首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   39010篇
  免费   4888篇
  国内免费   5218篇
化学   29723篇
晶体学   803篇
力学   2546篇
综合类   294篇
数学   3415篇
物理学   12335篇
  2023年   388篇
  2022年   704篇
  2021年   880篇
  2020年   1332篇
  2019年   1232篇
  2018年   1096篇
  2017年   1372篇
  2016年   1498篇
  2015年   1364篇
  2014年   1797篇
  2013年   2895篇
  2012年   2402篇
  2011年   2729篇
  2010年   2236篇
  2009年   2814篇
  2008年   2554篇
  2007年   2615篇
  2006年   2487篇
  2005年   2176篇
  2004年   2163篇
  2003年   1673篇
  2002年   1436篇
  2001年   1159篇
  2000年   1008篇
  1999年   793篇
  1998年   694篇
  1997年   665篇
  1996年   664篇
  1995年   659篇
  1994年   607篇
  1993年   426篇
  1992年   448篇
  1991年   279篇
  1990年   219篇
  1989年   192篇
  1988年   194篇
  1987年   155篇
  1986年   103篇
  1985年   99篇
  1984年   88篇
  1983年   39篇
  1982年   83篇
  1981年   106篇
  1980年   118篇
  1979年   122篇
  1978年   96篇
  1977年   71篇
  1976年   65篇
  1973年   31篇
  1972年   25篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
In this article, a way to employ the diffusion approximation to model interplay between TCP and UDP flows is presented. In order to control traffic congestion, an environment of IP routers applying AQM (Active Queue Management) algorithms has been introduced. Furthermore, the impact of the fractional controller PIγ and its parameters on the transport protocols is investigated. The controller has been elaborated in accordance with the control theory. The TCP and UDP flows are transmitted simultaneously and are mutually independent. Only the TCP is controlled by the AQM algorithm. Our diffusion model allows a single TCP or UDP flow to start or end at any time, which distinguishes it from those previously described in the literature.  相似文献   
2.
The motion of domain walls is a crucial factor in piezoelectric properties and is usually related to the irreversible and hysteretic behaviors. Herein, we report on the investigation of inverse and transverse piezoelectric coefficients of capacitor-based and microcantilever-based Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 films with a change in the DC bias and the AC applied voltage. A large inverse piezoelectric strain coefficient of about 350 p.m./V, and a low strain hysteresis of about 7.1%, are achieved in the film capacitors under a low applied voltage of 2 V (20 kV/cm) which can benefit the actuators for motion control in high-precision systems. The field-dependences of the transverse piezoelectric coefficients, obtained from four-point bending and microcantilever displacement, are in good agreement with each other. The results also reveal that the irreversible domain-wall motion is attributed to the nonlinearity in the field-dependent piezoelectric strain and cantilever displacement.  相似文献   
3.
Spiral wound heat exchanger (SWHE) relying on falling film evaporation and boiling is often used for FLNG. The performance of SWHE can be impacted strongly by the motion of the FLNG caused by the wave and typhoon. The falling film characteristics of SWHE outside circular tube are studied experimentally and numerically by a visualization experimental device based on the high-speed camera and a numerical model based on the dynamic grid. The results show that the wave crest of the liquid film moves to the titled side under offshore conditions. The evolution process of falling film flow pattern outside circular tube with the tilt angle of 9° can be divided into four stages: droplet formation and migration, liquid column formation and migration, liquid column coalescence, liquid sheet formation. A correlation permitting the prediction of the falling film flow pattern outside circular tube and the other one permitting the prediction of the average film thickness of circular tube are developed respectively based on the experimental and numerical data.  相似文献   
4.
By using the perpetual cutoff method, we prove two discrete versions of gradient estimates for bounded Laplacian on locally finite graphs with exception sets under the condition of CDE(K,N). This generalizes a main result of F. Münch who considers the case of CD(K, ) curvature. Hence, we answer a question raised by Münch. For that purpose, we characterize some basic properties of radical form of the perpetual cutoff semigroup and give a weak commutation relation between bounded Laplacian Δ and perpetual cutoff semigroup PtW in our setting.  相似文献   
5.
N-乙基吡咯是吡咯分子的一个乙基取代衍生物,它的激发态衰变动力学目前为止很少被研究. 本文利用飞秒时间分辨光电子成像的实验方法研究N-乙基吡咯分子S1态的衰变动力学. 实验采用241.9和237.7 nm的泵浦激发波长. 在241.9 nm激发下,得到5.0±0.7 ps,66.4±15.6 ps和1.3±0.1 ns三个寿命常数. 在237.7 nm激发下,得到2.1±0.1 ps和13.1±1.2 ps两个寿命常数. 所有寿命常数都归属为S1态的振动态. 本文并对不同S1振动态的弛豫机理进行了讨论.  相似文献   
6.
六方氮化硼(hBN)具有跟石墨烯类似的层状结构和晶格参数,研究发现hBN薄膜具有良好的热传导、电绝缘、光学和力学等性能。本文从理论上研究了hBN薄膜对石墨烯-碳化硅(G/S)结构的近场热辐射的影响。研究发现在红外频段.hBN薄膜在低频率区和高频率区会增强G/S结构的近场热辐射,经计算在G/S结构中加入厚度为10 nm的hBN薄膜时获得的辐射热流是同物理条件下G/S结构的1.5倍;而在中频率区hBN薄膜的厚度阻碍了石墨烯表面等离激元和碳化硅表面声子极化激元的耦合,使得近场热辐射热流随hBN薄膜厚度增加而逐渐减弱。本研究的结果可为下一步实验与应用中对hBN薄膜厚度的选择提供理论基础。  相似文献   
7.
