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 以磁绝缘传输线振荡器(MILO)中次级电子倍增效应物理图像为基础,对MILO中发生次级电子倍增效应的各阶共振模进行了计算和分析。结果表明:与基阶共振模相比,高阶共振模发生次级电子倍增效应的敏感区域要小得多,对次级电子倍增效应起主要作用的是基阶共振模;减小或抑制次级电子倍增效应,主要应考虑控制基阶共振模的电子倍增作用。  相似文献   
2.
UTA模型下金M带谱的理论计算   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
 用不可分辩跃迁阵模型(UTA model)计算了金M带0.43nm~0.62nm范围含有的三十五个跃迁阵的特征参数。利用高斯分布线型,对每个离子谱依据UTA的总强度,对整个M带依据离子权重进行叠加,得到了在总体上与实验相一致的结果。  相似文献   
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