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1.
采用固相反应法制备了不同烧结温度(950~1 180 ℃)、烧结时间、烧结次数共7种工艺的Sr3YCo4O10.5+δ多晶块材,通过热分析、XRD、SEM确定了有序化相变和最佳烧结工艺(1 180 ℃/24 h+1 180 ℃/24 h),并研究了多晶的电磁性能。结果表明,964 ℃完全晶化的四方相Sr3YCo4O10.5在1 042 ℃吸氧(δ)完成有序化,生成Sr3YCo4O10.5+δ,而1 100 ℃和1 180 ℃烧结的样品均出现(103)、(215)超结构峰,验证了其结构的有序性。块材均呈半导体电输运行为,二次烧结晶格完整性提高,晶粒长大,300 K时电阻率仅为0.06 Ω·cm,居里温度(Tc)~335 K,零场冷曲线(ZFC)上的Hopkinson峰源于低温时被冻结的磁矩随温度升高转向磁场方向,磁化强度在298 K达到最大,随后受热扰动的影响减小。室温铁磁性源于有序结构导致的中自旋或高自旋态Co3+eg轨道有序。  相似文献   
2.
3.
C掺杂AlN的电子结构和光学性质的第一性原理研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,研究了C掺杂铅锌矿AlN的电子结构、磁性和光学性质.结果表明,C掺杂AlN产生了自旋极化,在带隙中引入杂质带形成受主能级,实现p型掺杂,同时表现出较强的半金属铁磁性,半金属能隙为0.315eV,理论上可实现100%的自旋载流子注入.掺杂后体系的介电函数虚部和光吸收系数在低能区出现新的峰值,吸收边向低能方向延展,能量损失明显减少.  相似文献   
4.
安兴涛 《中国物理 B》2014,(10):468-472
The effect of the negative differential conductance of a ferromagnetic barrier on the surface of a topological insulat( is theoretically investigated. Due to the changes of the shape and position of the Fermi surfaces in the ferromagnetic barrie the transport processes can be divided into three kinds: the total, partial, and blockade transmission mechanisms. The bias voltage can give rise to the transition of the transport processes from partial to blockade transmission mechanisms, which results in a considerable effect of negative differential conductance. With appropriate structural parameters, the currenl voltage characteristics show that the minimum value of the current can reach to zero in a wide range of the bias voltag and then a large peak-to-valley current ratio can be obtained.  相似文献   
5.
章建辉  韩季刚 《物理学报》2015,64(9):97702-097702
氧化锌(ZnO) 纳米材料因其在UV 激光器、发光二极管、太阳能电池、稀磁半导体、生物荧光标示、靶向药物等领域中的广泛应用而成为最热门的研究课题之一. 调节和优化ZnO 纳米结构的性质是ZnO 的实际应用迫切所需. 在此, 通过发展聚乙烯吡咯烷酮导向结晶法、微波加热强制水解法、表面活性剂后处理法, 成功地制备出了尺寸、表面电荷或成分可调的球、半球、棒、管、T 型管、三脚架、片、齿轮、两层、多层、带盖罐子、碗等一系列ZnO 纳米结构. 通过简单地改变ZnO 纳米粒子的尺寸、形貌和表面电荷或成分, 有效地调控ZnO 本身的发光强度和位置, 并近90 倍地增强了荧光素染料的荧光强度; 诱使了强度可调的室温铁磁性; 实现了对ZnO纳米颗粒的细胞毒性的系统性调控.  相似文献   
6.
计算钛空位(V_(Ti))和氧空位(V_O)共存情况下未掺杂金红石TiO_2的铁磁性.发现V_O可以产生局域磁矩,由它引起的自旋极化比V_(Ti)引起的更加局域,导致V_O之间的铁磁耦合作用弱于V_(Ti)之间的铁磁耦合作用.V_(Ti)之间的铁磁耦合在引入V_O之后进一步加强.V_O引入的电子调制两个分离的V_(Ti)之间的长程铁磁耦合.加入V_(Ti)之后,两个V_O的磁矩猝灭,当V_O的数量多于V_(Ti)的数量二倍时,V_O会对磁矩有贡献.结果与实验发现的V_O可以提高铁磁有序,并且总的磁矩会随着V_O数量的增多而增加的结果符合很好.  相似文献   
7.
采用射频共溅射方法制备了NixZn1-xO(x=0.78、0.72、0.68)薄膜。薄膜有非晶相和少量的NiO结晶相的存在。样品都具有明显的室温铁磁性,退火后(TA=803 K)Ni0.78Zn0.22O薄膜的饱和磁化强度Ms可达65 emu/cm3,对应单个Ni离子磁矩大于0.13μB。低温下制备态薄膜都出现了电阻率极小值的现象,这是由于样品发生了金属-绝缘体转变。  相似文献   
8.
周传仓  刘发民  丁芃  钟文武  蔡鲁刚  曾乐贵 《物理学报》2011,60(4):48101-048101
采用了熔盐法新工艺制备了纯相与掺钒的MnNb2O6粉晶,利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),能谱分析(EDX),透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和电子衍射(SAED)分析了其物相、形貌及微结构.结果表明合成产物为正交晶系钶铁矿型MnNb2O6;在不同的熔盐中合成出了棒状、片状与长方体形貌的纯相产物.讨论了温度与掺杂对结构与形貌的影响,HRTEM与SAED分析表明了产物的各向异性生 关键词: 熔盐法 结构与形貌 掺杂 反铁磁性  相似文献   
9.
范喆  马晓萍  李尚赫  沈帝虎  朴红光  金东炫 《物理学报》2012,61(10):107502-107502
为了实现基于磁畴壁运动的自旋电子学装置, 掌握磁畴壁动力学行为是重要争论之一.研究了在外磁场驱动下L-型纳米铁磁线磁畴壁的动力学行为. 通过微磁学模拟,在各种外磁场的驱动下考察了纳米铁磁线磁畴壁的动力学特性; 在较强外磁场的驱动下, 在不同厚度纳米线上考察了纳米线表面消磁场对磁畴壁动力学行为的影响. 为了进一步证实消磁场对磁畴壁动力学的影响, 在垂直于纳米线表面的外磁场辅助下分析了磁畴壁的动力学行为变化. 结果表明, 随着纳米线厚度和外驱动磁场强度的增加, 增强了纳米线表面的消磁场的形成, 使得磁畴壁内部自旋结构发生周期性变化, 导致磁畴壁在纳米线上传播时出现Walker崩溃现象. 在垂直于纳米线表面的外磁场辅助下, 发现辅助磁场可以调节消磁场的强度和方向. 这意味着利用辅助磁场可以有效地控制纳米铁磁线磁畴壁的动力学行为.  相似文献   
10.
ZnO基稀磁半导体是目前最有应用前景的自旋电子器件候选材料之一。室温铁磁性材料的可控制备及其磁性起源是目前自旋电子学急待解决的两个基本问题。本文围绕这两个问题对目前国内外关于ZnO基稀磁半导体材料的实验和理论最新研究进行了综述。  相似文献   
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