上转换发光是一种将长波长的激发光转化为短波长发射的反斯托克斯发光现象,三线态-三线态湮灭上转换(TTA-UC)能够在较低密度能量下被激发,且上转换量子产率高,因此获得研究者们广泛关注。关于敏化剂分子结构与上转换发光性能相关性的研究一直是TTA-UC研究领域的重要热点,选择两种代表性的卟啉钯光敏剂[PdOEP-八乙基卟啉钯(Ⅱ)和PdBrTPP-四溴苯基卟啉钯(Ⅱ)]与蒽衍生物9,10-(4-羟甲基)苯基蒽p-DHMPA发光剂组合上转换体系作为研究模型,通过一系列合成工作获得材料分子后,进一步比较两种敏化剂的光谱性质与体系最终上转换性能之间关系。通过细致研究敏化剂和发光剂的荧光发射和寿命等光谱性质对敏化剂系间窜越,三线态-三线态能量转移及三线态-三线态湮灭等能量传递过程的影响后,发现在532 nm处的摩尔吸光系数PdBrTPP (10.8 cm-1·mmol-1)大于PdOEP (3.0 cm-1·mmol-1);三线态寿命PdBrTPP (173.13 μs)大于PdOEP (109.21 μs)。但与p-DHMPA配对时光敏剂与发光剂的三线态能级差ΔETT,PdOEP (0.140 eV)却高于PdBrTPP (0.062 eV),通过Stern-Volmer方程得到Stern-Volmer猝灭常数KSV和双分子猝灭常数kq值也是PdOEP略高,最终表现出上转换阈值PdOEP/p-DHMPA (22.40 mW·cm-2)小于PdBrTPP/p-DHMPA (29.78 mW·cm-2),上转换发光效率ΦUC,PdOEP/p-DHMPA (28.3%)大于PdBrTPP/p-DHMPA (26.8%)。因此,卟啉钯敏化剂的构效对三重态湮灭上转换发光效率影响最为重要的决定因素是敏化剂三线态高低。对于不同的敏化剂,在分子主体结构、摩尔吸光系数与三线态寿命等光谱参数差别不大的情况下,敏化剂的三线态能级越高,就将会具有更大的上转换发光效率。然而如果以总上转换能力指标来评价,PdBrTPP的共轭结构能够提升其在激发波长处吸收更多光子的能力,具有比PdOEP更高的摩尔吸光系数,造成其总上转换能力η比PdOEP高3.4倍。因此从上转换总效能指标来评价,通过敏化剂分子设计调控其在激发光波长处的摩尔吸光系数也不失为一种简单易行的方法。  相似文献   
8.
采用超声分散法制备出氧化铝、高岭土、氧化硅/聚四氟乙烯复合材料, 使用线性往复摩擦磨损试验机对比三种复合材料的摩擦学性能. 结果表明 质量分数10%的氧化铝、高岭土能将聚四氟乙烯的磨损率降低约4个数量级, 而氧化硅仅能降低约3个数量级. 对金属对偶表面形成的转移膜的形貌和化学成分进行分析发现 氧化铝、高岭土/聚四氟乙烯在金属对偶面上形成了高度羧酸盐化的转移膜. 用密度泛函理论对三种填料表面上碳氟分子吸附过程进行模拟, 结果显示氧化铝、高岭土表面的路易斯酸性位点促进了碳氟分子的脱氟过程, 产生了更多的羧酸螯合物的中间产物; 氧化硅缺少路易斯酸性位点, 因此不能促进高度羧酸盐化的转移膜形成.  相似文献   
9.
Xia Wang 《中国物理 B》2021,30(11):114211-114211
The determination of band offsets is crucial in the optimization of Ga2O3-based devices, since the band alignment types could determine the operations of devices due to the restriction of carrier transport across the heterogeneous interfaces. In this work, the band offsets of the Ga2O3/FTO heterojunction are studied using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) based on Kraut's method, which suggests a staggered type-Ⅱ alignment with a conduction band offset (ΔEC) of 1.66 eV and a valence band offset (ΔEV) of -2.41 eV. Furthermore, the electronic properties of the Ga2O3/FTO heterostructure are also measured, both in the dark and under ultraviolet (UV) illuminated conditions (254 nm UV light). Overall, this work can provide meaningful guidance for the design and construction of oxide hetero-structured devices based on wide-bandgap semiconducting Ga2O3.  相似文献   
10.
探索LaAlO_3/SrTiO_3(LAO/STO)界面产生的新奇物理特性对理解关联电子系统中多自由度耦合和设计功能材料器件具有重要的价值.本文通过脉冲激光沉积方法在SrTiO_3基底上制备了LAO/STO薄膜,研究了正面照射LAO/STO膜面和侧面照射LAO/STO界面时的光伏效应,探讨了LAO/STO界面对光伏效应的影响.研究结果表明,在同样光照能量下侧面照射LAO/STO界面产生的光电压远高于正面照射LAO/STO膜面产生的光电压,说明LAO/STO界面对光伏效应有明显的增强作用.通过偏压调控可以进一步增强照射LAO/STO界面产生的光电压,当偏压为60 V时, LAO/STO样品的位置探测灵敏度达到了36.8 mV/mm.这些研究结果为设计场调控位置敏感探测器等新型光电子器件提供了新的思路.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号