化,并对有关的结果进行了讨论。 相似文献
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