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1.
利用激光溅射的方法,在射频离子阱中产生并囚禁了Cn^+(n=3,4,5)进而利用了子阱的质量选择存储和离子存储时间长等特点,在其中开展了C^+n同O2的化学反应研究,得到了反应物的速率常数和反应产物分支比,根据热化学计算,分析了反应进行的主要通道。 相似文献
2.
本文在一类 Lp位势V(x)下建立了广义Schrodinger算子H=(-Δ)m+V(x)在C∞0(Rn)上的本质自伴性,给出了H的本质谱的分布. 相似文献
3.
对区间[0,1]上的任一个连续函数f及任m,n≥1,以N(n,f)表示f中的n-周期轨道的数目,令:f是[0,1]上的连续函数且N(m,f)≥1。著名的sarkovskii定理所断言的是:当时N(n,m)≥1。本文则进一步对所有的正整数m及n求出了N(n,m)的准确值的便于计算的分析表达式。 相似文献
4.
5.
6.
基于无穷维空间中的生存定理,我们研究了集值映象的不动点,得到了一个新的不动点定理,推广和改进了[1]和[5]中的相应结果。 相似文献
7.
利用指数二分性和泛函分析方法,我们研究了当未扰动系统不具有异宿流形的退化异宿分支.我们利用Melnikov型向量给出了系统在退化情形下的横截异宿轨道存在的充分条件. 相似文献
8.
9.
钨(Ⅵ)的富集与检测方法研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
检测W(Ⅵ)对环境科学和生命科学研究具有积极意义。本文就1991年以来国内外W(Ⅵ)的富集手段,检测方法概况作一综述,其中包括,荧光光谱法,分光光度法,原子发射光谱法,质谱法,动力学方法,极普法,化学发光法,中子活化分析及联用技术等。 相似文献
10.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献